公开(公告)号：KR1019970052958A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950066924

申请日：1995-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박창수

IPC: H01L21/3205

Abstract: 반도체 장치의 금속배선층 형성방법에 관하여 기재하고 있다. 이는, 절연층을 관통하는 개구부가 형성된 반도체 기판 상에, 노출된 개구부 바닥에 반응지연막을 형성하는 제1단계, 상기 결과물 상에 희생층을 형성한 후, 플라즈마 처리를 하여 상기 개구부 내벽을 제외한 부분의 희생층을 산화시키는 제2단계, 상기 결과물 상에 오믹층을 증착한 다음, 열처리를 실시하여 오믹층과 희생층이 접촉하는 부분에서 화합물을 형성한 후, 미반응된 오믹층을 제거하는 제3단계, 및 상기 결과물에 대한 전면식각 공정을 진행한 후, 밀착층 및 금속배선을 증착하는 제4단계를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 고온의 후속 열처리 공정에 의한 급격한 저항 증가 없이 안정적인 접촉 저항을 얻을 수 있는 금속배선을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100095415B1

公开(公告)日：1996-02-07

申请号：KR1019920007671

申请日：1992-05-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상인 ,  박창수

IPC: H01L21/28

公开(公告)号：KR1019960001601B1

公开(公告)日：1996-02-02

申请号：KR1019920000904

申请日：1992-01-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상인 ,  박창수

IPC: H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: forming a wall metal layer on a semiconductor substrate; forming aluminum wire layer on the substrate, a step of a reactive layer which reacts with the aluminum in a contact hole; and filling the contact hole by annealing process to react the reactive layer with the aluminum wire layer.

Abstract translation: 在半导体衬底上形成壁金属层; 在基板上形成铝线层，在接触孔中与铝反应的反应层的步骤; 并通过退火处理填充接触孔，使反应层与铝线层反应。

公开(公告)号：KR1019940002766B1

公开(公告)日：1994-04-02

申请号：KR1019910004396

申请日：1991-03-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상인 ,  손정하 ,  박창수

IPC: H01L21/28

Abstract: The method comprises; i) forming an insulating interlayer on a semiconductor substrate; ii) providing the insulating interlayer with an opening; iii) forming a composite metal layer on the insulating interlayer by repeatedly sputtering with an aluminium or an aluminium alloy having no silicon component; iv) heat-treating the composite metal layer to bury the opening. The method improves reliability of metal wiring and does not produce silicon precipitates in subsequent process.

Abstract translation: 该方法包括： i）在半导体衬底上形成绝缘中间层; ii）提供具有开口的绝缘中间层; iii）通过用不含硅成分的铝或铝合金反复溅射在绝缘中间层上形成复合金属层; iv）热处理复合金属层以埋置开口。 该方法提高了金属布线的可靠性，在后续工艺中不会产生硅沉淀物。

公开(公告)号：KR100071491B1

公开(公告)日：1994-03-07

申请号：KR1019910001588

申请日：1991-01-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종호 ,  박창수 ,  이상인 ,  손정하

IPC: H01L21/28

公开(公告)号：KR100067782B1

公开(公告)日：1993-11-18

申请号：KR1019900010027

申请日：1990-07-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박창수

IPC: H01L21/28

公开(公告)号：KR1019920015574A

公开(公告)日：1992-08-27

申请号：KR1019910001588

申请日：1991-01-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종호 ,  박창수 ,  이상인 ,  손정하

IPC: H01L21/28

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1019910013496A

公开(公告)日：1991-08-08

申请号：KR1019890020736

申请日：1989-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박창수 ,  박종호

IPC: H01L21/60

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR2019900001979U

公开(公告)日：1990-01-19

申请号：KR2019880009385

申请日：1988-06-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박창수

IPC: H04N5/63

公开(公告)号：KR1020100130782A

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：KR1020090049475

申请日：2009-06-04

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  광주과학기술원

Inventor： 조용철 ,  장재형 ,  박용화 ,  박창수 ,  송종인

IPC: G02F1/015

CPC classification number: G01N21/41 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/15 ,  H01L31/153 ,  H01L31/1892 ,  H05B33/0842 ,  Y02E10/50

Abstract: PURPOSE: An optoelectronic shutter, a method of operating the same and an optical apparatus employing the optoelectronic shutter are provided to implement the driving in low voltage and current by modulating the output light for the input light based on the modulation of current gain. CONSTITUTION: A photo transistor(130) generates an output signal from the incident input light, and a light emitting diode outputs an output light based on an output signal by being connected to the photo transistor in serial. A first transistor generates a current signal which modulates a base current. A substrate is made of sapphire or GaAs.

Abstract translation: 目的：提供一种光电快门及其操作方法以及采用光电快门的光学装置，以通过调制电流增益来调制输入光的输出光来实现低电压和电流驱动。 构成：光电晶体管（130）从入射输入光产生输出信号，并且发光二极管通过串联连接到光电晶体管基于输出信号输出输出光。 第一晶体管产生调制基极电流的电流信号。 衬底由蓝宝石或GaAs制成。