公开(公告)号：CN1677778A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510056281.3

申请日：2005-04-04

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 松山裕司 ,  铃木真二 ,  伊势康介 ,  道上敦生 ,  米田章法

IPC: H01S5/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种氮化物半导体激光元件，是在氮化物半导体基板的主面上具有第1导电型的氮化物半导体层、活性层、导电型不同于第1导电型的第2导电型的氮化物半导体层、和形成在所述第2导电型的氮化物半导体层上的条纹状的隆起部，所述氮化物半导体基板的主面上，相对于基准结晶面，至少在与所述条纹状的隆起部大致平行的方向上具有偏角a(θa)，或者与该偏角a(θa)大致垂直的方向上具有偏角b(θb)。本发明的目的是在宽范围的波长带中，使氮化物半导体层的组成分布、例如活性层的结晶性和In含量均匀，从而提供一种寿命特性和元件特性更加优良的元件。

公开(公告)号：CN100499299C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200510056281.3

申请日：2005-04-04

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 松山裕司 ,  铃木真二 ,  伊势康介 ,  道上敦生 ,  米田章法

IPC: H01S5/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种氮化物半导体激光元件，是在氮化物半导体基板的主面上具有第1导电型的氮化物半导体层、活性层、导电型不同于第1导电型的第2导电型的氮化物半导体层、和形成在所述第2导电型的氮化物半导体层上的条纹状的隆起部，所述氮化物半导体基板的主面上，相对于基准结晶面，至少在与所述条纹状的隆起部大致平行的方向上具有偏角a(θa)，或者与该偏角a(θa)大致垂直的方向上具有偏角b(θb)。本发明的目的是在宽范围的波长带中，使氮化物半导体层的组成分布、例如活性层的结晶性和In含量均匀，从而提供一种寿命特性和元件特性更加优良的元件。