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公开(公告)号：CN1922518A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580006102.3
申请日：2005-02-24
Applicant: 安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司
IPC: G02B6/10
CPC classification number: B82Y20/00 , G02B6/131 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/227 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34366 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 本器件是光电子器件或透明波导器件，它包括生长表面(122、生长掩模(132)、光波导芯型平台(140)和包层(160)。生长掩模位于生长表面上，并限定了细长形生长窗口(134)。光波导芯型平台位于生长窗口中，并具有梯形截面形状。包层覆盖光波导芯型平台，并延伸到至少部分生长掩模上方。这种器件是通过提供具有生长表面(122)的晶片(110)、在第一生长温度下通过微选择区域生长在生长表面上生长光波导芯型平台(140)、并在低于第一生长温度的第二生长温度下用包层材料(160)覆盖光波导芯型平台而制造的。
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公开(公告)号：CN1871755A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480031094.3
申请日：2004-09-27
Applicant: 日本先锋公司
IPC: H01S5/22
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0213 , H01S5/0217 , H01S5/0425 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4043 , H01S5/4087
Abstract: 提供一种激光光束的发光点间隔小的半导体激光装置及其制造方法。具有半导体基板(12a)和激光振荡部(10a)的第1发光元件(1a)和具有激光振荡部(4a)的第2发光元件(2a)使激光振荡部(10a)的脊形波导(8a)和激光振荡部(4a)的脊形波导(5a)相面对，并利用厚度较小的SOG(3a)固定粘接。与脊形波导(8a)上的欧姆电极层(9a)电连接的导电性布线层(Qa1)和与脊形波导(5a)上的欧姆电极层(6a)电连接的导电性布线层(Qa2)分别延伸到半导体基板(12a)上的绝缘层(11a)，在半导体基板(12a)的底面和激光振荡部(4a)的表面分别形成欧姆电极(Pa1、Pa2)。在向欧姆电极(Pa1)和布线层(Qa1)之间提供驱动电流时，激光振荡部(10a)射出激光光束，在向欧姆电极(Pa2)和布线层(Qa2)之间提供驱动电流时，激光振荡部(4a)射出激光光束。由于利用厚度较小的SOG(3a)固定粘接激光振荡部(4a、10a)，所以能够形成发光点间隔小的半导体激光装置。
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公开(公告)号：CN1271766C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN03108827.9
申请日：2003-03-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/323 , H01L21/306 , H01L33/00
CPC classification number: H01S5/32341 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，它可降低氮化物系半导体基板等的氮面与电极之间的接触电阻。该方法具有浸蚀由纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面的工序和在该浸蚀过的第1半导体层背面上形成n侧电极的工序。
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公开(公告)号：CN1797803A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510128698.6
申请日：2003-03-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件，它具有由纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层和在该第1半导体层的背面上形成的n侧电极，所述n侧电极与第1半导体层之间的接触电阻在0.05Ωcm2以下。
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公开(公告)号：CN1736009A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200480002108.9
申请日：2004-04-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0213 , H01S5/2201 , H01S5/2206 , H01S5/2216 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法，包括：在第1III－V族化合物半导体上形成条状的掩膜层的工序(A)；在第1III－V族化合物半导体的表面中没有被所述掩膜层覆盖的区域上，有选择地使第2III－V族化合物半导体成长，从而形成具有被所述掩膜层规定的条状开口部的电流狭窄层的工序(B)；有选择地除去掩膜层的工序(C)；使覆盖通过所述条状开口部而露出的第1III－V族化合物半导体的表面及电流狭窄层的表面的第3III－V族化合物半导体成长的工序(D)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1233078C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN03164978.5
申请日：2003-07-23
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 谷健太郎
CPC classification number: H01S5/22 , H01L33/145 , H01S5/209 , H01S5/2201 , H01S5/2226 , H01S5/2231 , H01S5/32325
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的堆叠状半导体结构；带条纹的脊状结构；以及，位于带条纹的脊状结构的侧面上的半导体电流限制层。堆叠状半导体结构包括第一半导体盖层、半导体有源层、第二半导体盖层和半导体蚀刻停止层。带条纹的脊状结构包括第三半导体盖层、半导体中间层和半导体帽层。带条纹的脊状结构位于半导体蚀刻停止层之上。半导体电流限制层与半导体蚀刻停止层之间的界面上和半导体电流限制层与带条纹的脊状结构之间的界面上含有的杂质含量均少于1×1017/cm3。
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公开(公告)号：CN1677778A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510056281.3
申请日：2005-04-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1082 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 一种氮化物半导体激光元件，是在氮化物半导体基板的主面上具有第1导电型的氮化物半导体层、活性层、导电型不同于第1导电型的第2导电型的氮化物半导体层、和形成在所述第2导电型的氮化物半导体层上的条纹状的隆起部，所述氮化物半导体基板的主面上，相对于基准结晶面，至少在与所述条纹状的隆起部大致平行的方向上具有偏角a(θa)，或者与该偏角a(θa)大致垂直的方向上具有偏角b(θb)。本发明的目的是在宽范围的波长带中，使氮化物半导体层的组成分布、例如活性层的结晶性和In含量均匀，从而提供一种寿命特性和元件特性更加优良的元件。
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公开(公告)号：CN1675809A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819204.7
申请日：2003-06-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/0207 , H01S5/0014 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/32341
Abstract: 一种GaN半导体发光器件，形成在GaN单晶衬底上且具有使电流泄漏更小的结构。该GaN半导体激光器件(50)包括设置在多层结构上的p侧和n侧电极，并具有与蓝宝石衬底上制造的传统GaN半导体激光器件相同的结构，除了用GaN单晶衬底(52)取代蓝宝石衬底且GaN化合物半导体层的多层结构直接形成在GaN单晶衬底(52)上而未形成GaN－ELO结构层之外。GaN单晶衬底(52)具有每个均具有10μm的宽度的连续带状核部分(52a)，核部分(52)之间的距离约400μm。激光带(30)、p侧电极(36)的金属焊垫(37)、以及n侧电极(38)设置在除核部分(52a)之外的区域上的多层结构上。金属焊垫(37)的侧边缘与核部分的边缘之间的水平距离Sp和n侧电极(38)与核部分(52a)的边缘之间的水平距离Sn都为95μm。
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公开(公告)号：CN1617400A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410100551.1
申请日：2004-09-09
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 桥本隆宏
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/0421 , H01S5/2201 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/32316 , H01S5/32325 , H01S2304/04
Abstract: 提供了一种半导体激光器件，其具有由覆层和覆层顶部上设置的盖层组成的脊部，以及在脊部的相对横向侧上形成的填充层。盖层的顶表面和填充层的顶表面在盖层的上侧以135°或更大、但是不大于180°的角度会合。制造器件时，在形成填充层以覆盖脊部之后，形成绝缘膜并从绝缘膜选择性地去除脊部上方的部分，以露出填充层。然后，去除露出的填充层，直到露出脊部的顶表面。
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公开(公告)号：CN1602569A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN03801328.2
申请日：2003-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/10
Abstract: 本发明的半导体发光元件包括：n型InP基板(1)；以及条纹结构(10)，条纹结构(10)包含在该n型InP基板(1)上条纹状形成的n型InP下部覆盖层(3)、相对于所述n型InP基板(1)而具有平行方向的谐振器的有源层(4)、和p型InP上部覆盖层(5)。这种条纹结构(10)有凹部(9)排列为矩形点阵状的光子晶体结构(2)，光子晶体结构(2)的凹部(9)的排列方向和谐振器方向相同。此外，在谐振器方向上延长的条纹状的上部电极(6)形成在条纹结构(10)上。这样构成的本发明的半导体发光元件相对n型InP基板(1)在垂直的方向上发光。
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