公开(公告)号：KR100156321B1

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019950053700

申请日：1995-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상규 ,  정창구 ,  박창순

IPC: C30B25/14

Abstract: 저압 화학기상증착 공정을 수행하는 공정챔버의 내부에 잔류하는 가스를 배출시키는 배출관을 구비한 반도체용 저압 화학기상증착장치의 가스 배출관이 개시되어 있다.
본 발명에 따른 반도체용 저압 화학기상증착장치의 가스 배출관은 공정챔버와, 반응가스 유입라인과 잔류가스 배출관이 형성되어 있는 플랜지부 및 상기 배출관과 분리가능하게 연결된 배기라인을 구비하는 반도체용 저압 화학기상증착 장치의 가스 배출관에 있어서, 상기 배출관은 외측으로 소정 길이만큼 돌출되어 있으며 상기 배출관 내에는 탈착가능한 보조배출관이 더 설치됨을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 저압 화학기상증착을 실시하는 공정챔버 내부의 반응압력을 유지시키는 용이하에 웨이퍼에 손상이 없도록 하고, 반도체용 저압 화학기상증착장치의 가스 배출관의 배출관을 보호하며, 예방정비 기간을 연장시킴과 동시에 세정시간을 단축시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970043353A

公开(公告)日：1997-07-26

申请号：KR1019950053700

申请日：1995-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상규 ,  정창구 ,  박창순

IPC: C30B25/14

Abstract: 저압 화학기상증착 공정을 수행하는 공정챔버의 내부에 잔류하는 가스를 배출시키는 배출관을 구비한 반도체용 저압 화학기상증착장치의 가스 배출관이 개시되어 있다.
본 발명에 따른 반도체용 저압 화학기상증착장치의 가스 배출관은 공정챔버와, 반응가스 유입라인과 잔류가스 배출관이 형성되어 있는 플랜지부 및 상기 배출관과 분리가능하게 연결된 배기라인을 구비하는 반도체용 저압 화학기상증착 장치의 가스 배출관에 있어서, 상기 배출관은 외측으로 소정 길이만큼 돌출되어 있으며 상기 배출관 내에는 탈착가능한 보조배출관이 더 설치됨을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 저압 화학기상증착을 실시하는 공정챔버 내부의 반응압력을 유지시키는 용이하에 웨이퍼에 손상이 없도록 하고, 반도체용 저압 화학기상증착장치의 가스 배출관의 배출관을 보호하며, 예방정비 기간을 연장시킴과 동시에 세정시간을 단축시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970030219A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950043771

申请日：1995-11-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박창순

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 공정에 필요한 적어도 두 가지의 가스를 공정 챔버로 공급하기 위한 적어도 두 개의 가스 공급라인을 구비하는 반도체 소자 제조설비의 가스 공급장치에 관한 것으로, 상기 하나의 가스 공급라인을 다른 하나의 가스 공급라인에 연결하여 구성된 것이다. 따라서 가스 공급라인으로 흐르는 N2의 공급량이 증가하여 흡착된 파우더를 완전 제거할 수 있는 것이고, 이로써 파티클이 공정 챔버내로 유입되는 것이 방지되며, 가스 공급라인이 하나로 감소되어 관리측면에서 유리한 효과가 있다.