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公开(公告)号：CN1675758A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819578.X
申请日：2003-08-21
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 岩渕美保
IPC: H01L21/76 , H01L27/12 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L27/1203
Abstract: 本发明提供一种SOI晶片的制造方法，是在成为原料晶片的2片晶片当中的至少一方的晶片上形成绝缘层，将该一方的晶片与另一方的晶片不使用胶粘剂地贴合的SOI晶片的制造方法，该绝缘层的表面的PV值在1.5nm以下。本发明在制造SOI晶片时可以抑制空孔的产生，生产效率高。
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