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公开(公告)号：CN100433388C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200580013481.9
申请日：2005-04-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/308
CPC classification number: H01L33/30 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L33/22 , H01L2224/48091 , Y10S438/964 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的发光元件的制造方法，是将具有发光层部24(具有由AlGaInP所组成的双异质结构)、以及GaP光取出层20(以本身的第一主表面成为晶圆的第一主表面的形式设置于发光层部上)的发光元件晶圆，以GaP光取出层的第一主表面成为(100)面的方式来制造。其是通过面粗糙用蚀刻液，将由该(100)面所形成的GaP光取出层20的第一主表面进行蚀刻，而形成面粗糙突起部40f；该蚀刻液，是含有醋酸、氢氟酸、硝酸、碘与水合计量在90%以上，且醋酸、氢氟酸、硝酸与碘的总质量含有率较水的质量含有率为高。由此，本发明可提供一种发光元件的制造方法，其具有以(100)作为主表面的GaP光取出层，且可轻易地在该(100)主表面进行面粗糙处理。
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公开(公告)号：CN101111946A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200680003703.3
申请日：2006-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , B23K1/0016 , B23K35/001 , B23K35/262 , B23K35/3013 , B23K2101/40 , H01L24/31 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L33/0079 , H01L33/30 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/29144 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/4823 , H01L2224/48463 , H01L2224/73257 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , H01L2924/0105 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 形成在发光元件1的化合物半导体层100第二主表面的第二电极16，具备接合合金化层31与焊料层34，该接合合金化层31与化合物半导体层100的第二主表面接触设置，同时用于降低与该化合物半导体层100的接合阻抗，该焊料层34用于将该接合金属层连接于通电支持体52。该焊料层34，是由设置在接合合金化层31侧、以Sn为主成分且熔点低于接合合金化层31的Sn系金属构成的Sn系焊料层34s，以及位在该Sn系焊料层34s的接合合金化层31的相反侧、与Sn系焊料层34s接触的Au－Sn系焊料层34m所构成，且该Au－Sn系焊料层34m含有30质量％～90质量％的Au、与10质量％～70质量％的Sn，Au与Sn的合计含有量大于或等于80质量％，且熔点高于Sn系焊料层34s。藉此，在以Au－Sn系焊料层进行安装为前提的发光元件中，提供一种Au－Sn系焊料层与接合合金化层之间具有更加优异的接合可靠性，进而不易产生Au－Sn系焊料层的剥离等现象的组件构造。
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公开(公告)号：CN1947269A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580013382.0
申请日：2005-04-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/308
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/30
Abstract: 本发明是对具有发光层部24、以及以结晶方位与该发光层部24一致的方式做积层的GaP透明半导体层20，90而成的发光元件晶圆，以GaP透明半导体层的侧面成为{100}面的方式进行切割来得到发光元件芯片；该发光层部，在以组成式(AlxGa1－x)yIn1－yP(其中，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的化合物中，以与GaAs晶格匹配的组成的化合物分别构成第一导电型包覆层6、活性层5以及第二导电型包覆层4，并依此顺序积层而形成双异质结构，且主表面为(100)面。藉此提供一种在具有AlGaInP发光层部与GaP透明半导体层的发光元件中，进行切割时不易产生边缘裂片等不良的制造方法。
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公开(公告)号：CN1291502C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN02806810.6
申请日：2002-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022433 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的OECO太阳能电池，其中每条凹槽的最小深度h总是满足关系式h≥W1tanθ，此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向，当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时，形成在一条在所有凹槽中具有最大深度凹槽的电极的低端部和没有在其上形成电极的同一凹槽的内侧面的上端部连接的一根直线，和垂直于厚度方向的参考线间的夹角，而W1代表在凹槽的两个开口边缘间的距离。根据本发明的第二方面的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。
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公开(公告)号：CN1274034C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN02131970.7
申请日：2002-08-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L24/32 , H01L33/22 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在GaP系半导体衬底70中，以p型层侧的主表面作为第一主表面10，以其相反侧的主表面作为第二主表面12。在第二主表面，借由研磨后用王水蚀刻来集中形成向半导体衬底70内侧突出的镜面状凹曲面51，以提高光全反射；另一方面，在半导体衬底70上除第一接触层62和第二主表面11的形成区域以外的区域中，借由实施异向性蚀刻来集中形成向外侧突出的凸曲面53，以降低光全反射。形成于第二主表面11上的第二接触层64(第二电极63)是用Au、Si及Ni所组成的合金形成，而形成于第一主表面10上的第一接触层62是用Au和Be或Zn的合金形成。借此，可提供出就算在间接跃迁型的发光形态也能充分的提高亮度的GaP系半导体发光组件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1791705A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200480013251.8
申请日：2004-04-02
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06
Abstract: 本发明涉及一种硅外延晶片(W)，其特征在于包含：单晶硅基材(1)，在其主表面(11)上具有COP(100)；和在单晶硅基材(1)的主表面(11)上通过气相外延生长形成的硅外延层(2)，其中所述主表面(11)相对于[100]轴沿着[011]方向或[0－1－1]方向从(100)平面倾斜θ角度，以及相对于[100]轴沿着[01－1]方向或[0－11]方向从(100)平面倾斜φ角度，且θ角和/或φ角是0°－15’。
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公开(公告)号：CN1779995A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510116112.4
申请日：2002-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/304
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的OECO太阳能电池，其中每条凹槽的最小深度h总是满足关系式h≥W1tanθ，此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向，当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时，形成在一条在所有凹槽中具有最大深度凹槽的电极的低端部和没有在其上形成电极的同一凹槽的内侧面的上端部连接的一根直线，和垂直于厚度方向的参考线间的夹角，而W1代表在凹槽的两个开口边缘间的距离。根据本发明的第二方面的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。
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公开(公告)号：CN1258232C
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN02804239.5
申请日：2002-01-30
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022425 , F24S30/425 , F24S2030/16 , H01L31/02 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H02S20/23 , H02S20/24 , H02S20/30 , Y02B10/12 , Y02E10/47 , Y02E10/50
Abstract: 太阳能电池组件60具有多个太阳能电池14，这些太阳能电池在其各个吸收光表面上具有多个平行的凹槽8，每个凹槽具有一在其横向一侧的内侧面(电极形成内侧面)上用于引出输出的电极5；并具有用于以整体化方式支撑太阳能电池14以使吸收光表面朝上的支架10、50。当考虑到各个所安装的太阳能电池14的吸收光表面水平面的倾斜角β和太阳能电池组件的安装位置的纬度6时，通过调整凹槽8的电极形成内侧面的安装方向可以增加年功率输出。这成功地提供了即使在太阳光斜向照射组件时也能均衡来自组件中各个太阳能电池的输出电流的太阳能电池组件。
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公开(公告)号：CN1675758A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819578.X
申请日：2003-08-21
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 岩渕美保
IPC: H01L21/76 , H01L27/12 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L27/1203
Abstract: 本发明提供一种SOI晶片的制造方法，是在成为原料晶片的2片晶片当中的至少一方的晶片上形成绝缘层，将该一方的晶片与另一方的晶片不使用胶粘剂地贴合的SOI晶片的制造方法，该绝缘层的表面的PV值在1.5nm以下。本发明在制造SOI晶片时可以抑制空孔的产生，生产效率高。
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公开(公告)号：CN1668786A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03816590.2
申请日：2003-07-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06
CPC classification number: H01L21/3225 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B25/20 , C30B29/06
Abstract: 本发明涉及外延生长用硅晶片，将通过柴克劳斯基法(CZochralski method－CZ法)掺杂氮，在至少晶片中心成为会发生空隙型缺陷的V区域的区域内培育的硅单晶加以切削，而制作成的硅晶片，是特征是在晶片表面出现的上述空隙型缺陷中，开口部尺寸是20nm以下的缺陷数目是0.02个/cm2以下的外延生长用硅晶片，及特征是在此外延生长用硅晶片的表面形成有外延层的外延晶片。由此，能够容易地以高生产性且低成本制成具有高吸杂能力、且在外延层上极少有对器件特性有不良影响的SF的高品质的外延晶片。
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