公开(公告)号：CN104126153B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201280070384.3

申请日：2012-12-20

Applicant: 斯沃奇集团研究和开发有限公司

Inventor： T·黑塞勒 ,  S·达拉 ,  皮亚扎

IPC: G04F5/06 ,  G04G17/02 ,  B81C1/00 ,  G04B17/06 ,  G04C3/12

CPC classification number: H03H9/19 ,  B23K26/53 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0143 ,  F21V17/02 ,  G04B17/066 ,  G04B17/345 ,  G04C3/12 ,  G04F5/063 ,  G04G17/02 ,  H01L41/0475 ,  H01L41/332 ,  H03H9/215

Abstract: 本发明涉及一种用于在基底中制造谐振器的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：a)改变基底的至少一个区域的结构，以使所述至少一个区域更具有选择性；b)蚀刻所述至少一个区域，以便选择性地制造所述谐振器。

公开(公告)号：CN104995130B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201480008678.2

申请日：2014-03-13

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·巴斯卡兰

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L23/12

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00015 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/0792 ,  H01L23/315 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 描述了一种形成集成的MEMS结构的方法。这些方法和结构可以包括：在第一衬底上形成至少一个MEMS结构；在管芯第一衬底的顶部表面上形成第一接合层；以及然后将设置在第一衬底上的第一接合层耦合到第二衬底，其中所述第二衬底包括器件层。该接合可以包括层转移工艺，其中形成集成的MEMS器件。

公开(公告)号：CN104344917B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410349914.9

申请日：2014-07-22

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 吉田隆司 ,  奥田修史 ,  岩井滋人

IPC: G01L1/10

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B3/0002 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/0285 ,  B81C1/00198 ,  B81C1/00293 ,  B81C2203/0145 ,  G01L1/14 ,  G01N29/12 ,  G01N2291/014 ,  G01N2291/02827 ,  H01L41/094 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/2463

Abstract: 本发明提供了一种谐振传感器、其制造方法以及一种用于谐振传感器的多层结构。该谐振传感器包括：单晶硅衬底；单晶硅谐振器，其设置在单晶硅衬底上方；由硅制成的壳体，其带间隙地围绕谐振器，并且与单晶硅衬底一起形成腔室；激励模块，其被配置为激发谐振器；振动检测模块，其被配置为检测谐振器的振动；第一层，其设置在腔室上方，该第一层具有通孔；第二层，其设置在第一层上方；第三层，其覆盖第一层和第二层；以及从第二层朝向谐振器延伸的突起，该突起在空间上与谐振器分离，该突起与第一层隔开第一间隙，第二层与第一层隔开第二间隙，第一间隙与第二间隙连通。

公开(公告)号：CN105917193A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480073695.4

申请日：2014-10-21

Applicant: 萨甘安全防护公司

Inventor： A·金洛伊 ,  P·恩夫罗伊

IPC: G01C19/574 ,  B81B3/00

CPC classification number: G01C19/574 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00547 ,  B81C2201/013 ,  G01C19/5733 ,  G01C19/5769

Abstract: 本发明涉及一种惯性传感器，包括框架和换能器，至少两个激振体通过弹性装置被连接到该框架以便在悬挂平面中是可移动的，所述换能器保持激振体振动并确定激振体相对于彼此的相对移动，其特征在于，所述激振体具有单一形状和单一质量，并且所述激振体包括互锁部件，这样激振体在彼此内部嵌套，同时在悬挂平面中相对于其他激振体是可移动的，同时激振体具有彼此重合的重心。本发明还涉及一种用于制造这种传感器的方法。

公开(公告)号：CN104995130A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201480008678.2

申请日：2014-03-13

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·巴斯卡兰

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L23/12

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00015 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/0792 ,  H01L23/315 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 描述了一种形成集成的MEMS结构的方法。这些方法和结构可以包括：在第一衬底上形成至少一个MEMS结构；在管芯第一衬底的顶部表面上形成第一接合层；以及然后将设置在第一衬底上的第一接合层耦合到第二衬底，其中所述第二衬底包括器件层。该接合可以包括层转移工艺，其中形成集成的MEMS器件。

公开(公告)号：CN104817052A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510053869.7

申请日：2015-02-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 蝦名昭彦

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00293 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0778

Abstract: 本发明涉及一种MEMS元件及其制造方法。该MEMS元件为了抑制从配置有MEMS部的空间的内壁上产生气体，而将MEMS部配置于至少由氮化硅膜和硅膜构成的空间中，所述硅膜具有第一孔，所述第一孔通过金属膜或金属硅化物而被填埋，通过所述金属膜或所述金属硅化物、所述氮化硅膜以及所述硅膜而形成气密结构。

公开(公告)号：CN104126153A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201280070384.3

申请日：2012-12-20

Applicant: 斯沃奇集团研究和开发有限公司

Inventor： T·黑塞勒 ,  S·达拉皮亚扎

IPC: G04F5/06 ,  G04G17/02 ,  B81C1/00 ,  G04B17/06 ,  G04C3/12

CPC classification number: H03H9/19 ,  B23K26/53 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0143 ,  F21V17/02 ,  G04B17/066 ,  G04B17/345 ,  G04C3/12 ,  G04F5/063 ,  G04G17/02 ,  H01L41/0475 ,  H01L41/332 ,  H03H9/215

Abstract: 本发明涉及一种用于在基底中制造谐振器的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：a)改变基底的至少一个区域的结构，以使所述至少一个区域更具有选择性；b)蚀刻所述至少一个区域，以便选择性地制造所述谐振器。

公开(公告)号：CN101946400B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN200880127024.6

申请日：2008-11-26

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·卢茨 ,  潘志宇 ,  A·帕特里奇

IPC: H03H3/007 ,  H03H9/02 ,  B81B3/00

CPC classification number: H03H9/02244 ,  B81B3/007 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0163 ,  H03H3/0076 ,  H03H9/02338 ,  H03H2009/0233 ,  H03H2009/02496 ,  H03H2009/02503

Abstract: 本发明提供一种微机电谐振器，所述微机电谐振器可以包括以体模式振动并且包括分别具有密度的第一多个区域以及分别具有密度的第二多个区域的一个或者多个谐振器块，所述第二多个区域中的每一个区域的所述密度与所述第一多个区域中的每一个区域的所述密度不同。可以将所述第二多个区域设置成非均匀结构。所述振动可以包括第一状态，在所述第一状态下，所述谐振器块至少部分沿第一和/或第二方向收缩，并且至少部分沿第三和/或第四方向膨胀，所述第二方向与所述第一方向相反，所述第四方向与所述第三方向相反。

公开(公告)号：CN103856179A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310567000.5

申请日：2013-11-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木原龙儿 ,  矢岛有继

IPC: H03H9/02

CPC classification number: B81B3/007 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  G01C19/5712 ,  H03H9/2405 ,  H03H9/2431 ,  H03H9/2436 ,  H03H2009/02354

Abstract: 本发明提供振子以及电子设备。作为课题，提供如下这样的振子：其能够进一步小型化且振动泄漏少，能够在制造工序中不导致可动电极产生粘连的情况下稳定地进行制造。MEMS振子（100）具有：基板（1）；设置在基板（1）的主面上的固定部（23）；从固定部（23）延伸出的支撑部（支撑梁22和连结梁21）；以及上部电极（20）（振动体），其以与基板（1）相离的方式被支撑部支撑，上部电极（20）在由于缺口部（30）而露出的从上部电极（20）的周缘部朝向上部电极（20）的中央部的上部电极（20）的侧面（31）上具有被连接部，所述缺口部（30）从上部电极（20）的周缘部朝向上部电极（20）的中央部而形成，被连接部与支撑部相连。

公开(公告)号：CN103716004A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310426060.5

申请日：2013-09-18

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木原龙儿

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/24

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/019 ,  H03B5/30 ,  H03H9/2457 ,  H03H2009/02251 ,  H03H2009/02488 ,  H03H2009/02511

Abstract: 本发明提供MEMS元件以及振荡器，能够使其它振动模式远离1次振动模式、并能够以期望的频率进行振荡。本发明的MEMS元件（100）包含基板（10）、形成在基板（10）上方的第1电极（20）以及第2电极（30），该第2电极具有形成在基板（10）上方的支承部（32）以及从支承部（32）延伸并以在与第1电极（20）之间具有空隙的状态形成且能够在基板（10）的厚度方向上进行振动的梁部（33），梁部（33）的宽度（W）随着从梁部（33）的根部（38）朝梁部（33）的前端（37）而变小，梁部（33）的中心的长度（L1）大于梁部（33）的端部（35a、36a）的长度（L2、L3），梁部（33）的根部（38）的宽度（W0）大于梁部（33）的中心的长度（L1）。