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公开(公告)号：KR20180045997A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：KR20160140663
申请日：2016-10-27
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: 본발명은 a) 투명기판상에산화아연시드층을형성하는단계; b) 산화아연시드층이형성된투명기판을제1 용액에침지하여, 상기산화아연시드층상에제1 AZO막을형성하는단계; 및 c) 제1 AZO막이형성된투명기판을제2 용액에침지하여제1 AZO막상에제2 AZO막을형성하는단계;를포함하며, 상기제1 AZO막및 제2 AZO막은하기관계식 1을만족하는 AZO 이중막의제조방법및 이로부터제조된 AZO 이중막에관한것이다. [관계식 1] P
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公开(公告)号：KR101716149B1
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：KR1020150175055
申请日：2015-12-09
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0749 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: Y02E10/544
Abstract: 본발명은흡수되는광량이많은상부셀의효율을높임으로써전체탠덤태양전지의효율이향상된탠덤태양전지에관한것으로, CIS계광흡수층을구비한상부셀과하부셀을포함하는탠덤태양전지로서, 빛이입사하는방향에위치되는상부셀의광흡수층이 1.4eV 이하의밴드갭을갖고, 상기상부셀을거친빛이도달하는하부셀의광흡수층이 0.8~1.0eV 범위의밴드갭을갖는것을특징으로한다. 본발명은, 밴드갭을조절하여흡수하는광량이많은상부셀의효율을높임으로써, 전체탠덤태양전지의발전효율을높일수 있는효과가있다. 또한, 본발명의제조방법은, 종래의 CIGS 또는 CIS 광흡수층형성공정을거의그대로적용할수 있기때문에별도의공정비용을추가하지않고효율이향상된탠덤태양전지를제조할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101707080B1
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：KR1020150112698
申请日：2015-08-10
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , H01L31/0749 , H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은하부셀의열화문제가없으면서상부셀의효율도최대가될 수있는탠덤태양전지의제조방법에관한것으로, 기판위에하부셀을형성하고, 상기하부셀위에적어도 1개이상의상부셀을순차적으로형성하여탠덤태양전지를제조하는방법으로서, 상기상부셀을형성하는과정에서, 상기상부셀의광흡수층을형성하는단계가, 별도의임시기판위에몰리브덴층을형성하는단계; 상기몰리브덴층위에 CIGS층을형성하는단계; 상기몰리브덴층과상기 CIGS층을분리하는단계; 및상기분리된 CIGS층을부착하는단계를포함하여구성된것을특징으로한다. 본발명은, 탠덤태양전지의상부셀의광흡수층을별도로형성한뒤에분리하여하부셀위에부착함으로써, 상부셀형성과정에서하부셀이열화되는것을방지할수 있을뿐만아니라상부셀의변환효율이최대가될 수있는공정조건에서상부셀의광흡수층을형성할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101598501B1
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：KR1020140110513
申请日：2014-08-25
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0224
Abstract: 본발명은박막형태양전지의투명전극의개량에관한것으로서, 특히태양전지의투명전극으로 TCO(투명전도성산화물)층에은을함유한도전성페이스트를인쇄하거나, TCO층에갈음하여은을함유한도전성페이스트를인쇄한투명기판을적용하는기술에관한것이다. 이에본 발명은태양전지에서의투명전극의제조방법에있어서 TCO층상부나하부에그리드전극을실버프린팅하는단계를포함하거나또는투명기판에그리드전극을실버프린팅하여역순으로레이어(layer)를적층하는단계를포함하는것을특징으로하는투명전극제조방법과이를적용한태양전지의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及薄膜型太阳能电池的透明电极的改进，更具体地说，涉及一种通过太阳能电池的透明电极在透明导电氧化物（TCO）层上印刷含有银的导电膏的技术，或 应用透明基板，其上印刷含有银的导电浆料而不是TCO层。 本发明提供一种透明电极的制造方法及其制造方法，其特征在于，包括：在TCO层的上部和下部印刷栅电极的步骤， 透明基板以反向层压层。
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125.发明授权양극산화알루미늄(AAO) 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층의 제조방법과 후면전극의 전반사막 제조방법 및 이를 포함하여 구성되는 박막 태양전지 有权AAO通过在柔性基板上沉积的AAOAnodic氧化铝模板和使用其的太阳能电池，图案化应力松弛层和反射层的制造方法
公开(公告)号：KR101592468B1
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：KR1020140083029
申请日：2014-07-03
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/046 , H01L31/18 , H01L31/0749 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 양극산화알루미늄나노패턴이형성된박막태양전지연성기판의응력완화층의제조방법과후면전극의전반사막제조방법및 이를포함하여구성되는박막태양전지에관한것으로, 나노사이즈패터닝이구조적으로연성기판의응력을완화하고, 광경로를더욱길게연장하여전체적인광전효율을크게향상시키는효과가있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101564961B1
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：KR1020130035753
申请日：2013-04-02
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0445 , H01L31/18 , Y02E10/541
Abstract: 본발명은황동광계태양전지의광흡수층을형성하는방법에관한것으로서, 황동광계화합물의전구체를포함하는박막을형성하는단계; 및상기박막에빛을조사하는단계를포함하며, 상기황동광계화합물전구체가빛 에너지를흡수하여결정화가진행되는것을특징으로한다. 본발명은, 황동광계광흡수층을형성하는과정에서열을가하지않고빛을이용함으로써, 열에의해서기판이손상되는문제없이황동광계광흡수층을형성할수 있는효과가있다. 또한, 황동광계광흡수층을형성하는과정에서열을가하지않고빛을이용함으로써, 몰리브덴후면전극이가열되어 MoSe가형성되는문제가없다. 나아가, 박막에깊이침투하는장파장범위의빛을먼저조사하고얕게침투하는단파장범위의빛을나중에조사함으로써, 아래쪽에서부터순차적으로황동광계광흡수층을형성할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101557020B1
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：KR1020130074939
申请日：2013-06-27
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은후면전극이이중층으로구성된 CIGS 박막태양전지에관한것으로, 태양전지후면전극의제조방법에있어서, 기판(100)위에후면전극(200)을형성시키는단계(s100); 상기후면전극(200) 위에금속산란막(210)을형성시키는단계(s200)를포함하는것을특징으로하여, 태양광의광흡수층내에서의광경로가증가시킴으로써광-전기변환의효율을극대화시킨것이다.
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公开(公告)号：KR101541415B1
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020130087979
申请日：2013-07-25
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지의기판을준비하는단계, 상기기판상에균일하게소정의입자를소정의시간동안분사압력과분사각도를조절하여요철구조를형성하는샌드블래스트(sand blast) 처리단계, 상기요철구조가형성된기판을세척하는단계, 상기기판의요철구조에의해후면전극층의표면에요철구조가형성될수 있는소정의두께로후면전극층을증착하는단계, 상기후면전극층상에광흡수층을증착하고, 상기광흡수층상에버퍼층을증착하는단계, 상기버퍼층상에투명전도층을증착하는단계, 상기투명전도층상에반사방지막을전면전극층이형성되는영역을제외한부분에증착하는단계, 상기투명전도층상에상기반사방지막이형성되지않은부분에전면전극층을증착하는단계를포함하는태양전지제조방법을이용한다. 본원발명에서는태양전지의기판에샌드블래스트(sand blast) 처리를통하여요철구조를형성하고, 상기기판상부에형성되는후면전극에도요철구조가형성되는효과를두어광흡수층에서흡수되는태양광의비율을높일수 있게된다. 또한, 기판에형성된요철구조로인하여상기기판의고온에서의변형을방지할수 있어태양전지의안정성을확보할수 있다.
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公开(公告)号：KR101490519B1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：KR1020130080225
申请日：2013-07-09
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 박막 태양전지에 관한 것으로, 종래 광흡수층 상부에 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 형성하여 제조하던 것을 광흡수층 상부에는 버퍼층, 투명전극을 형성하지 않고, 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 CIGS 하부면에 형성함으로써 태양광이 장애물 없이 직접 광흡수층으로 입사하도록 하고, 또한 제 1 전극과 버퍼층을 서로 맞물리는 나선형상으로 패터닝하여 빛에너지를 흡수하여 발생하게 되는 전자-정공이 전극 또는 버퍼층으로 이동하게 되는 거리를 단축할 수 있게 하는 태양전지에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020150006927A
公开(公告)日：2015-01-20
申请号：KR1020130080225
申请日：2013-07-09
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/04
Abstract: 본 발명은 박막 태양전지에 관한 것으로, 종래 광흡수층 상부에 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 형성하여 제조하던 것을 광흡수층 상부에는 버퍼층, 투명전극을 형성하지 않고, 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 CIGS 하부면에 형성함으로써 태양광이 장애물 없이 직접 광흡수층으로 입사하도록 하고, 또한 제 1 전극과 버퍼층을 서로 맞물리는 나선형상으로 패터닝하여 빛에너지를 흡수하여 발생하게 되는 전자-정공이 전극 또는 버퍼층으로 이동하게 되는 거리를 단축할 수 있게 하는 태양전지에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种锡膜太阳能电池。 代替形成缓冲层的现有制造，在光吸收层的上部中的透明电极，栅电极，缓冲层，缓冲层，透明电极和栅电极形成在 CIGS在光吸收层的上部不形成透明电极，从而直接向光吸收层发射太阳光而没有障碍物，并且缩短电子和空穴到电极和缓冲层的移动距离。 通过以交替螺旋形状并吸收光能的方式构图第一电极和缓冲层来产生电子和空穴。
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