公开(公告)号：CN117995631B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410147196.0

申请日：2024-02-02

Applicant: 芯嵛半导体(上海)有限公司

Inventor： 陈炯

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明公开一种具有高分辨率电磁铁分析器的离子注入系统及离子束产生方法，属于半导体离子注入工艺技术领域，所述离子注入系统的高分辨率电磁铁分析器具有的弓形磁轭结构的横截面大体呈矩形，且横截面形状能够用于限定磁场的改变，从而改变聚焦特性，由此增加带状离子束的线焦点的纵横比和/或增加带状离子束穿过分辨槽的狭缝的束流量。本发明的离子注入系统使得离子束的长轴达到目标长度，离子束在四极磁透镜磁铁得以准直，通过分辨槽而继续往目标处前行。本发明可实现控制离子束流扩展角度小于10度；扩展离子束流在四极磁透镜磁铁得以准直，准直后的离子束流在几乎聚焦位置通过分辨槽狭缝而继续往目标处前行。

公开(公告)号：CN112805803B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201980065139.5

申请日：2019-10-08

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： A·D·布罗迪

IPC: H01J37/28 ,  H01J37/05 ,  H01J37/10

Abstract: 本发明公开一种多束电子源。所述多束源包含电子源、格栅透镜组合件及多透镜阵列组合件。所述多透镜阵列组合件包括跨衬底安置的一组透镜。所述格栅透镜组合件经配置以引起来自所述电子束源的一次电子束远心着陆在所述多透镜阵列组合件上。所述多透镜阵列组合件经配置以将来自所述电子束源的所述电子束分裂成多个一次电子束。所述格栅透镜组合件包含第一透镜元件及第二透镜元件，其中所述第一透镜元件及所述第二透镜元件由选定距离的间隙分离。所述格栅透镜组合件进一步包含格栅元件，其包含一组孔隙，其中所述格栅元件安置在所述第一透镜元件与所述第二透镜元件之间的所述间隙内。

公开(公告)号：CN117995630A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410147120.8

申请日：2024-02-02

Applicant: 芯嵛半导体(上海)有限公司

Inventor： 陈炯

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明公开一种高分辨率电磁铁分析器、离子注入系统及离子束产生方法，属于半导体离子注入工艺技术领域，其中高分辨率电磁铁分析器包括有围绕带状离子束的行进路径的弓形磁轭结构，所述高分辨率电磁铁分析器的出口一端外设置有具有狭缝的分辨槽，用于使带状离子束传输通过分辨槽的狭缝从而从动量不同的污染物离子中分离出所需离子。基于本发明电磁铁分析器为核心模块的离子注入系统包括小型离子源和引出电极，离子束在电磁铁继续扩展，使得离子束的长轴达到目标长度，离子束在四极磁透镜磁铁得以准直，通过分辨槽而继续往目标处前行。本发明通过对结构及方法的多方面优化改进，能够更好地满足目前高品质先进半导体工艺的要求。

公开(公告)号：CN117936342A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311868586.9

申请日：2023-12-29

Applicant: 浙江求是创芯半导体设备有限公司

Inventor： 曹建伟 ,  沈文杰 ,  沈加富 ,  佘垒 ,  吴尽 ,  余世政 ,  李杰 ,  刘宏伟 ,  孟文淇

IPC: H01J37/21 ,  H01J37/05 ,  H01J37/317

Abstract: 本申请公开了一种质量分析装置，用于筛选离子注入机中的预设离子束。质量分析装置包括磁轭、励磁线圈、磁极组件和分析狭缝。磁极组件包括呈扇形的第一磁极和第二磁极，第一磁极具有第一极面，第二磁极具有第二极面，第一极面和第二极面沿上下方向对称设置，预设离子束经过第一极面和第二极面之间后发生偏转；分析狭缝用于接收偏转后的预设离子束；第一极面上具有多个沿第一磁极的径向分布的第一极点，多个第一极点依次相连以构成一多项式函数的曲线；第二极面上具有多个沿第二磁极的径向分布的第二极点，多个第二极点依次相连以构成多项式函数的曲线。通过上述设置，可以提高质量分析装置的空间利用率和结构紧凑性。

公开(公告)号：CN111542908B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201880061280.3

申请日：2018-08-24

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 横须贺俊之 ,  川野源 ,  黑泽浩一 ,  数见秀之 ,  李灿

IPC: H01J37/22 ,  H01J37/05 ,  H01J37/244

Abstract: 本发明提供一种带电粒子射线装置、截面形状推定程序，目的在于提供能够简便地推定图形的截面形状的带电粒子射线装置。本发明的带电粒子射线装置对能量辨别器的分别不同的每个辨别条件取得检测信号，将上述每个辨别条件的检测信号与基准图形进行比较，由此推定样本的截面形状。

公开(公告)号：CN115053321A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180012915.2

申请日：2021-02-08

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 卡森·任 ,  舒·佐藤 ,  吉尼斯·博纳克斯 ,  威廉·宾茨

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/05

Abstract: 一种用于将高电荷态离子注入到工件中同时减轻痕量金属污染的方法包括从离子源中的所需物质产生处于第一电荷状态的所需离子，以及在第一离子束中产生污染物质的痕量金属离子。所需离子和痕量金属离子的荷质比相等。从离子源中提取所需离子和痕量金属离子。从所需离子中剥离至少一个电子以限定处于第二电荷状态的所需离子和痕量金属离子的第二离子束。仅来自第二离子束的所需离子选择性地仅穿过电荷选择器以限定处于第二电荷状态的所需离子的最终离子束并且没有痕量金属离子，并且将第二电荷状态的所需离子注入到工件中。

公开(公告)号：CN114999877A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210730885.5

申请日：2022-06-24

Applicant: 杭州富芯半导体有限公司

Inventor： 苏文华 ,  李振雨 ,  马闯

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

Abstract: 一种原子筛除装置，用于半导体制造工艺的离子注入工序，其包括第一原子筛除模块和第二原子筛除模块。第一原子筛除模块包括扇形质量分析器，第二原子筛除模块包括第一电极板对、第二电极板对、第一驱动器和第二驱动器。扇形质量分析器筛除偏转半径大于扇形质量分析器的外侧壁或小于扇形质量分析器的内侧壁的元素，第二原子筛除模块筛除偏转半径介于扇形质量分析器的外侧壁与内侧壁之间的元素。从而筛除与用于离子注入的离子具相近原子量或其同位素的元素，提高高端制程的离子注入工序的良率，同时对离子束起到汇聚的作用，也减少二次电子和辐射。

公开(公告)号：CN114303229A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202080060729.1

申请日：2020-08-27

Applicant: 盛达欧米科有限公司

Inventor： 麦卡欧·奥洛夫松

IPC: H01J49/44 ,  H01J49/46 ,  H01J49/48 ,  G01N23/227 ,  H01J37/05 ,  H01J49/00 ,  H01J49/28

Abstract: 描述了一种包括静电透镜(7)的设备(100)，该静电透镜包括：光轴(6)；第一静电透镜元件(1)；第二静电透镜元件(2)；以及偏转器设备，该偏转器设备包括偏转器封装(5)，该偏转器封装具有多个电极(15)，该多个电极围绕光轴(6)周向地布置在第一静电透镜元件(1)的第一端(26)和第二静电透镜元件(2)的第二端(29)之间，并且布置成使电子束在垂直于光轴(6)的至少第一坐标方向(x，y)上偏转。偏转器封装(5)布置成使得在静电透镜(7)的操作期间，从第一静电透镜元件(1)行进到第二静电透镜元件(2)的电子首先通过第一静电透镜元件(1)和偏转器封装(5)之间的电场，随后通过偏转器封装(5)和第二静电透镜元件(2)之间的电场。

公开(公告)号：CN114223048A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202080052962.5

申请日：2020-08-13

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 佐藤秀

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147 ,  H01J37/05

Abstract: 本申请提供了一种离子注入系统的方法和系统，其配置用于在不改变离子源处的电荷状态的情况下将射束电流增大至高于来自离子源的第一电荷状态的最大动能。从离子源提供具有第一电荷状态的离子，这些离子被选入第一RF加速器并被加速至第一能量。对离子进行剥离以将其转化为具有各种电荷状态的离子。电荷选择器接收该各种电荷状态的离子并选择在第一能量下的最终电荷状态。第二RF加速器将离子加速至最终能谱。最终能量过滤器过滤离子以将处于最终能量和最终电荷状态的离子提供给工件。

公开(公告)号：CN113811975A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202080034328.9

申请日：2020-05-14

Applicant: MI2工厂有限责任公司

Inventor： C·科萨托 ,  F·克里彭多夫

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425

Abstract: 用于将粒子注入衬底(12)的设备包括粒子源(2)和粒子加速器(4)，用于产生包括带正电离子的离子束(10)。设备还包括衬底支架(30)和能量过滤器(20)，其设置在粒子加速器(4)和衬底支架(30)之间。能量过滤器(20)是具有预定的结构轮廓的微结构化膜，用于设定在衬底(12)中由注入工艺产生的掺杂物深度分布和/或缺陷深度分布。设备还包括用于离子束(10)的无源制动元件(22)，所述元件设置在所述粒子加速器(4)和衬底支架(30)之间并且与能量过滤器(20)间隔设置。