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公开(公告)号：TWI542735B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW103113531
申请日：2014-04-14
Applicant: MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
Inventor： 片山大輔 , KATAYAMA, DAISUKE , 逢坂育代 , OSAKA, IKUYO
IPC: C23F1/18
CPC classification number: C23F1/18 , H05K3/067 , H05K2203/0789
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公开(公告)号：TWI467050B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW098117277
申请日：2009-05-25
Applicant: MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
Inventor： 河口睦行 , KAWAGUCHI, MUTSUYUKI , 齊藤知志 , SAITO, SATOSHI , 天谷剛 , AMATANT, TSUYOSHI , 藤井祐子 , FUJII, YUKO , 千石洋一 , SENGOKU, YOICHI
CPC classification number: C09J11/02 , C08K3/16 , C08K3/32 , C08K5/04 , C08K5/405 , H05K3/386 , H05K2201/0355 , H05K2203/121
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公开(公告)号：TWI464301B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW097144320
申请日：2008-11-17
Applicant: MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
Inventor： 片山大輔 , KATAYAMA, DAISUKE , 栗井雅代 , KURII, MASAYO
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公开(公告)号：TW201441347A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103107018
申请日：2014-03-03
Applicant: MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
Inventor： 福井優 , FUKUI, YU , 齊藤知志 , SAITO, SATOSHI , 石田輝和 , ISHIDA, TERUKAZU
CPC classification number: H05K3/067 , C23F1/18 , H05K2201/0338
Abstract: 本發明係與能夠抑制銅配線圖案的側蝕的銅之蝕刻液、其補充液以及配線形成方法有關者。銅之蝕刻液係由包含銅離子、鹵化物離子及非離子性界面活性劑的酸性水溶液所構成，前述非離子性界面活性劑的濁點為15~55℃。根據本發明之配線形成方法，藉著將上述蝕刻液依序接觸銅層(3)及金屬氧化物層(2)，能夠形成包含經圖案化的金屬氧化物層(9)及銅配線圖案(7)的積層配線圖案(10)。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系与能够抑制铜配线图案的侧蚀的铜之蚀刻液、其补充液以及配线形成方法有关者。铜之蚀刻液系由包含铜离子、卤化物离子及非离子性界面活性剂的酸性水溶液所构成，前述非离子性界面活性剂的浊点为15~55℃。根据本发明之配线形成方法，借着将上述蚀刻液依序接触铜层(3)及金属氧化物层(2)，能够形成包含经图案化的金属氧化物层(9)及铜配线图案(7)的积层配线图案(10)。
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公开(公告)号：TWI444284B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW101124085
申请日：2012-07-04
Applicant: MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
Inventor： 高橋勝 , TAKAHASHI, MASARU , 林知紀 , HAYASHI, TOMOKI , 內藤勇太 , NAITO, YUTA , 出口友香里 , DEGUCHI, YUKARI , 大串亮 , OGUSHI, RYO , 千石洋一 , SENGOKU, YOICHI , 佐藤未菜 , SATO, MINA , 岡田萬佐夫 , OKADA, MASAO
CPC classification number: B29C45/14311 , B29C45/14778 , B29C65/16 , B29C65/8215 , B29C65/8246 , B29C65/8253 , B29C66/026 , B29C66/1122 , B29C66/30326 , B29C66/43 , B29C66/7422 , B29C2045/14868 , C23F1/20 , C23F1/36
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI396774B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW097108875
申请日：2008-03-13
Applicant: MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
Inventor： 河口睦行 , KAWAGUCHI, MUTSUYUKI
IPC: C23C22/52
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公开(公告)号：TWI310791B
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：TW095100994
申请日：2006-01-11
Inventor： 楢林哲之 NARABAYASHI, TETSUYUKI , 國本慎治 KUNIMOTO, SHINJI , 笠井誠 KASAI, MAKOTO , 戶田健次 TODA, KENJI
CPC classification number: H01L21/6708 , H05K1/0393 , H05K3/0085 , H05K3/068 , H05K2203/075 , H05K2203/1147 , H05K2203/1545
Abstract: 本發明係提供一種液體處理裝置,其由排液噴嘴噴出之處理液,以霧狀漂流在處理腔室內之狀態下,自排液噴嘴所排出處理液排出到比表面被處理物上面之液體處理開始位置A更為上游側之表面被處理物之部份,不至於淋到該霧狀處理液,且能由處理液確實進行處理,不會產生不良製品。
本發明係在電子零件封裝用薄膜載置膠帶T上面之更上方設有排出處理液E之蝕刻液排出噴嘴22,以及配設於藉蝕刻液排出噴嘴22排出至薄膜載置膠帶T上面之處理液E之開始蝕刻之液體處理開始位置A之更上游側之用以防止液體處理開始位置A之前的排出液接觸到薄膜T之防止處理液接觸之隔成室32,且在該隔成室32內配設以第一防止浸入構件11之液封唇管形構件11a與第二浸入防止構件13之上側唇管形構成構件13a及下側唇管形構成構件13b。Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种液体处理设备,其由排液喷嘴喷出之处理液,以雾状漂流在处理腔室内之状态下,自排液喷嘴所排出处理液排出到比表面被处理物上面之液体处理开始位置A更为上游侧之表面被处理物之部份,不至于淋到该雾状处理液,且能由处理液确实进行处理,不会产生不良制品。 本发明系在电子零件封装用薄膜载置胶带T上面之更上方设有排出处理液E之蚀刻液排出喷嘴22,以及配设于藉蚀刻液排出喷嘴22排出至薄膜载置胶带T上面之处理液E之开始蚀刻之液体处理开始位置A之更上游侧之用以防止液体处理开始位置A之前的排出液接触到薄膜T之防止处理液接触之隔成室32,且在该隔成室32内配设以第一防止浸入构件11之液封唇管形构件11a与第二浸入防止构件13之上侧唇管形构成构件13a及下侧唇管形构成构件13b。
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公开(公告)号：TW200907107A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097124748
申请日：2008-07-01
Applicant: 美克股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
Inventor： 西江健二 NISHIE, KENJI , 矢熊紀子 YAGUMA, NORIKO , 古川良昭 FURUKAWA, YOSHIAKI
CPC classification number: H05K3/282 , B23K35/262 , C23C18/31 , H05K2203/124
Abstract: 一種表面處理劑,其用於處理包含銅或銅合金的基材的表面,該表面處理劑中含有咪唑化合物及糖醇的溶液,並含有鋅離子而形成。該表面處理劑用於處理包含銅或銅合金的基材的表面的表面處理劑。
Abstract in simplified Chinese: 一种表面处理剂,其用于处理包含铜或铜合金的基材的表面,该表面处理剂中含有咪唑化合物及糖醇的溶液,并含有锌离子而形成。该表面处理剂用于处理包含铜或铜合金的基材的表面的表面处理剂。
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公开(公告)号：TW200626749A
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：TW095100994
申请日：2006-01-11
Inventor： 楢林哲之 NARABAYASHI, TETSUYUKI , 國本慎治 KUNIMOTO, SHINJI , 笠井誠 KASAI, MAKOTO , 戶田健次 TODA, KENJI
IPC: C23F
CPC classification number: H01L21/6708 , H05K1/0393 , H05K3/0085 , H05K3/068 , H05K2203/075 , H05K2203/1147 , H05K2203/1545
Abstract: 本發明係提供一種液體處理裝置，其由排液噴嘴噴出之處理液，以霧狀漂流在處理腔室內之狀態下，自排液噴嘴所排出處理液排出到比表面被處理物上面之液體處理開始位置A更為上游側之表面被處理物之部份，不至於淋到該霧狀處理液，且能由處理液確實進行處理，不會產生不良製品。本發明係在電子零件封裝用薄膜載置膠帶T上面之更上方設有排出處理液E之蝕刻液排出噴嘴22，以及配設於藉蝕刻液排出噴嘴22排出至薄膜載置膠帶T上面之處理液E之開始蝕刻之液體處理開始位置A之更上游側之用以防止液體處理開始位置A之前的排出液接觸到薄膜T之防止處理液接觸之隔成室32，且在該隔成室32內配設以第一防止浸入構件11之液封唇管形構件11a與第二浸入防止構件13之上側唇管形構成構件13a及下側唇管形構成構件13b。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种液体处理设备，其由排液喷嘴喷出之处理液，以雾状漂流在处理腔室内之状态下，自排液喷嘴所排出处理液排出到比表面被处理物上面之液体处理开始位置A更为上游侧之表面被处理物之部份，不至于淋到该雾状处理液，且能由处理液确实进行处理，不会产生不良制品。本发明系在电子零件封装用薄膜载置胶带T上面之更上方设有排出处理液E之蚀刻液排出喷嘴22，以及配设于藉蚀刻液排出喷嘴22排出至薄膜载置胶带T上面之处理液E之开始蚀刻之液体处理开始位置A之更上游侧之用以防止液体处理开始位置A之前的排出液接触到薄膜T之防止处理液接触之隔成室32，且在该隔成室32内配设以第一防止浸入构件11之液封唇管形构件11a与第二浸入防止构件13之上侧唇管形构成构件13a及下侧唇管形构成构件13b。
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130.发明专利銅或銅合金之蝕刻劑及蝕刻方法 ETCHING AGENT FOR COPPER OR COPPER ALLOY AND ETCHING METHOD THEREFOR 失效铜或铜合金之蚀刻剂及蚀刻方法 ETCHING AGENT FOR COPPER OR COPPER ALLOY AND ETCHING METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TWI242608B
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW091111830
申请日：2002-06-03
Applicant: 美克股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
Inventor： 小野秀一郎 , 中村幸子 NAKAMURA, SACHIKO
IPC: C23F
Abstract: 本發明為提供一種在溫和的條件下可使銅表面變得平滑之蝕刻劑，及可使上述表面變得平滑之蝕刻方法，該銅或銅合金之蝕刻劑係由含有羥胺、氧化劑、銨鹽及唑化合物的水溶液所組成。
Abstract in simplified Chinese: 本发明为提供一种在温和的条件下可使铜表面变得平滑之蚀刻剂，及可使上述表面变得平滑之蚀刻方法，该铜或铜合金之蚀刻剂系由含有羟胺、氧化剂、铵盐及唑化合物的水溶液所组成。
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