公开(公告)号：US06630871B2

公开(公告)日：2003-10-07

申请号：US09967732

申请日：2001-09-28

Applicant: Qing Ma ,  Peng Cheng

Inventor： Qing Ma ,  Peng Cheng

IPC: H03B530

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2201/016 ,  B81B2203/019 ,  H03H3/0077 ,  H03H9/2463

Abstract: A micro-electromechanical (MEM) resonator is described that includes a substrate, a microbridge beam structure coupled to the substrate and at least one electrode disposed adjacent to the microbridge beam structure to induce vibration of the beam. The microbridge beam structure includes support sections and a beam formed between the support sections. The center region of the beam has a mass that is less than the mass of regions of the beam adjacent to the support sections.

Abstract translation: 描述了一种微机电（MEM）谐振器，其包括衬底，耦合到衬底的微桥梁结构和邻近微桥梁结构设置的至少一个电极以引起梁的振动。 微桥梁结构包括支撑部分和形成在支撑部分之间的梁。 梁的中心区域的质量小于与支撑部分相邻的梁的区域的质量。

公开(公告)号：US5637904A

公开(公告)日：1997-06-10

申请号：US431491

申请日：1995-04-28

Applicant: Thomas Zettler

Inventor： Thomas Zettler

IPC: B81B3/00 ,  H01H1/00 ,  H01H35/02 ,  H01L29/82

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/00944 ,  H01H1/0036 ,  H01H35/02 ,  B81B2201/016

Abstract: A micromechanical component includes a fixed micromechanical structure having at least two electrodes being formed of one or more conductive layers, and a movable micromechanical structure in a void or chamber forming a conductive switch element, for making an electrical contact between the electrodes with the aid of the switch element. The void or chamber can have a, for example, grid-shaped device for securing the switch element against falling out and/or a seal at the top. A microsystem with an integrated circuit and the micromechanical component, as well as a production process for the component and the microsystem, are also provided. The component and the circuit can therefore be produced simultaneously in a very simple manner.

Abstract translation: 微机械部件包括具有至少两个电极由一个或多个导电层形成的固定微机械结构，以及形成导电开关元件的空隙或室中的可移动微机械结构，用于借助于电极之间的电接触 开关元件。 空隙或腔室可以具有例如用于固定开关元件的网格形装置以防止脱落和/或顶部的密封。 还提供了具有集成电路和微机械组件的微系统以及组件和微系统的生产过程。 因此，组件和电路可以以非常简单的方式同时产生。

公开(公告)号：JP2018533826A

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：JP2018525368

申请日：2016-11-15

Applicant: キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッド ,  CAVENDISH KINETICS, INC.

Inventor： ロベルトゥス・ペトルス・ファン・カンペン ,  リチャード・エル・ナイプ ,  ミカエル・ルノー ,  シバジョティ・ゴーシュ・ダスティダー ,  ジャック・マーセル・ムヤンゴ

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0008 ,  B81B3/001 ,  B81B3/0035 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/016 ,  H01G5/16 ,  H01H2059/0018 ,  H01H2059/0072

Abstract: MEMSスイッチは、基板101上に配置された、RF電極102と、プルダウン電極104と、アンカー電極108とを含む。複数のアイランド226がプルダウン電極に設けられ、そこから電気的に絶縁されている。RF電極の上には、MEMSブリッジ212,214がプルダウン状態でオーミック接触を形成するRFコンタクト206がある。プルダウン電極104は、誘電体層202で被覆され、ブリッジとプルダウン電極との間の短絡を回避する。コンタクトストッパ224は、アイランド226に対応する場所で誘電体層202の上に配置され、プルダウン状態においてブリッジと誘電体層との間に生ずるギャップは、誘電体の帯電を低減する。代替の実施形態では、コンタクトストッパは、誘電体層202の内部に設けられ、あるいは、アイランド自体の上および誘電体層の下に配置される。スイッチは、広い電圧動作範囲に渡ってMEMSスイッチの接触抵抗の良好な制御性を提供する。

公开(公告)号：JP5230810B2

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：JP2011520792

申请日：2010-06-30

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 智英 神山 ,  智弘 岩崎 ,  岳彦 山川 ,  邦彦 中村 ,  慶治 大西

IPC: H03H9/24 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H03H3/007

CPC classification number: H03H3/0072 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/019 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/0015 ,  H03H9/02338 ,  H03H9/2463 ,  H03H2009/02291 ,  H03H2009/02511

公开(公告)号：JP5198322B2

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：JP2009041382

申请日：2009-02-24

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 友博 齋藤

IPC: H01G5/16 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/007 ,  B81B2201/016 ,  B81B2203/0109 ,  H01H59/0009 ,  H01H2001/0084 ,  H01H2059/0036

公开(公告)号：JPWO2011001680A1

公开(公告)日：2012-12-10

申请号：JP2011520792

申请日：2010-06-30

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 智英 神山 ,  智英 神山 ,  岩崎　智弘 ,  智弘 岩崎 ,  山川　岳彦 ,  岳彦 山川 ,  中村　邦彦 ,  邦彦 中村 ,  大西　慶治 ,  慶治 大西

IPC: H03H9/24 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H03H3/007

CPC classification number: H03H3/0072 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/019 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/0015 ,  H03H9/02338 ,  H03H9/2463 ,  H03H2009/02291 ,  H03H2009/02511

Abstract: MEMS技術を用いた共振器において、電極形状の精度を向上させ、入出力間がショートしてしまうことを回避でき、共振器の信頼性を高めること。基板101と、基板101上に選択敵に形成された犠牲層である絶縁層102と、基板101上に空間を介して形成された梁103と、絶縁層102上に梁103と同じ材料で形成された第1の支持部104Aと、梁103と空間を介して形成された信号を入出力するための電極106と、を備えた共振器であって、梁103の長手方向に垂直な断面において、梁103の断面積と第1の支持部104Aの断面積とがほぼ等しくなるようにする。

公开(公告)号：JP2010199246A

公开(公告)日：2010-09-09

申请号：JP2009041382

申请日：2009-02-24

Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

Inventor： SAITO TOMOHIRO

IPC: H01G5/16 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81B3/007 ,  B81B2201/016 ,  B81B2203/0109 ,  H01H59/0009 ,  H01H2001/0084 ,  H01H2059/0036

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the element characteristics of an MEMS element.
SOLUTION: The MEMS element includes a first electrode 12 provided on a substrate 1, a second electrode 16 provided above the first electrode 12 and mechanically driven toward the first electrode 12, and a beam 21A which supports the second electrode in midair, and includes a sidewall part 22 provided at its end in the width direction, the sidewall part having a downward-facing protrusion.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提高MEMS元件的元件特性。 解决方案：MEMS元件包括设置在基板1上的第一电极12，设置在第一电极12上方并且朝向第一电极12机械驱动的第二电极16以及在空中支撑第二电极的光束21A， 并且包括设置在其宽度方向上的端部的侧壁部分22，侧壁部分具有向下的突起。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009537337A

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：JP2009510354

申请日：2007-05-16

Applicant: ミクロガン ゲーエムベーハー

Inventor： クンツェ、マイク ,  ダウミラー、インゴ

IPC: B81B3/00

CPC classification number: F04B43/046 ,  B81B3/0024 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/032 ,  H01F21/04 ,  H01F2007/068 ,  H01G5/18 ,  H01L41/047 ,  H01L41/0933 ,  H01L41/094 ,  H01L41/0973

Abstract: 【課題】 第ＩＩＩ族窒化物半導体を含むマイクロメカニカル・アクチュエータを提供する。
【解決手段】 本発明は、基板（１）と、基板に接続されて、基板に対して少なくとも部分的に偏向され、第ＩＩＩ族元素の窒化物をベースとする半導体化合物を有する屈曲構造（２）と、屈曲構造に電流を与える、または電圧を印加する、そのうち少なくとも２つが互いから離間されて屈曲構造上に設けられているおよび／または屈曲構造に一体化されている、少なくとも２つの電力供給コンタクト（３ａ、３ｂ）とを備える半導体アクチュエータに関する。
【選択図】 図３

公开(公告)号：WO2016036422A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：PCT/US2015/027201

申请日：2015-04-23

Applicant: CAVENDISH KINETICS, INC

Inventor： HUFFMAN, James Douglas ,  KHIEU, Cong Quoc ,  VAN KAMPEN, Robertus Petrus ,  SMAYLING, Karl, F. ,  JOSHI, Vikram

IPC: B81C99/00

CPC classification number: B81C99/003 ,  B81B2201/016 ,  B81B2207/015 ,  G01R27/2605 ,  H01G5/16 ,  H01L23/5228 ,  H01L29/93

Abstract: The present invention generally relates to a mechanism for testing a MEMS hysteresis. A power management circuit may be coupled to the electrodes that cause the movable plate that is disposed between the electrodes in a MEMS device to move. The power management circuit may utilize a charge pump, a comparator and a resistor ladder.

Abstract translation: 本发明一般涉及一种用于测试MEMS滞后的机构。 功率管理电路可以耦合到电极，其使得设置在MEMS器件中的电极之间的可移动板移动。 电源管理电路可以使用电荷泵，比较器和电阻梯。

公开(公告)号：WO2012177304A2

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：PCT/US2012/029005

申请日：2012-03-14

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  JAHNES, Christopher, V. ,  STAMPER, Anthony, K.

Inventor： JAHNES, Christopher, V. ,  STAMPER, Anthony, K.

IPC: H02N1/00 ,  H05K13/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/001 ,  B81B7/0006 ,  B81B2201/016 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00293 ,  B81C2203/0145 ,  G06F17/5045 ,  G06F17/5068 ,  H01H1/0036 ,  H01H2001/0057 ,  Y10T29/49121

Abstract: Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, methods of manufacture and design structures are provided. The method of forming a MEMS structure includes forming fixed actuator electrodes (115) and a contact point on a substrate. The method further includes forming a MEMS beam (100) over the fixed actuator electrodes and the contact point. The method further includes forming an array of actuator electrodes (105') in alignment with portions of the fixed actuator electrodes, which are sized and dimensioned to prevent the MEMS beam from collapsing on the fixed actuator electrodes after repeating cycling. The array of actuator electrodes are formed in direct contact with at least one of an underside of the MEMS beam and a surface of the fixed actuator electrodes.

Abstract translation: 提供微机电系统（MEMS）结构，制造方法和设计结构。 形成MEMS结构的方法包括在基板上形成固定的致动器电极（115）和接触点。 该方法还包括在固定的致动器电极和接触点上形成MEMS光束（100）。 该方法还包括形成与固定致动器电极的部分对准的致动器电极阵列（105'），其尺寸和尺寸被确定为防止MEMS梁在重复循环之后塌陷在固定的致动器电极上。 致动器电极阵列形成为与MEMS光束的下侧和固定致动器电极的表面中的至少一个直接接触。