표면 활성화 접합법을 이용한 극박-금속 정밀층상복합소재 제조 방법
    131.
    发明授权
    표면 활성화 접합법을 이용한 극박-금속 정밀층상복합소재 제조 방법 有权
    表面活化键合法制备超薄金属精密层状复合材料

    公开(公告)号:KR101059184B1

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:KR1020080104372

    申请日:2008-10-23

    Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 SAB(Surface Activated Bonding) 공정에 의한 정밀층상복합소재의 제조방법은 제1 금속박과 제2 금속박을 각각 제1 챔버에 장입 및 고정하는 단계, 제 1챔버와 제 2챔버의 초기 진공과 고진공을 유도하는 단계, 제1 금속박 및 제2 금속박의 표면에 각각 플라즈마를 조사하여 표면활성화 처리를 수행하는 단계, 제1 금속박 및 제2 금속박을 제2 챔버로 이송하여 플라즈마 처리된 제1 금속박과 제2 금속박을 저압 압연하는 단계를 포함한다.
    표면 활성화 접합(SAB), 정밀층상복합소재(Fine Clad), 표면활성화, 저압압연, FIOG

    Abstract translation: 根据根据本发明的一个实施例过程的SAB(表面活性化接合)的微细层状复合材料的制造方法,包括分别装载的步骤和固定到所述第一金属箔和第二金属箔,所述第一室和所述第二腔室中的第一腔室 诱导初始真空并在高真空中,第一金属箔和转印步骤中,第一金属箔和由每个等离子体照射到所述第二金属箔的表面到所述第二室的等离子体处理进行表面活化处理的第二金属箔的 并且低压压延第一金属箔和第二金属箔。

    동박 소재의 미세조직을 이용한 인쇄회로기판의 미세회로 형성방법
    132.
    发明公开
    동박 소재의 미세조직을 이용한 인쇄회로기판의 미세회로 형성방법 有权
    形成铜箔微结构的方法及形成印刷电路板精细图案的方法

    公开(公告)号:KR1020100123555A

    公开(公告)日:2010-11-24

    申请号:KR1020090042839

    申请日:2009-05-15

    Abstract: PURPOSE: A method for forming fine structure of copper foil and a method for forming fine pattern of printed circuit board are provided to implement a high etching factor by controlling the thermal process. CONSTITUTION: A micro-structure formation method of the copper foil material is prepared as followings: a copper-clad laminate including the copper foil layer is heat-treated at a temperature of 100~250 degree Celsius for 0.1 ~ 2 hours; the copper foil layer is copper plating layer or the electrolysis copper plating layer; the thermal process is performed 2~10 times; the particle size is around 1~5μm. The method of fabrication fine circuit of the printed circuit board is as followings: a step forming the copper foil layer in the upper part of insulation circuit; a step of heat-treating the copper foil layer for 0.1~2 hours at a temperature of 100~250 degree Celsius; a step forming the circuit pattern of the copper foil layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种形成铜箔精细结构的方法和印刷电路板精细图案的形成方法,通过控制热处理来实现高蚀刻率。 构成:铜箔材料的微结构形成方法如下制备:将包含铜箔层的覆铜层压板在100-250℃的温度下热处理0.1〜2小时; 铜箔层是铜镀层或电解铜镀层; 热处理2〜10次; 粒径约1〜5μm。 印刷电路板的精细电路的制造方法如下:在绝缘电路的上部形成铜箔层的步骤; 在100〜250摄氏度的温度下对铜箔层进行0.1〜2小时的热处理的工序; 形成铜箔层的电路图案的步骤。

    표면 활성화 접합법을 이용한 극박-금속 정밀층상복합소재 제조 방법
    133.
    发明公开
    표면 활성화 접합법을 이용한 극박-금속 정밀층상복합소재 제조 방법 有权
    用SAB(表面活性键合)工艺制造精细粘合剂的方法

    公开(公告)号:KR1020100045264A

    公开(公告)日:2010-05-03

    申请号:KR1020080104372

    申请日:2008-10-23

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a fine clad by SAB(Surface Activated Bonding) is provided to enable a process at room temperature and to obtain a fine clad with strong electrical characteristics while maintaining a property of a specific material. CONSTITUTION: A method for manufacturing a fine clad by SAB comprises the steps of: loading and fixing first and second metal films in a first chamber(S10), inducing an initial high vacuum of first and second chambers(S20), irradiating plasma to the surfaces of the metal films for surface activation(S50), transferring the metal films to the second chamber(S60), and bonding and low-pressure rolling the metal films(S70).

    Abstract translation: 目的:提供通过SAB(表面活性接合)制造细包层的方法,以在室温下进行处理,并获得具有强电特性的精细包层,同时保持特定材料的性质。 构成:通过SAB制造精细包层的方法包括以下步骤:在第一室中加载和固定第一和第二金属膜(S10),引起第一和第二室的初始高真空(S20),将等离子体照射到 用于表面活化的金属膜的表面(S50),将金属膜转移到第二室(S60),以及接合和低压轧制金属膜(S70)。

    표면 활성화 접합법을 이용한 극박-금속 정밀층상복합소재 제조 장치
    134.
    发明公开
    표면 활성화 접합법을 이용한 극박-금속 정밀층상복합소재 제조 장치 有权
    用SAB(表面激活键合)工艺制造精细夹层的装置

    公开(公告)号:KR1020100045262A

    公开(公告)日:2010-05-03

    申请号:KR1020080104370

    申请日:2008-10-23

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing a fine clad by SAB(Surface Activated Bonding) is provided to wind and unwind a base material uniformly by regulating the edge position at the time of initial setting or between processes. CONSTITUTION: An apparatus for manufacturing a fine clad by SAB comprises a first chamber(100) in which first and second metal films are loaded, an ion gun(16) installed inside the first chamber to radiate plasma to the surfaces of the first and second metal films, a second chamber(200) to which the plasma-processed metal films are transferred, and a rolling unit(22) installed inside the second chamber to bond and low-pressure roll the metal films.

    Abstract translation: 目的:通过SAB(表面活性接合)制造精细包层的装置,通过调节初始设定时的边缘位置或处理之间均匀地卷绕和展开基材。 构成:用于制造SAB的精细包层的装置包括:第一室(100),其中装载有第一和第二金属膜;第一室(100),安装在第一室内部的离子枪(16),以将等离子体辐射到第一和第二 金属膜,等离子体处理的金属膜转移到的第二室(200)和安装在第二室内的滚动单元(22),以将金属膜接合和低压卷绕。

    정밀 층상 복합 소재 제조 시스템
    135.
    发明授权
    정밀 층상 복합 소재 제조 시스템 有权
    制造精细系统

    公开(公告)号:KR100918554B1

    公开(公告)日:2009-09-21

    申请号:KR1020070086835

    申请日:2007-08-29

    Abstract: 정밀 층상 복합 소재 제조 시스템은 하우징, 적어도 하나의 펌프, 언와인더, 플라즈마 처리 유닛, 저압 압연 유닛, 그리고 와인더를 포함한다. 하우징은 제1 챔버, 제2 챔버, 그리고 제1 및 제2 챔버를 서로 연결하는 연결 통로를 형성한다. 적어도 하나의 펌프는 제1 챔버가 제1 챔버 진공도가 되도록 하고 제2 챔버가 제2 챔버 진공도가 되도록 작동한다. 언와인더는 접합될 두 모재를 고정하며 두 모재를 순차적으로 풀어낼 수 있도록 형성된다. 플라즈마 처리 유닛은 제1 챔버에 배치되며 언와인더로부터 풀려 나온 두 모재의 서로 마주하는 면이 활성화되도록 두 모재의 서로 마주하는 면에 대해 플라즈마 처리를 수행한다. 저압 압연 유닛은 제2 챔버에 배치되며 플라즈마 처리 유닛에 의해 활성화된 두 모재의 서로 마주하는 면이 접합되도록 플라즈마 처리 유닛에 의해 플라즈마 처리된 후 연결 통로를 통해 유입되는 두 모재를 저압 압연한다. 와인더는 저압 압연 유닛에 의해 접합된 두 모재를 감는다. 접합될 모재가 언와인더와 와인더에 의해 이송되는 과정 중에 플라즈마 처리에 의한 모재의 활성화 및 저압 압연이 수행됨으로써, 진공 상태에서 효율적으로 정밀 층상 복합 소재가 제조될 수 있다.
    정밀 층상 복합 소재, 진공, 플라즈마, 저압 압연

    이형재를 이용한 임베디드 반도체 패키지 장치 및 그 제조 방법
    136.
    发明公开
    이형재를 이용한 임베디드 반도체 패키지 장치 및 그 제조 방법 有权
    封装装置包括嵌入芯片及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020090049683A

    公开(公告)日:2009-05-19

    申请号:KR1020070115874

    申请日:2007-11-14

    CPC classification number: H01L2224/16225

    Abstract: 본 발명은 임베디드 반도체 패키지 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 임베디드 반도체 패키지 장치는 미리 설정된 패턴의 배선 회로를 구비하는 절연체 기판, 그 외면 중 적어도 일부가 이형재 커버로 둘러싸인 상태로 상기 절연체 기판에 내장되는 반도체 칩, 그리고 상기 반도체 칩과 상기 배선 회로를 전기적으로 연결하는 범프를 포함한다. 본 발명은 반도체 칩이 이형재 커버로 둘러싸인 상태로 절연체 기판에 내장됨으로써 재활용이 용이한 임베디드 반도체 패키지 장치를 제공할 수 있다.
    임베디드, 반도체 칩, 절연체 기판

    다중 주파수 음파를 이용한 미세입자 응집 제거 방법

    公开(公告)号:KR20210013823A

    公开(公告)日:2021-02-08

    申请号:KR20190091511

    申请日:2019-07-29

    Abstract: 본발명의일 실시예는. 정화영역으로유입되는매질내의미세입자를측정하여미세입자측정데이터를출력하는유입미세입자측정부; 상기미세입자측정데이터를기초로서로다른크기분포의미세입자들의응집을위한서로다른주파수를가지는두 개이상의저주파음원들을생성하여저주파음파발생부로출력하는제어부; 및상기미세입자응집을위한서로다른두 개이상의저주파음원들에대응하는저주파음파들을상기정화영역내부로방출하는저주파음파발생부;를포함하여구성되어, 서로다른주파수를갖는두 개이상의저주파음파를이용하여서로다른크기분포에속하는미세입자들을동시에응집시키는것에의해미세입자의응집효율을현저히향상시키고, 고가의처리제또는고성능필터를사용함이없이용이하게미세입자를제거할수 있도록하는미세입자응집제거방법을제공한다.

Patent Agency Ranking