公开(公告)号：TWI291817B

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：TW094124124

申请日：2005-07-15

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 侯文生 HOU, WEN SHENG

IPC: H04J

Abstract: 本發明揭露一種多載波通訊通訊-特別是正交分頻多工(OFDM)通訊系統-的殘餘頻率位移(RFO)補償方法及其系統。本發明的補償方法包含：在第一階段運算，每次只對目前OFDM資料符號之相位變化值作處理，進而得到殘餘頻率估測值，回授補償解調變載波；以及在第二階段運算，每次對複數個OFDM資料符號作運算以得到對應之殘餘頻率估測值，進而補償解調變載波。本發明的補償系統則包含：離散富利葉轉換單元，對接收的 OFDM訊號封包作離散富利葉轉換運算；相位變化偵測器，連接離散富利葉轉換單元以偵測複數個OFDM資料符號的相位變化值；以及殘餘頻率估測器，連接相位變化偵測器，根據上述的複數個資料符號之相位變化值與本發明提出的補償方法以取得殘餘頻率估測值。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种多载波通信通信-特别是正交频分复用(OFDM)通信系统-的残余频率位移(RFO)补偿方法及其系统。本发明的补偿方法包含：在第一阶段运算，每次只对目前OFDM数据符号之相位变化值作处理，进而得到残余频率估测值，回授补偿解调制载波；以及在第二阶段运算，每次对复数个OFDM数据符号作运算以得到对应之残余频率估测值，进而补偿解调制载波。本发明的补偿系统则包含：离散富利叶转换单元，对接收的 OFDM信号封包作离散富利叶转换运算；相位变化侦测器，连接离散富利叶转换单元以侦测复数个OFDM数据符号的相位变化值；以及残余频率估测器，连接相位变化侦测器，根据上述的复数个数据符号之相位变化值与本发明提出的补偿方法以取得残余频率估测值。

公开(公告)号：TWI281738B

公开(公告)日：2007-05-21

申请号：TW094131717

申请日：2005-09-14

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 許志岱 HSU, CHIH TAI ,  吳忠儒 WU, CHUNG JU

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/552 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/43826 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45686 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: 本發明揭露一種封裝結構與其封裝方法；此封裝結構具有基板、晶片、複數銅導線。基板具有至少一導電結構，銅導線表面具有一絕緣物質。晶片固定於基板上，其藉由包覆絕緣物質之銅導線電性連接晶片與導電結構，故可減少因導線接近與交疊所造成之電性干擾與短路。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种封装结构与其封装方法；此封装结构具有基板、芯片、复数铜导线。基板具有至少一导电结构，铜导线表面具有一绝缘物质。芯片固定于基板上，其借由包覆绝缘物质之铜导线电性连接芯片与导电结构，故可减少因导线接近与交叠所造成之电性干扰与短路。

公开(公告)号：TWI281613B

公开(公告)日：2007-05-21

申请号：TW094104690

申请日：2005-02-17

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 徐日明 HSU, R MING

IPC: G06F

CPC classification number: H04L1/1874 ,  H04L49/90

Abstract: 本發明係揭示一種具有資料完整性交易控制單元之可重組型資料傳輸埠及其執行方法，適用在一電腦化系統中。該控制單元更包含一埠設定偵測機制及一緩衝器設定次單元，其中該埠設定偵測機制能偵測各第一埠在傳輸頻寬變化下的設定狀態，如「合併」狀態或「分離」狀態。而該緩衝器設定次單元，則隨各第一埠的不同設定狀態，調配其對應之重送緩衝器。當一特定第一埠被設定為「合併」狀態時，該緩衝器設定次單元隨即將該特定第一埠所屬之重送緩衝器及其他第一埠所屬但未使用之各重送緩衝器組成一合併該些緩衝器儲存空間之緩衝器群組。當該特定第一埠傳輸一資料至一對應之第二埠時，該控制單元循序且完整地將該資料備份至該緩衝器群組。若該特定第一埠在一預設時間內，收到其對應之第二埠所回傳關於該資料之一不確認(NAK)訊息或是沒有收到任何訊息，該次單元將自該緩衝器群組重送該資料至該第二埠。若該特定第一埠確實收到該第二埠所回傳關於該資料之一確認(ACK)訊息，該次單元則會清除該緩衝器群組內之該資料。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭示一种具有数据完整性交易控制单元之可重组型数据传输端口及其运行方法，适用在一电脑化系统中。该控制单元更包含一端口设置侦测机制及一缓冲器设置次单元，其中该端口设置侦测机制能侦测各第一端口在传输带宽变化下的设置状态，如“合并”状态或“分离”状态。而该缓冲器设置次单元，则随各第一端口的不同设置状态，调配其对应之重送缓冲器。当一特定第一端口被设置为“合并”状态时，该缓冲器设置次单元随即将该特定第一端口所属之重送缓冲器及其他第一端口所属但未使用之各重送缓冲器组成一合并该些缓冲器存储空间之缓冲器群组。当该特定第一端口传输一数据至一对应之第二端口时，该控制单元循序且完整地将该数据备份至该缓冲器群组。若该特定第一端口在一默认时间内，收到其对应之第二端口所回传关于该数据之一不确认(NAK)消息或是没有收到任何消息，该次单元将自该缓冲器群组重送该数据至该第二端口。若该特定第一端口确实收到该第二端口所回传关于该数据之一确认(ACK)消息，该次单元则会清除该缓冲器群组内之该数据。

公开(公告)号：TWI281541B

公开(公告)日：2007-05-21

申请号：TW094125034

申请日：2005-07-22

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 顏文東 YEN, WEN DONG

IPC: G01R

Abstract: 本發明公開了一種改良測試實驗的裝置和方法，該裝置包含了一系統板和一強度模組，系統板內有一待測元件，強度模組則和待測元件連接，強度模組可以提供不同範圍的溫度和電壓給待測元件以進行測試。

Abstract in simplified Chinese: 本发明公开了一种改良测试实验的设备和方法，该设备包含了一系统板和一强度模块，系统板内有一待测组件，强度模块则和待测组件连接，强度模块可以提供不同范围的温度和电压给待测组件以进行测试。

公开(公告)号：TW200719464A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：TW094139831

申请日：2005-11-11

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 柯明道 KER, MING-DOU ,  李健銘 LEE, CHIEN-MING

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭露一種靜電放電保護電路,主要包含一堆疊MOS電路,一觸發電流產生電路。堆疊MOS電路之目的在於用作靜電電流的釋放路徑;而觸發電流產生電路之目的在於產生觸發信號以導通堆疊MOS電路,使堆疊MOS電路形成一釋放路徑以釋放靜電電壓。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种静电放电保护电路,主要包含一堆栈MOS电路,一触发电流产生电路。堆栈MOS电路之目的在于用作静电电流的释放路径;而触发电流产生电路之目的在于产生触发信号以导通堆栈MOS电路,使堆栈MOS电路形成一释放路径以释放静电电压。

公开(公告)号：TW200719274A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：TW094139823

申请日：2005-11-11

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 徐日明 HSU, R-MING

IPC: G06T

Abstract: 一種像素處理系統及方法,包含暫存器收集機制及像素著色器,暫存器收集機制將第一程式修正成第二程式,第一程式設有複數第一暫存器,且第二程式具有第一程式中部分的第一暫存器,像素著色器執行第二程式。將設有第一指令之第一程式載入至暫存器收集機制中;掃描第一指令;對第一指令作解碼,以形成第一暫存器編號;將第一暫存器編號對應至暫存器對應表中的第二暫存器編號;及修正第一程式,以重新配置第一程式中第一暫存器編號,形成具有複數第二指令之第二程式。本發明利用特定的暫存器數量處理更多的像素,改善材質指令的延遲時間。

Abstract in simplified Chinese: 一种像素处理系统及方法,包含寄存器收集机制及像素着色器,寄存器收集机制将第一进程修正成第二进程,第一进程设有复数第一寄存器,且第二进程具有第一进程中部分的第一寄存器,像素着色器运行第二进程。将设有第一指令之第一进程加载至寄存器收集机制中;扫描第一指令;对第一指令作译码,以形成第一寄存器编号;将第一寄存器编号对应至寄存器对应表中的第二寄存器编号;及修正第一进程,以重新配置第一进程中第一寄存器编号,形成具有复数第二指令之第二进程。本发明利用特定的寄存器数量处理更多的像素,改善材质指令的延迟时间。

公开(公告)号：TWI275028B

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：TW091115786

申请日：2002-07-16

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 呂忠晏 LU, CHUNG YEN

IPC: G06F

Abstract: 一種浮點數的對數運算裝置，用於獲得一浮點數X以p為底的一對數運算結果，該浮點數X的表示法為(-1)Sx‧2Ex‧Mx，其中Mx=(1+fx)=(1+Ax‧2-K)+(Bx‧2-N)，Sx為該浮點數的符號數、Ex為該浮點數的指數、Mx為該浮點數的尾數且1≦Mx

Abstract in simplified Chinese: 一种浮点数的对数运算设备，用于获得一浮点数X以p为底的一对数运算结果，该浮点数X的表示法为(-1)Sx‧2Ex‧Mx，其中Mx=(1+fx)=(1+Ax‧2-K)+(Bx‧2-N)，Sx为该浮点数的符号数、Ex为该浮点数的指数、Mx为该浮点数的尾数且1≦Mx<2、fx为N比特的分数，Ax为fx中最显着之K比特的值，Bx为fx中最不显着之(N-K)比特的值，0≦K

公开(公告)号：TW200709252A

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：TW094128527

申请日：2005-08-19

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 吳忠儒 WU, CHUNG JU ,  邱政芳 CHIU, CHENG FANG

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/485 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5382 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0293 ,  H05K2201/0305 ,  H05K2203/173

Abstract: 一種封裝基板上之電路功能切換開關與切換方法,係用以切換積體電路晶片之功能。該切換開關包含一第一連接點、一第二連接點、以及一導電層。切換方法係利用上銲料製程來完成。

Abstract in simplified Chinese: 一种封装基板上之电路功能切换开关与切换方法,系用以切换集成电路芯片之功能。该切换开关包含一第一连接点、一第二连接点、以及一导电层。切换方法系利用上焊料制程来完成。

公开(公告)号：TW200703613A

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：TW094124123

申请日：2005-07-15

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 柯明道 KER, MING-DOU ,  李健銘 LEE, CHIEN-MING

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L23/60 ,  H01L24/06 ,  H01L27/0251 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明公開了一種新的靜電放電滙流排指環結構,其中的指環包含了複數個金屬層,金屬層和金屬層之間可由導電插塞(conductive plug)電性連接,藉著佈局(layout)可以用氧化區將指環分隔出互相不電性連接的兩個指環區域,其中一個指環區域是Vss靜電放電滙流排,另一個指環區域是Vdd靜電放電滙流排。

Abstract in simplified Chinese: 本发明公开了一种新的静电放电汇流排指环结构,其中的指环包含了复数个金属层,金属层和金属层之间可由导电插塞(conductive plug)电性连接,借着布局(layout)可以用氧化区将指环分隔出互相不电性连接的两个指环区域,其中一个指环区域是Vss静电放电汇流排,另一个指环区域是Vdd静电放电汇流排。

公开(公告)号：TWI269239B

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：TW091104074

申请日：2002-03-05

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 呂忠晏 LU, CHUNG YEN ,  姚若壇 YAO, JO TAN

IPC: G06T

CPC classification number: G06T11/203

Abstract: 一種快速畫線方法，首先，接收一起始點位置與一結束點位置。接著，依據起始點位置與結束點位置決定一連續點值，並決定一目標像素位置與一繪製像素位置。若繪製像素位置之第二軸座標值不相等於目標像素位置之第二軸座標值，沿繪製像素位置之第一軸方向由繪製像素位置決定數目為連續點值之像素位置。最後，連續繪製分別相應像素位置之像素。

Abstract in simplified Chinese: 一种快速画线方法，首先，接收一起始点位置与一结束点位置。接着，依据起始点位置与结束点位置决定一连续点值，并决定一目标像素位置与一绘制像素位置。若绘制像素位置之第二轴座标值不相等于目标像素位置之第二轴座标值，沿绘制像素位置之第一轴方向由绘制像素位置决定数目为连续点值之像素位置。最后，连续绘制分别相应像素位置之像素。