公开(公告)号：WO2013140499A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：PCT/JP2012/057024

申请日：2012-03-19

Applicant: 株式会社ブイ・テクノロジー ,  梶山 康一 ,  水村 通伸

Inventor： 梶山　康一 ,  水村　通伸

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70191 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70891

Abstract: 　本発明による露光ヘッドは、透明基板と、前記透明基板に形成され露光光を放射する複数の露光光源と、前記露光光源からの露光光を前記露光対象物上へ集光する集光レンズと、前記透明基板を挟んで前記集光レンズと反対側に配置され前記露光対象物を撮像する撮像手段と、前記撮像手段により撮像された画像情報に基づいて前記露光光源の点灯を制御する制御手段と、を含んで構成される。また、本発明による露光装置は、本発明による露光ヘッドを含んで構成される。このような構成により、露光対象物の位置合わせ精度が向上し、露光対象物の露光精度を向上させることができる。

Abstract translation: 该曝光头被构造成包括：透明基板; 曝光光源，其形成在透明基板上并且辐射曝光光; 用于将从曝光光源发射的曝光光收集在待曝光物体上的聚光透镜; 图像捕获装置，其从所述聚光透镜设置在所述透明基板的相反侧，并且捕获要曝光的对象的图像; 以及控制装置，其基于与由图像捕获装置拍摄的图像有关的信息来控制曝光光源的点亮。 该曝光装置被配置为包括根据本发明的曝光头。 作为这些构造的结果，提高了要曝光的物体的定位精度，并且改善了被曝光物体的曝光精度。

公开(公告)号：WO2013067846A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/CN2012/081110

申请日：2012-09-07

Applicant: KO, Cheng-Hao

Inventor： KO, Cheng-Hao

IPC: G01J3/18 ,  G02B6/13

CPC classification number: G01J3/04 ,  G01J3/02 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/138 ,  G02B6/29307 ,  G02B6/29308 ,  G02B6/2931 ,  G02B2006/12107 ,  G03F7/0005 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2024 ,  G03F7/203 ,  G03F7/2039 ,  G03F7/30

Abstract: An optical wavelength dispersion device (10) includes a first substrate (11), an input unit (12) formed on the first substrate (11) having a slit (121) for receiving an optical signal, a grating (13) formed on the first substrate (11) for producing a first light beam from the optical signal for outputting, and a second substrate (15) covered on the top of the input unit (12) and the grating (13), wherein the input unit (12) and the grating (13) are formed from a photo-resist layer by high energy light source exposure.

Abstract translation: 光波长分散装置（10）包括第一基板（11），形成在第一基板（11）上的输入单元（12），其具有用于接收光信号的狭缝（121），形成在所述第一基板 用于从用于输出的光信号产生第一光束的第一基板（11）和覆盖在输入单元（12）和光栅（13）的顶部的第二基板（15），其中输入单元（12） 并且光栅（13）由高能光源曝光由光致抗蚀剂层形成。

公开(公告)号：WO2012023381A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：PCT/JP2011/066646

申请日：2011-07-22

Applicant: 株式会社ブイ・テクノロジー ,  水村 通伸

Inventor： 水村　通伸

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2002 ,  G03F7/201 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70358

Abstract: 　マイクロレンズアレイを使用した露光装置において、露光装置特性及び温度条件等の製造条件の変動に起因して、被露光基板の大きさの変動が生じても、マスクパターンの像を所定位置に合わせることができるマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置を提供する。　スキャン露光装置は、複数個のマイクロレンズアレイ２が、露光すべき基板１の上方に、スキャン方向に垂直の方向に配列して支持基板に支持されている。そして、各マイクロレンズアレイは、その配列方向に対し、露光基板に平行の方向から傾斜することができるように支持基板に支持されている。これらのマイクロレンズアレイの傾斜角度は前記配列方向に関し、徐々に大きく又は小さくなるように構成されている。

Abstract translation: 本发明提供一种使用微透镜阵列的扫描曝光装置，其中掩模图案的图像可以与预定位置对准，即使由于曝光装置的特性的变化而要曝光的基板的尺寸改变， 制造条件的变化，如温度条件。 扫描曝光装置具有在与被扫描的方向垂直的方向上配置在由支撑基板支撑的多个微透镜阵列（2）的上方。 每个微透镜阵列由支撑衬底支撑，使得微透镜阵列可以相对于排列方向从平行于待曝光的衬底的方向倾斜。 微透镜阵列的倾斜角度被配置为使得角度在排列方向上逐渐增大或减小。

公开(公告)号：WO2008117719A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：PCT/JP2008/055092

申请日：2008-03-19

Applicant: 株式会社 きもと ,  餌取 英樹

Inventor： 餌取 英樹

IPC: G02B5/02 ,  B29C33/38 ,  B29C33/42 ,  G02B3/00 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/13357 ,  B29L11/00

CPC classification number: G02B5/0278 ,  B29C33/3842 ,  B29C33/424 ,  G02B3/0012 ,  G02B5/021 ,  G02B5/0226 ,  G02B5/0242 ,  G02B5/0268 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/133707 ,  G03F7/0005 ,  G03F7/2008 ,  G03F7/201 ,  G03F7/70075 ,  G03F7/7035 ,  G03F7/70533

Abstract: 　フォトマスクを用い、容易かつ高精度に所望の凹凸形状を形成することが可能な表面凹凸の作製方法を提供する。 　感光性樹脂組成物からなる感光膜１０の一方の側に、光透過部と光不透過部とを有するマスク部材２０を感光膜１０に対し間隔を持って配置し、マスク部材２０の感光膜１０とは反対側に光拡散部材３０を配置する。光拡散部材３０のマスク部材２０とは反対側に配置された光源から光を照射し、光拡散部材３０とマスク部材２０の光透過部を通して感光膜１０を露光する。感光膜１０の露光部或いは未露光部を現像により除去し、感光膜１０に露光部或いは未露光部の形状で決まる凹凸を作製する。露光する際に、光拡散部材３０のヘーズなどの露光条件を制御し、露光部或いは未露光部の形状を制御する。

Abstract translation: 提供了一种用于制造表面凹凸的方法，通过使用光掩模，可以容易地以高精度形成期望的凹凸形状。 在由感光性树脂复合体构成的感光膜（10）的一面上，具有透光部和非透光部的掩模构件（20）以与感光膜（10）的间隔配置， 扩散构件（30）布置在与掩模构件（20）的感光膜（10）相对的一侧。 光从布置在与光漫射构件（30）的掩模构件（20）相反的一侧的光源施加，并且光敏膜（10）通过光漫射构件（30）暴露，透光部 的面罩构件（20）。 通过显影除去感光膜（10）的曝光部分或未曝光部分，并且在感光膜（10）上形成由曝光部分或未曝光部分形状确定的不平坦度。 在曝光中，控制光扩散构件（30）的雾度等曝光条件，并且控制曝光部或未曝光部的形状。

公开(公告)号：WO2008029917A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：PCT/JP2007/067512

申请日：2007-09-07

Applicant: 株式会社ニコン ,  柴崎 祐一

Inventor： 柴崎 祐一

IPC: G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/38 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2035 ,  G03F7/703 ,  G03F7/70358 ,  G03F9/00 ,  G03F9/70 ,  G03F9/7023

Abstract: 　マスクは、投影光学系を介して基板上にパターンの像を形成するための円筒状のマスクである。マスクは、パターンが形成され、所定軸周りに配置されたパターン形成面を有し、基板の少なくとも所定の一次元方向への移動と同期して、所定軸を回転軸として回転可能であり、パターン形成面におけるマスクの直径をＤ、一次元方向における基板の最大の長さをＬ、投影光学系の投影倍率をβ、円周率をπとしたとき、Ｄ　≧　（β×Ｌ）／πの条件を満足する。

Abstract translation: 提供一种用于通过投影光学系统在基板上形成图案的图像的管状掩模。 掩模具有图案形成表面，该图案形成表面设置有形成在其上的图案并且布置在规定的轴周围。 可以使至少在规定的一维方向上与基板的移动同步地旋转掩模，将规定的轴作为旋转轴，并且满足D =（ßOE）/ p的条件，其中D是直径 在图案形成表面上，L是基板在一维方向上的最大长度，β是投影光学系统的投影倍率，p是圆形常数。

公开(公告)号：WO2008020631A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：PCT/JP2007/066043

申请日：2007-08-17

Applicant: 凸版印刷株式会社 ,  友野 孝夫

Inventor： 友野 孝夫

IPC: G03F7/20 ,  A61M5/31 ,  A61M37/00

CPC classification number: B81C1/00111 ,  A61M37/00 ,  A61M37/0015 ,  A61M2037/0023 ,  A61M2037/0053 ,  B81B2201/055 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2022 ,  Y10T428/24479

Abstract: 　基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜の上に、複数の島状遮光部を有するフォトマスクを配置して一体化させる工程と、光源からの光を前記フォトマスクを介して前記フォトレジスト膜に照射し、前記フォトレジスト膜を選択的に露光する工程と、前記フォトレジスト膜を現像して原版を形成する工程と含む原版の製造方法であって、前記フォトマスクを介して前記フォトレジスト膜に複数の方向から光を照射して、それぞれ前記フォトレジスト膜を選択的に露光することを含むことを特徴とする原版の製造方法。

Abstract translation: 公开了一种用于制造原版的方法，其包括在基板上形成光致抗蚀剂膜的步骤，将具有多个遮光岛部分的光掩模布置在光致抗蚀剂膜上并将它们集成在一起的步骤 通过用来自光源的光通过光掩模进行照射来选择性地曝光光致抗蚀剂膜，以及通过显影光致抗蚀剂膜形成原版的步骤。 这种用于制造原版的方法的特征在于包括通过分别通过光掩模从多个方向照射光而选择性地曝光光致抗蚀剂膜的工艺。

公开(公告)号：WO2006059030A1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：PCT/FR2005/050997

申请日：2005-11-28

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  KOPP, Christophe ,  RABAROT, Marc ,  KIPP, Mathieu

Inventor： KOPP, Christophe ,  RABAROT, Marc ,  KIPP, Mathieu

IPC: B82B1/00

CPC classification number: G03F7/2014 ,  G03F7/201 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/7035

Abstract: L'invention concerne un procédé de photolithographie doté d'un système optique comportant au moins deux réseaux de diffraction superposés et permettant la réalisation de motifs inclinés dans une couche de photosensible (101) posée sur un substrat (100). Les motifs obtenus à l'aide d'un tel procédé comprennent au moins un flanc incliné par rapport à une normale (n) à un plan principal du substrat et qui présente un angle d'inclinaison bien supérieur à celui des motifs obtenus selon l'art antérieur. L'invention concerne également un dispositif permettant de mettre en oeuvre un tel procédé.

Abstract translation: 本发明涉及一种装备有光学系统的光刻方法，该光学系统包括至少两个重叠的衍射光栅，使得能够在设置在基板（100）上的感光层（101）中产生倾斜图案。 通过使用所述方法获得的图案包括相对于基底的正常（n）至基板的主平面倾斜的至少一个边缘，其倾斜角远大于通过现有技术方法获得的图案。 本发明还涉及一种用于实现所述方法的装置。

公开(公告)号：WO2005098486A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：PCT/JP2005/006650

申请日：2005-04-05

Applicant: 株式会社クラレ ,  柳川 幸弘

Inventor： 柳川 幸弘

IPC: G02B5/02

CPC classification number: G03F7/201 ,  B29C33/3842 ,  B29C33/424 ,  B29D11/00769 ,  G02B5/1857 ,  G02F1/133504

Abstract:   　本発明の表面に溝を有する微細構造体の製造方法は、所定の間隔で配置された複数のスリット（13ｂ）を有するフォトマスク（13）を介し、光源からの平行光線をスリット（13ｂ）の長手方向に沿う垂直面に対して一方向から他方向へ向けて角度を連続的又は段階的に変更して基板（11）上に形成されたレジスト層（12）に照射することにより、レジスト層（12）に略台形の光照射部（12ａ）を形成すること（ステップ100）、及びレジスト層（12）を現像することにより、レジスト層（12）の光非照射部（12ｂ）を除去すること（ステップ101）、の工程を含んでいる。                                                          

Abstract translation: 一种表面上具有凹槽的微结构的制造方法包括： 在抗蚀剂层（12）上形成大致梯形的光照射部（12a）的步骤（步骤100），通过将来自光源的平行光束照射在形成于基板（11）上的抗蚀剂层（12） 通过将角度从一个方向连续或逐步地改变到沿着狭缝（13b）的纵向方向的垂直平面的方式，具有以规定间隔布置的多个狭缝（13b）的光掩模（13）。 以及通过显影抗蚀剂层（12）去除抗蚀剂层（12）的光照射部分（12b）的步骤（步骤101）。

公开(公告)号：WO2004019133A3

公开(公告)日：2004-10-07

申请号：PCT/DE0302471

申请日：2003-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  MOLL PETER ,  TEGEN STEFAN

Inventor： MOLL PETER ,  TEGEN STEFAN

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L27/10867 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2022

Abstract: Disclosed is a method for forming a masking layer on a substrate (5) comprising a structural element (3, 62) which is provided with at least one sidewall (1), is used for masking a physical or chemical process (100), and is formed in a raised or recessed manner on or in the substrate (5). The inventive method comprises the following steps: the substrate (5) is provided with a surface and said structural element (3, 62); a layer (20) of a material that is chemically transformable under the influence of light, e.g. amorphous carbon, is deposited on the substrate (5) such that the structural element (3, 62) is substantially covered by said material; a first light source is adjusted relative to the substrate such that a light beam (110) which is generated by means of said light source hits the surface of the substrate (5) at an oblique first angle (

Abstract translation: 的基板（5）上形成掩蔽层具有至少一个侧壁（1），包括用于掩蔽的物理或化学处理（100），其中在浮雕结构元件（3，62）上或凹陷的结构元件（3，62）的方法 在基板（5）被形成，其包括以下步骤：提供（5），其具有一个表面和所述结构元件（3，62）的基片，光材料的影响下沉积化学变形的层（20），例如无定形碳，在 基板（5），从而使结构元件（3，62）由第一光源相对于衬底大致设置材料覆盖，使得在上的倾斜第一角度（阿尔法）由光源光束（110）产生的电流 入射到基板（5），其是从90度不同，首先由组光源的装置暴露层（20）的表面上，从而使滑雪的一部分（21） CHT上远离在结构元件的阴影区域中的光源的第一侧壁（1）的一侧（3，62）保持未曝光的，阴影区域的外侧去除暴露的层（20），使得该层的未曝光部分（21）（20） 掩蔽层（10）保持，进行后续的物理或化学过程（100）。

公开(公告)号：WO2004029722A2

公开(公告)日：2004-04-08

申请号：PCT/IB2003/004285

申请日：2003-09-26

Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  NELLISSEN, Antonius, J., M.

Inventor： NELLISSEN, Antonius, J., M.

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F1/00 ,  G03F7/201 ,  G03F7/703 ,  G03F7/7035 ,  Y10T428/24802

Abstract: In a lithographic proximity method for wiring an end or internal side surface of a substrate the required exposure of strips (76), defining the wiring pattern, is performed by means of a mask (70) comprising a diffraction structure (74) to deflect exposure radiation (b) to the side surface. An exposure beam, which is perpendicularly incident on the mask, is used so that enhanced tolerance for proximity gap width variations is obtained. The method allows manufacture of accurate and fine wiring.

Abstract translation: 在用于布线衬底的端部或内部侧表面的光刻接近法中，限定布线图案的条带（76）的所需曝光通过掩模（70）进行，所述掩模（70）包括 衍射结构（74）以将曝光辐射（b）偏转到侧表面。 使用垂直入射在掩模上的曝光光束，从而获得对邻近间隙宽度变化的增强容限。 该方法允许制造准确和精细的接线。