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公开(公告)号：CN118098824A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311580669.8
申请日：2023-11-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的层叠电子部件具有：元件主体，其具有交替层叠有内侧电介质层和内部电极层的内装区域、以及位于所述内装区域的层叠方向的外侧的外装区域；以及一对外部电极，其在元件主体的表面与内部电极层连接，将内装区域的层叠方向的中心的第3区域中的RE之中摩尔比最高的元素设为RA，将外装区域的层叠方向的中心的第1区域中的RE之中摩尔比最高的元素设为RB，RA和RB是不同的元素，DRAa、DRAb和DRAc满足DRAa
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公开(公告)号：CN114907114B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202210098626.5
申请日：2022-01-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/465 , C04B35/49 , C04B35/48 , H01G4/30 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种温度特性、相对介电常数及高温负荷寿命良好的电介质组合物等。电介质组合物包含主相粒子，所述主相粒子包含具有以通式ABO3表示的钙钛矿型晶体结构的主成分。主相粒子的至少一部分具有核壳结构。电介质组合物含有RA、RB、M及Si。A、B、RA、RB、M为选自特定的元素组中的1种以上的元素。在电介质组合物中，在将RA相对于主成分的含量以RA2O3换算设为CRA摩尔％，将RB相对于所述主成分的含量以RB2O3换算设为CRB摩尔％，且将核壳结构的壳部中的RA的平均含量设为SRA摩尔％，并将RB的平均含量设为SRB摩尔％的情况下，SRA/SRB＞CRA/CRB。
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公开(公告)号：CN114914086A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210101778.6
申请日：2022-01-27
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种密度高，相对介电常数、电阻率及高温负荷寿命均良好的电介质组合物等。一种电介质组合物，其具有主相、第一偏析相以及第二偏析相。主相包含具有由ABO3(A为选自Ba、Sr及Ca中的一种以上，B为选自Ti、Zr及Hf中的一种以上)表示的钙钛矿型晶体结构的主成分。第一偏析相包含RE(RE为选自稀土元素中的一种以上)、A、Si、Ti及O。第二偏析相包含RE、A、Ti及O，且实质上不包含Si。在电介质组合物的截面中，将第一偏析相的面积比例设为S1，将第二偏析相的面积比例设为S2，0.10
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公开(公告)号：CN113443909A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110260296.0
申请日：2021-03-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/628
Abstract: 本发明提供具有良好的温度特性且在高温·高电场下具有高可靠性的电介质陶瓷组合物及电子部件。一种电介质陶瓷组合物，具有钛酸钡、R元素的氧化物、M元素的氧化物及包含Si的氧化物。R元素为选自Eu、Gd、Tb、Dy、Y、Ho及Yb中的一种以上的元素，M元素为选自Mg、Ca、Mn、V及Cr中的一种以上的元素，以R2O3换算计的上述R元素的氧化物的含量和以SiO2换算计的包含Si的氧化物的含量之比包含于0.8：1～2.2：1之间，以MO换算计的M元素的氧化物的含量和以SiO2换算计的包含Si的氧化物的含量之比包含于0.2：1～1.8：1之间。构成电介质陶瓷组合物的电介质颗粒的个数的50％以上为具有核壳结构的核壳电介质颗粒。
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公开(公告)号：CN117524731A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310909096.2
申请日：2023-07-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种层叠电子部件，其具有：元件主体，其具有交替层叠有内侧电介质层和内部电极层的内装区域和位于内装区域的层叠方向的外侧的外包装区域；以及一对外部电极，它们在元件主体的表面上与内部电极层连接，该层叠电子部件中，内侧电介质层及外包装区域的外侧电介质层包含具有主相颗粒以通式ABO3表示的钙钛矿型结晶结构的主成分，CRE为0.90摩尔份以上3.60摩尔份以下，CM为0.20摩尔份以上1.20摩尔份以下，CSi为0.60摩尔份以上1.80摩尔份以下，在将构成内侧电介质层的主相颗粒的平均粒径设为r1，将构成外侧电介质层的主相颗粒的平均粒径设为r2时，r1及r2满足r1＜r2＜r1×4.0的关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114907114A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210098626.5
申请日：2022-01-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/465 , C04B35/49 , C04B35/48 , H01G4/30 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种温度特性、相对介电常数及高温负荷寿命良好的电介质组合物等。电介质组合物包含主相粒子，所述主相粒子包含具有以通式ABO3表示的钙钛矿型晶体结构的主成分。主相粒子的至少一部分具有核壳结构。电介质组合物含有RA、RB、M及Si。A、B、RA、RB、M为选自特定的元素组中的1种以上的元素。在电介质组合物中，在将RA相对于主成分的含量以RA2O3换算设为CRA摩尔％，将RB相对于所述主成分的含量以RB2O3换算设为CRB摩尔％，且将核壳结构的壳部中的RA的平均含量设为SRA摩尔％，并将RB的平均含量设为SRB摩尔％的情况下，SRA/SRB＞CRA/CRB。
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公开(公告)号：CN114914085B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210099142.2
申请日：2022-01-27
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种密度高，相对介电常数、电阻率及高温负荷寿命均良好的电介质组合物等。电介质组合物包含主相和含有稀土元素RE的偏析相。主相包含具有以ABO3(A为选自Ba、Sr及Ca中的一种以上，B为选自Ti、Zr及Hf中的一种以上)表示的钙钛矿型结晶结构的主成分。将偏析相中、Si相对于RE的原子数比为0以上且0.20以下的偏析相设为第一偏析相，将Si相对于RE的原子数比超过0.20的偏析相设为第二偏析相。在电介质组合物的截面中，在将第一偏析相的面积比例设为S1，将第二偏析相的面积比例设为S2的情况下，0≤S1/S2≤0.10。第二偏析相中的Si相对于RE的原子数比平均为0.80以下。
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公开(公告)号：CN113443909B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110260296.0
申请日：2021-03-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/628
Abstract: 本发明提供具有良好的温度特性且在高温·高电场下具有高可靠性的电介质陶瓷组合物及电子部件。一种电介质陶瓷组合物，具有钛酸钡、R元素的氧化物、M元素的氧化物及包含Si的氧化物。R元素为选自Eu、Gd、Tb、Dy、Y、Ho及Yb中的一种以上的元素，M元素为选自Mg、Ca、Mn、V及Cr中的一种以上的元素，以R2O3换算计的上述R元素的氧化物的含量和以SiO2换算计的包含Si的氧化物的含量之比包含于0.8：1～2.2：1之间，以MO换算计的M元素的氧化物的含量和以SiO2换算计的包含Si的氧化物的含量之比包含于0.2：1～1.8：1之间。构成电介质陶瓷组合物的电介质颗粒的个数的50％以上为具有核壳结构的核壳电介质颗粒。
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公开(公告)号：CN114907113A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210098616.1
申请日：2022-01-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/465 , C04B35/48 , C04B35/49 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种温度特性、相对介电常数及高温负荷寿命良好的电介质组合物等。电介质组合物包含主相粒子和偏析粒子，主相粒子包含具有以通式ABO3表示的钙钛矿型晶体结构的主成分。电介质组合物含有RA、RB、M及Si。A、B、RA、RB、M为选自特定的元素组中的1种以上的元素。RA相对于主成分的含量CRA、RB相对于主成分的含量CRB、M相对于主成分的含量、Si相对于主成分的含量在规定的范围内。在将偏析粒子中主要含有RA、RB、Si、Ba及Ti的特定偏析粒子中的RA的平均含量设为α摩尔％，将RB的平均含量设为β摩尔％的情况下，0.50＜(α/β)/(CRA/CRB)≤1.00。
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公开(公告)号：CN114914086B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202210101778.6
申请日：2022-01-27
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种密度高，相对介电常数、电阻率及高温负荷寿命均良好的电介质组合物等。一种电介质组合物，其具有主相、第一偏析相以及第二偏析相。主相包含具有由ABO3(A为选自Ba、Sr及Ca中的一种以上，B为选自Ti、Zr及Hf中的一种以上)表示的钙钛矿型晶体结构的主成分。第一偏析相包含RE(RE为选自稀土元素中的一种以上)、A、Si、Ti及O。第二偏析相包含RE、A、Ti及O，且实质上不包含Si。在电介质组合物的截面中，将第一偏析相的面积比例设为S1，将第二偏析相的面积比例设为S2，0.10
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