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公开(公告)号：KR1019960025193A
公开(公告)日：1996-07-20
申请号：KR1019940034656
申请日：1994-12-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
영상처리시스템에 있어서 오차확산을 이용한 이진화 처리방법 및 회로에 관한 것으로, 특히 그 처리속도를 개선할 수 있는 방법 및 회로에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
기존의 오차확산 방법은 주변의 오차를 일정 비율로 현재의 화소 밝기값에 확산하여 이진화 처리를 하므로 확산되는 량을계산하는데 시간이 걸리고, 고속영상처리를 해야 하는 팩시밀리나 디지탈 복사기에서는 프로세서의 처리속도가 높아도 이진화하는데 여전히 많은 시간을 소모하는 바 이를 해소하고자 한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
오차를 이용하여 이진화 처리를 행함에 있어 2개 이상의 프로세서를 이용하여 2줄 이상을 동시에 병렬처리 하도록 구성한다. 즉, 오차확산을 이용하여 영상신호를 이진화하는 다수의 프로세서를 구비한 이진화처리회로에 있어서, 입력화상을 저장하기 위한 입력화상메모리와, 임의의 한 프로세서에서 다른 프로세서로 오차를 전달하기 위한 오차저장메모리와, 현재처리중인 화소의 가로 및 세로 위치를 나타내는 라인카운트값 및 화소카운트값을 발생하는 카운터와, 상기 라인 카운트값과 화소 카운트값을 비교하여 각 프로세서에 라인처리 시작신호와 화소처리 시작신호를 제공하기 위한 프로세서 제어부와, 상기 다수의 프로세서가 상기 입력화상메모리로부터 데이타를 읽거나 상기 입력화상메모리에 데이타를 쓸 수 있도록 어드레스 및 데이타버스를 멀티플랙싱하기 위한 메모리제어부로 구성한다.
4. 발명의 중요한 용도
화상처리용 프로세서, 팩시밀리, 복사기등에서 오차를 이용한 화상데이타 이진화회로의 구현에 사용된다.-
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公开(公告)号：KR1019950010081A
公开(公告)日：1995-04-26
申请号：KR1019930019949
申请日：1993-09-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 신뢰성있는 고집적 반도체장치 및 그 제조방법이 개시되어 있다.
반도체기판의 활성영역 내에 형성된 트랜치와, 상기 트랜치의 측면부 및 저부 상에 형성된 절연막과, 상기 절연막을 개재하여 상기 트랜치의 내부를 매립하는 도전층을 구비하는 트랜치 커패시터와, 상기 트랜치의 동일 수직선 상에 형성된 게이트전극과, 상기 게이트전극의 측면부에 형성된 게이트절연막과, 상기 트랜치의 양측면부에 인접한 상기 반도체기판의 표면에 형성되는 제1불순물영역과, 상기 게이트전극의 양쪽 또는 어느 한쪽의 상기 제1불순물영역 상에 형성되는 에피택시얼 반도체층과, 상기 에피택시얼 반도체층의 상부 표면에 형성된 제2불순물영역을 구비하는 버티컬 트랜지스터를 포함한다.
소자의 전기적 특성 및 신뢰성의 저하없이 반도체 메모리 장치의 집적도를 증가시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR100084003B1
公开(公告)日：1995-04-13
申请号：KR1019910017127
申请日：1991-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재호
IPC: H01L21/335
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019940010543B1
公开(公告)日：1994-10-24
申请号：KR1019910017127
申请日：1991-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재호
IPC: H01L21/335
Abstract: forming a gate isolating film (20), a poly silicon layer (30), and an oxide film (40); etching the oxide film (40) and the poly silicon layer (30) to leave a thin poly layer (32); using the gate poly (34) as a mask to forming a first source and drain domain (n-) by injecting impurities; forming a first spacer (50) on the side wall of the gate poly (34); using the first spacer (50) as a mask to form a second source and drain domain (no); etching the thin poly layer (32) to form a second spacer (60) on the side wall of the first spacer; using the second spacer (60) as a mask to form a third source and drain domain (n+).
Abstract translation: 形成栅极隔离膜（20），多晶硅层（30）和氧化膜（40）; 蚀刻氧化膜（40）和多晶硅层（30）以留下薄的多晶硅层（32）; 使用栅极聚（34）作为掩模，通过注入杂质形成第一源区和漏区（n-）; 在所述栅极聚（34）的侧壁上形成第一间隔物（50）; 使用第一间隔物（50）作为掩模形成第二源极和漏极结构域（No）; 蚀刻所述薄多晶硅层（32）以在所述第一间隔物的侧壁上形成第二间隔物（60）; 使用第二间隔物（60）作为掩模以形成第三源极和漏极结构域（n +）。
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公开(公告)号：KR1019930018924A
公开(公告)日：1993-09-22
申请号：KR1019920002852
申请日：1992-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N1/00
Abstract: 입력 영상을 겨치지 않게 2행 2열 마스크를 좌측 상단에서 우측 상단까지 씌우고 각 마스트에 대하여 3행3열로 해상도를 변환하는 방법에 관한 것이다. ]
수직 방향으로 짝수번째 마스크이면 3행 3열의 1행을 제1화소의 중간밝기, 제2화소의 밝기로 변화하고 상기 마스크가 수평방향으로도 짝수번째 마스크이고 제1 및 제2화소가 흑이면 2행을 백, 흑, 백 밝기로 변환하고 상기 제1및 제2화소중 어느 하나가 흑이 아니면 2행을 제1화소의 밝기, 제1 및 제2화소중 어느 하나가 흑이 아니면 2행을 제1화소의 밝기, 제1 및 제2화소의 중간밝기, 제2화소의 밝기로 변환하며 3행을 제3화소의 밝기, 제3및 제4화소의 중간밝기, 제4화소의 밝기로 변화하는 수직 방향으로 홀수번째 마스크이면 3행 3열의 1행을 제1화소의 밝기, 제1 및 제2화소의 중간밝기, 제2화소의 밝기로 변환하며 상기 마스크가 수평 방향으로 짝수번째 마스크이고 제3및 제4화소가 흑이면 2행을 흑, 백, 흑으로 변환하며 상기 마스크가 수평방향으로 홀수번째 마스크이고 제3및 제4화소가 흑이면 2행을 백, 흑, 백으로 변환하고 상기 제3 및 제4화소중 어느 하나가 흑이 아니면 2행을 제1화소의 밝기, 제1 및 제4화소의 중간밝기, 제2화소의 밝기로 변환하며 3행을 제3화소의 밝기, 제3 및 제4화소의 중간 밝기, 제4화소의 밝기로 변환하여 해상도를 높임으로써 화질을 개선한다. -
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