公开(公告)号：KR1019970066962A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019960006424

申请日：1996-03-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김호진

IPC: G06Q30/06 ,  G06Q20/20

Abstract: 본 발명은 무선 핸디 터미널을 이용한 판매 관리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고객이 매장에서 구입하고자 하는 물품의 목록과 금액을 매장의 요소요소에 배치된 핸디 터미날로 입력하여 고객의 고유 번호별로 집계한 후 무선으로 금전 등록기 또는 포스시스템에 전송함으로써 판매 물품의 계산 속도 및 고객의 편의를 향상시키는 무선 핸디 터미널을 이용한 판매 관리 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019970063858A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960003307

申请日：1996-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김호진

IPC: H02H3/20

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
본 발명은 로직회로를 구비하는 장치에 관한 것으로, 특히 로직회로를 과전압으로부터 보호하기 위한 장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하고자하는 기술적 과제
로직전압을 공급하는 정전압 공급수단이 파손되는 경우 과전압 유입을 차단하여 로직회로를 보호할 수 있는 로직회로 보호장치를 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
교류상용전압을 정류하여 직류전압으로 출력하는 전원공급수단과, 상기 전원공급수단으로부터 출력되는 직류전압을 상기 장치의 구동을 위한 규정레벨의 구동전압으로 전환하여 출력하는 제1정전압 전원공급수단과, 상기 제1정전압 전원공급수단으로부터 출력되는 규정레벨의 구동전원을 로직전압으로 전환하여 상기 로직회로로 출력하는 제2정전압 전원공급수단과, 상기 제2정전압 전원공급수단으로부터 규정레벨 이상의 과전압이 출력되는 경우 이를 상기 전원공급수단으로부터 출력되는 규정레벨의 직류전압과 비교함으로서 일정 논리레벨의 과전압검출신호를 발생하여 출력하는 과전압 검출수단과, 상기 과전압 검출수단과 제1정전압 전원공급수단사이에 접속되어 상기 과전압 검출수단으로부터 출력되는 과전압검출신호의 논리레벨에 따라 스위칭 온/오프 동작함으로서 상기 제1정전압 전원공급수단으로부터 출력되는 구동전압을 규정레벨이하의 직류전압으로 강하시키는 전원제어수단으로구성됨을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
로직회로를 구비하는 장치에 있어서 과전압으로부터 로직회로 보호에 이용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970018613A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950032904

申请日：1995-09-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백현철 ,  김호진

IPC: H01L27/11

Abstract: 부하소자의 안정성을 개선한 SRAM(Static Random Access Memory)셀의 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명은 한쌍의 전송 트랜지스터와, 한쌍의 구동 트랜지스터 및 폴리실리콘으로 이루어진 한쌍의 폴리 로드(Load)로 구성된 스태틱 랜덤 억세스 메모리(SRAM) 셀을 제조하는방법에 있어서, 상기 폴리 로드가 인가 전압에 대해 안정적이고 균일한 저항값을 유지할 수 있도록, 상기 폴리실리콘에 불순물을 이온 주입하여 이온주입 여부에 따라서 전원 연결부(Vcc)와 콘택트, 및 저항부를 한정할 때, 이온주입 영역을 축소하여 저항부의 길이를 확대 한정하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970018609A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950029510

申请日：1995-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김병선 ,  김호진

IPC: H01L27/11

Abstract: 본 발명은 면적의 증가없이 셀 안전성을 높이는 스태틱램 셀과 그 제조방법에 관한 것이다. 이 셀은, 드라이브 트랜지스터쪽의 접합과 엑세스 트랜지스터 드레이영역중 비트라인 콘택이 형성될 부분만이 낮은 저항을 갖는 이중접합 구조로 형성되고, 엑세스 트랜지스터쪽은 높은 저항을 갖는 단일접합 구조로 형성되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 엑세스 트랜지스터에 부가되는 높은 부하저항에 의하여 엑세트 트랜지스터의 드레인 전류가 감소하게 되어, 엑세스 트랜지스터의 드레인 전류에 대한 드라이브 트랜지스터의 드레인전류 비율이 증가하게 되므로, 스태틱램 셀 면적의 증가없이 종래 기술의 문제점이던 셀의 데이터 안정성을 높일 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR1019940012715A

公开(公告)日：1994-06-24

申请号：KR1019920020795

申请日：1992-11-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김호진

IPC: H01R29/00

Abstract: 전자기기 내부에 입력 전압을 100V와 220V로 전환하기 위하여 파워코드를 이용하여 손쉽게 전환할 수 있도록 개량한 기술이다.
기존에는 본체에 설치된 100V용과 200V용으로 전환하기 위하여 콘넥터를 분리하여 100V용으로 접속시키면 100V용으로 전환되어 제품을 100V전원에 사용할 수 있고 콘넥터를 220V용에 접속시키면 220V용으로 전환되어 제품을220V전원에 사용할 수 있게 되므로 사용자가 입력전압을 전환하기 위하여 케이스를 분리하여 콘넥터를 이용하여 전환시키므로 사용자가 많은 불편한 문제점이 있어 이를 해결하기 위하여 파워코드 끝단부측에 내부에 도전성 도체를 설치하여 도전성 도체에 하나의 전원입력라인을 접속시켜 파워코드를 180도 회동시 본체에 설치된 100V용 제1접속단자의 도전성 도체가 접속되고 반대로 파워코드를 180도 회동시 220V용 제2접속단자와 도전성 도체가 접속하도록 하여 입력되는 100V와 220V를 손쉽게 전환할 수 있도록하고 전압전환레버를 설치하 파워코드를 회동시킨 상태에서 고정시킬 수 있도록하여 사용자가 편리하게 입력되는 전압을 손쉽게 100V용과 220V용으로 전환할 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR1019930015051A

公开(公告)日：1993-07-23

申请号：KR1019910024167

申请日：1991-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김병선 ,  신광호 ,  김호진

IPC: H01L29/73

Abstract: 본 발명은 바이폴라 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로 특히 다결정실리콘 또는 그 화합물의 침적 및 이온주입 방식에 의해 에미터를 형성하는 바이폴라 트랜지스터 제조방법에 있어서 에미터 영역이 베이스영역을 양분하지 않도록 형성하는 바이폴라 트랜지스터 제조방법에 과한 것이다.
에미터영역 형성시 베이스콘택트가 접속되는 쪽의 베이스영역과 접속되지 않는 쪽의 베이스영역을 연결해주는 연결베이스영역을 형성한다. 그렇게 함으로써 콜렉터-에미터간의 전류(Ice)가 분산되어 고전류(Ice) 상태에서의 전류이득감소현상이 개선된다.