公开(公告)号：EP0486316A3

公开(公告)日：1992-09-23

申请号：EP91310550.8

申请日：1991-11-15

Applicant: NIKON CORPORATION

Inventor： Shiraishi, Naomasa

IPC: G03F7/20 ,  G02B27/00

CPC classification number: G03F9/7088 ,  G03F7/201 ,  G03F7/70066 ,  G03F7/70108 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70158 ,  G03F7/70208 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70333 ,  G03F7/70358

Abstract: A projection exposure apparatus consists of : an illumination optical system, including a light source, for irradiating a mask; a projection optical system for projecting a hyperfine pattern image on a substrate ; an optical integrator for illuminating the mask in a homogeneous illuminance distribution ; and a luminous flux distributing member for distributing the luminous fluxes from the integrator into two luminous fluxes in two different directions for focusing intensity distributions over the Fourier transform surface or the surface in the vicinity thereof on two portions part from the optical axis of the illumination optical system. An exposure method of exposing the mask patterns onto an exposed member comprises : a step of starting the exposure when setting a movable optical member in a first position ; a step of switching the movable optical member from the first position to a second position ; a step of shielding the illumination light during the switching process ; and a step of finishing the irradiation of the mask with the luminous fluxes when an exposure quantity reaches a preset value.

公开(公告)号：EP0477890A2

公开(公告)日：1992-04-01

申请号：EP91116309.5

申请日：1991-09-25

Applicant: CANON KABUSHIKI KAISHA

Inventor： Komatsu, Toshiyuki, Canon Kabushiki Kaisha ,  Sato, Yasue, Canon Kabushiki Kaisha ,  Kawate, Shin-Ichi, Canon Kabushiki Kaisha

IPC: G03F7/20 ,  C23C16/04 ,  H01L21/00 ,  G03F7/004

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C23C16/047 ,  G03F1/68 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2043 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/265 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  G03F7/7005 ,  G03F7/70841 ,  G03F7/70866 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/32 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32139

Abstract: A processing method comprises:
   a first step of depositing on a substrate which is a specimen a film of any one of a semiconductor, a metal and an insulator;
   a second step of subjecting the surface of the film deposited in the first step, to irradiation with a beam having a given energy to produce a physical damage on the surface;
   a third step of subjecting the film surface on which the physical damage is produced in the second step, to selective irradiation with light to partially cause a photochemical reaction so that a mask pattern depending on the desired device structure is formed on the film surface; and
   a fourth step of carrying out photoetching using as a shielding member the mask pattern formed in the third step.

Abstract translation: 一种处理方法包括：第一步骤，在作为样本的基板上沉积半导体，金属和绝缘体中的任一个的膜; 在第一步骤中沉积的膜的表面经受具有给定能量的光束照射以在表面上产生物理损伤的第二步骤; 在第二步骤中对产生物理损伤的膜表面进行第三步骤的选择性照射以部分地引起光化学反应，使得在膜表面上形成根据期望的器件结构的掩模图案; 以及第四步骤，使用在第三步骤中形成的掩模图案作为屏蔽部件进行光刻。

公开(公告)号：EP0361934A2

公开(公告)日：1990-04-04

申请号：EP89309915.0

申请日：1989-09-28

Applicant: CANON KABUSHIKI KAISHA

Inventor： Ohta, Hirohisa ,  Ozawa, Kunitaka ,  Kawakami, Eigo ,  Uzawa, Shunichi

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F9/7023 ,  G03F7/201

Abstract: An exposure method wherein a mask (8) and a semiconductor wafer (1) are disposed opposed to each other in a close proximity relation in respect to Z-axis direction and wherein a pattern of the mask is printed on each of different shot areas of the semiconductor wafer in a step-and-repeat manner, with a predetermined exposure energy, is disclosed. In this method, the spacing between the mask and the wafer for the paralleling of them is made larger than the spacing therebetween as assumed at the time of mask-to-wafer alignment in respect to X-Y plane or the spacing between the mask and the wafer as assumed at the time of exposure of the wafer to the mask. After the paralleling of the mask and the wafer, the mask and the wafer are relatively moved closer to each other in the Z-axis direction and the alignment and exposure is performed. This ensures that the alignment and exposure is effected at an optimum spacing while, on the other hand, contact of the mask and the wafer at the time of paralleling is precluded.

Abstract translation: 一种曝光方法，其中掩模（8）和半导体晶片（1）相对于Z轴方向以彼此靠得很近的关系设置，并且其中掩模的图案被印刷在每个不同的拍摄区域上 公开了具有预定曝光能量的分步重复方式的半导体晶片。 在该方法中，掩模和晶片之间的并联间距大于它们之间的间隔，如假设在掩模与晶片对准时相对于XY平面或掩模与晶片之间的间隔 如在将晶片暴露于掩模时所假定的那样。 在掩模和晶片平行之后，掩模和晶片在Z轴方向上相对地移动得更接近并且执行对准和曝光。 这确保了对准和曝光以最佳的间隔进行，而另一方面避免了并联时掩模和晶片的接触。

公开(公告)号：EP0124064A1

公开(公告)日：1984-11-07

申请号：EP84104579.2

申请日：1984-04-24

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Inventor： Diener, Heinz ,  Prasek, Jaroslav

IPC: C25D1/10 ,  G03F7/20

CPC classification number: C25D1/10 ,  G03F7/201

Abstract: Um galvanoplastische Flachteile mit rotations-unsymmetrischen, kegelförmigen Strukturen zu erzeugen, werden auf das mit Fotopolymer beschichtete Substrat während der Belichtung definierte Dreh- und Wippbewegungen übertragen. Dazu dient ein Taumelbelichtungsgerät, durch das die Neigung des Auflagetellers während einer kontinuierlichen Drehbewegung im 90°-Rhythmus geändert wird.

Abstract translation: 定义的旋转和摇摆运动在曝光期间传递到平坦物品，光聚合物涂覆的基底。 摇摆式曝光装置用于此目的，其在90度节奏中连续旋转运动期间改变支撑台的倾斜度。

公开(公告)号：EP0006459B1

公开(公告)日：1982-06-09

申请号：EP79101647.0

申请日：1979-05-29

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Inventor： Trausch, Günter-Elmar, Dipl.-Ing.

IPC: C25D1/10 ,  C25D1/08 ,  C23F1/08 ,  G03F7/20

CPC classification number: C03C17/06 ,  C03C2218/33 ,  C25D1/10 ,  G03F7/201

公开(公告)号：WO2017207005A1

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：PCT/DK2017/050177

申请日：2017-05-31

Applicant: GLUNZ & JENSEN

Inventor： JOERGENSEN, Soeren ,  KVISTGAARD, Kristian ,  JENSEN, Peter

IPC: B41N1/16

CPC classification number: G03F7/3064 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2022

Abstract: There is provided an apparatus for producing a flexographic printing plate in-line. The apparatus has a housing providing a closed environment for producing the plate, and a transport device based on a roller system for transporting the flexographic printing plate through the apparatus. Gripping devices hold the plate during the treatment process with UV LED exposure units, and a control unit regulates the power of the exposure units and the transport speed of the transport device, including the speed by which the gripping devices are moved.

Abstract translation: 提供了一种用于在线生产柔性版印刷版的设备。 该设备具有提供用于制造印版的封闭环境的壳体，以及基于用于将柔性印刷版通过该设备输送的辊系统的输送装置。 夹持装置在处理过程中用UV LED曝光单元固定印版，控制单元调节曝光单元的功率和输送装置的输送速度，包括夹持装置的移动速度。

公开(公告)号：WO2016096945A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/EP2015/079930

申请日：2015-12-16

Applicant: FLINT GROUP GERMANY GMBH

Inventor： FRONCZKIEWICZ, Peter ,  WENDLAND, Thorben ,  BEYER, Matthias

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/027 ,  G03F7/32 ,  G03F7/36

CPC classification number: G03F7/36 ,  G03F7/027 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2016 ,  G03F7/202 ,  G03F7/203 ,  G03F7/32 ,  G03F7/325

Abstract: Verfahren zur Herstellung von Flexodruckformen, bei dem man als Ausgangsmaterial ein fotopolymerisierbares Flexodruckelement einsetzt, welches übereinander angeordnet mindestens umfasst: - einen dimensionsstabilen Träger, und - mindestens eine fotopolymerisierbare reliefbildende Schicht, mindestens umfassend ein elastomeres Bindemittel, eine ethylenisch ungesättigte Verbindung und einen Fotoinitiator, - eine digital bebilderbare Schicht, und das Verfahren mindestens die folgenden Schritte umfasst: (a) Erzeugung einer Maske durch Bebilderung der digital bebilderbaren Schicht, (b) Belichtung der fotopolymerisierbaren reliefbildenden Schicht durch die Maske hindurch mit aktinischem Licht und Fotopolymerisation der Bildbereiche der Schicht, und (c) Entwicklung der fotopolymerisierten Schicht durch Auswaschen der nicht fotopolymerisierten Bereiche der reliefbildenden Schicht mit einem organischen Lösungsmittel oder durch thermische Entwicklung, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt (b) zwei oder mehrere Belichtungszyklen (b-1) bis (b-n) mit aktinischem Licht mit einer Intensität von 100 bis 10 000 mW/cm 2 aus einer Mehrzahl von UV-LEDs umfasst, wobei die pro Belichtungszyklusin die fotopolymerisierbare reliefbildende Schicht eingetragene Energie 0,1 bis 5 J/cm 2 beträgt.

Abstract translation: 一种用于生产柔性版印刷版的方法，其中所用的原料是其中布置一个在另一个之上的至少包括一个可光聚合的柔性版印刷部件的过程： - 一个尺寸稳定的支撑，和 - 至少一种可光聚合的凸版形成层，至少包括一个弹性体粘合剂，烯属不饱和化合物和光引发剂， - 一个数字成像层，并且所述方法包括至少以下步骤：（a）由所述数字成像层的成像形成掩模，（b）通过该掩模在光化光线和该层的图像区域的光聚合的光聚合性的凸版形成层的曝光和 （c）中通过显影用有机溶剂或通过热显影洗出在凸版形成层的非光聚合区域中的光聚合层，其特征在于所述步骤（ b）包括两个或从多个UV-LED的，具有从100至10,000毫瓦/厘米2的强度的多个曝光周期的（B-1）至（BN）于光化性光，其特征在于每Belichtungszyklusin能量输入0可光聚合的凸版形成层， 1至5焦耳/平方厘米。

公开(公告)号：WO2014206014A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：PCT/CN2013/088655

申请日：2013-12-05

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

Inventor： 万冀豫 ,  吴洪江 ,  黄常刚 ,  王耸 ,  张继凯

IPC: G03F7/24

CPC classification number: G03F7/201

Abstract: 公开了一种曝光装置、曝光系统和曝光方法。曝光装置包括：光源系统，其用于向待曝光基板（8）提供曝光光线。所提供的曝光光线为扩散光线，其经由掩模板（6）照射到待曝光基板（8）上，以将掩模板（6）的图案光刻到待曝光基板（8）上。从而，有效解决了大尺寸液晶显示装置基板制作过程中，因掩模板弯曲变形造成的基板上曝光图形尺寸偏差的问题，保证了基板图形关键尺寸准确性，进而改善了液晶显示装置的显示品质。

公开(公告)号：WO2014172402A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：PCT/US2014/034263

申请日：2014-04-16

Applicant: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY

Inventor： STRUEWE, Volker ,  LUETKE, Helmut ,  SCHWAN, Rolf

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/201 ,  B41C1/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2008 ,  G03F7/2014 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/2051 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/70858 ,  G03F7/70875

Abstract: The invention pertains to an exposure apparatus, a method for exposing a photosensitive element to radiation using the exposure apparatus, and a method for preparing a printing form from the photosensitive element. The exposure apparatus includes a base assembly having an exposure bed that supports the photosensitive element, and a lamp housing assembly having two or more lamps. The lamp housing assembly includes an air distribution assembly having an air chamber that is disposed adjacent to the lamps and pressurized to provide uniform distribution of air exiting the air chamber to impinge a backside of each of the lamps. The air exiting the chamber and impinging the lamps is controlled by monitoring the temperature of the lamps and/or the irradiance emitting from the lamps.

Abstract translation: 本发明涉及一种曝光装置，一种使用该曝光装置将光敏元件暴露于辐射的方法，以及一种从感光元件制备印刷形式的方法。 曝光装置包括具有支撑感光元件的曝光床的基座组件和具有两个或更多个灯的灯壳体组件。 灯壳体组件包括空气分配组件，该空气分配组件具有邻近灯并且被加压的空气室，以提供离开空气室的空气的均匀分布，以撞击每个灯的背面。 通过监视灯的温度和/或从灯发出的辐照度来控制离开室并撞击灯的空气。

公开(公告)号：WO2014006944A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：PCT/JP2013/059577

申请日：2013-03-29

Applicant: 株式会社ブイ・テクノロジー

Inventor： 梶山　康一 ,  橋本　和重 ,  新井　敏成

IPC: G03F7/20 ,  G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/133788 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/133753 ,  G02F2001/133757 ,  G03F7/201 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70308 ,  G03F7/70325 ,  G03F7/70358

Abstract: 　配向露光方式をマルチドメイン法に適用する場合に、単位画像領域の分割領域における境界付近の配向乱れを解消する。　液晶表示素子の各単位画像領域を複数の分割領域に分割し、各分割領域の配向材料膜をそれぞれ異なる方向に光配向する光配向露光装置１００であり、第１分割領域Ｄａ１を単独でプロキシミティ露光するための第１マスクＭ１及び第１露光装置１１と、第１分割領域Ｄａ１に隣接する第２分割領域Ｄａ２を単独でプロキシミティ露光するための第２マスクＭ２及び第２露光装置１２と、第１分割領域Ｄａ１と第２分割領域Ｄａ１の境界付近における第１分割領域Ｄａ１側の領域を露光するための第３マスクＭ３及び第３露光装置１３を備え、第３露光装置１３は、被露光面Ｂｓに対して第１露光装置１１又は第２露光装置１１と同じ光照射角度を備え、第３マスクＭ３のマスク開口と被露光面Ｂｓとの間に境界付近における第１分割領域Ｄａ１側の領域にマスク透過光を集光させる集光手段２０を備えた。

Abstract translation: 本发明的目的是在多域方法中使用取向曝光方案时，消除单位图像区域的分割区域的边界附近的取向中断。 光取向曝光装置（100）将用于液晶元件的单位图像区域划分为多个分割区域，并且对于每个分割区域的取向材料膜在相互不同的方向上进行光取向。 光取向曝光装置具有：用于第一分割区域（Da1）的独立接近曝光的第一掩模（M1）和第一曝光装置（11）; 用于与第一分割区域（Da1）相邻的第二分割区域（Da2）独立接近曝光的第二掩模（M2）和第二曝光装置（12）; 以及用于使第一分割区域（Da1）和第二分割区域（Da2）之间的边界的第一分割区域（Da1）侧的区域曝光的第三掩模（M3）和第三曝光装置（13）。 第三曝光装置（13）具有与暴露于与第一曝光装置（11）或第二曝光装置（12）的角度相同的光的表面（Bs）的光照射角度， 并且在所述第三掩模（M3）的掩模开口和要暴露于所述光的表面（Bs）之间设置聚光装置（20），所述聚光装置（20）用于聚集通过的光 在边界的第一分割区域（Da1）侧的区域中的掩模。