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公开(公告)号：CN118120034A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202280007548.1
申请日：2022-09-30
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的自旋电感器具有第一电感器层、第一端子以及第二端子。第一电感器层具备第一配线层、和与第一配线层相接的第一铁磁性层。第一端子与第一电感器层的第一侧面相接。第二端子与第一电感器层的与第一侧面不同的第二侧面相接。将上述第一侧面的上端边和下端边相连的假想面相对于上述层叠方向倾斜。
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公开(公告)号：CN118098824A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311580669.8
申请日：2023-11-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的层叠电子部件具有：元件主体，其具有交替层叠有内侧电介质层和内部电极层的内装区域、以及位于所述内装区域的层叠方向的外侧的外装区域；以及一对外部电极，其在元件主体的表面与内部电极层连接，将内装区域的层叠方向的中心的第3区域中的RE之中摩尔比最高的元素设为RA，将外装区域的层叠方向的中心的第1区域中的RE之中摩尔比最高的元素设为RB，RA和RB是不同的元素，DRAa、DRAb和DRAc满足DRAa
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公开(公告)号：CN114325512B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210048813.2
申请日：2018-03-19
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的磁场检测装置具备：基体；第一轭，设置在基体上，包括沿着第一面扩展的第一主面、与第一主面平行且不同于第一主面的第二主面和连接第一主面与第二主面的第一端面；以及磁阻效应元件，设置在基体上，包括磁化自由层，该磁化自由层配置于在与第一主面平行的第一方向上与第一轭重叠的位置，第一端面以在与第一主面正交的第二方向上越远离基体越接近磁化自由层的中心点的方式延伸，并且包括对第一主面倾斜的倒锥形面，磁化自由层的中心点、与第一主面和第一端面交叉的第一边线的距离，比磁化自由层的中心点、与第二主面和第一端面交叉的第二边线的距离小，磁化自由层具有沿着与第一方向和第二方向正交的第三方向的易磁化轴。
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公开(公告)号：CN112242387B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010677861.9
申请日：2020-07-15
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的电子元器件封装件是具有包括相邻的第一边和第二边的外缘的电子元器件封装件。该电子元器件封装件具备：第一电子元器件芯片；第二电子元器件芯片，与第一电子元器件芯片分开设置；1个以上的第一端子，沿着第一边配置；1个以上的第二端子，沿着第二边配置；以及1个以上的第一导体，使1个以上的第一端子与第一电子元器件芯片连接，而没有使1个以上的第一端子与第二电子元器件芯片连接。
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公开(公告)号：CN118076211A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410413558.6
申请日：2018-10-31
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件。本实施方式的自旋轨道转矩型磁化旋转元件包括沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和位于所述自旋轨道转矩配线的一个面的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线的侧面和所述第一铁磁性层的侧面在任一侧面形成连续的倾斜面。本发明在制作时能够抑制杂质再附着，使写入电流容易流动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111937095B
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN201980023125.7
申请日：2019-03-27
Applicant: TDK 株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 本发明的一个方式为钐‑铁‑氮系磁铁粉末，其特征在于，具有：主相，包含钐和铁；及副相，包含钐、铁、及从由锆、钼、钒、钨及钛组成的群中选出的一种以上的元素，该副相的稀土类元素与铁族元素的原子个数比大于所述主相的稀土类元素与铁族元素的原子个数比。所述主相的表面的至少一部分被所述副相进行了覆盖。
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公开(公告)号：CN113450984B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202011387605.2
申请日：2020-12-02
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种永久磁铁，其含有稀土元素R(Nd等)、过渡金属元素T(Fe等)、B、Zr和Cu，永久磁铁具有含有Nd、T和B的主相颗粒和晶界多重点，一个晶界多重点为由三个以上的主相颗粒包围的晶界，一个晶界多重点包含ZrB2的结晶和含有R及Cu的富R－Cu相，Fe包含于ZrB2的结晶中，包含ZrB2的结晶和富R－Cu相这两者的一个晶界多重点中的Nd和Pr的浓度的合计高于主相颗粒中的Nd和Pr的浓度的合计，包含ZrB2的结晶和富R－Cu相这两者的一个晶界多重点中的Cu的浓度高于主相颗粒中的Cu的浓度，Nd、Pr和Cu各自的浓度的单位为原子％。
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公开(公告)号：CN112687444B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202011077984.5
申请日：2020-10-10
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及一种铁氧体烧结磁铁以及具备其的旋转电机。铁氧体烧结磁铁(100)具备M型铁氧体晶粒(4)及被三个以上的M型铁氧体晶粒(4)包围的多晶粒晶界(6b)。铁氧体烧结磁铁(100)至少含有Fe、Ca、B、及Si，以B2O3换算含有0.005～0.9质量％的B。多晶粒晶界(6b)含有Si及Ca，在将多晶粒晶界(6b)中的Ca相对于Si的摩尔比表示为(Ca/Si)G的情况下满足下式。0.1＜(Ca/Si)G＜0.9。
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公开(公告)号：CN118043635A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202180102998.4
申请日：2021-10-07
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种应变电阻膜用层叠电极等，其在使用含有Cr和Al的膜作为应变电阻膜的情况下，即使在暴露于高温环境之后，也能够实现相对于配线的良好的粘合力。所述层叠电极设置于应变电阻膜上，其中，所述应变电阻膜含有Cr和Al，所述层叠电极具有重叠于所述应变电阻膜上的接触层、重叠于所述接触层上的防扩散层以及重叠于所述防扩散层上的安装层，所述防扩散层含有属于第五周期及第六周期的过渡元素。
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公开(公告)号：CN117998967A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311440168.X
申请日：2023-11-01
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供了一种磁致伸缩常数dλ/dH大，并且能够进一步降低阈值磁场HTH的磁致伸缩膜和具有该磁致伸缩膜的电子器件。该磁致伸缩膜是在与膜厚的方向垂直的横截面，网眼状地观察到有助于铁磁性的特定元素比周围更富集的富集区域的磁致伸缩膜。
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