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公开(公告)号：KR1020060010153A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：KR1020040058756
申请日：2004-07-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67346 , H01L21/67201 , H01L21/67383
Abstract: 본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 웨이퍼가 적재되는 보우트가 내부에 설비된 로드록 챔버를 갖는 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 보우트는 적재되는 웨이퍼의 상하 각각에 상판과 하판을 포함하고, 상기 상판은 적재되는 웨이퍼의 표면 전체를 가릴 수 있는 구조인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 보우트 내부의 상판을 웨이퍼 전체를 커버할 수 있는 형태로 변경하여 줌으로써 로드록 챔버 내부에 잔존하던 수분이나 파티클이 펌핑시 상판에만 영향을 주게되고 웨이퍼에는 직접적인 영향이 가해지지 않게 된다. 따라서, 웨이퍼에는 결함이 생길 여지가 줄어들거나 없어지게 되어 반도체 칩의 생산 수율이 향상되는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100536586B1
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：KR1019990001161
申请日：1999-01-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 반도체 제조 공정이 수행되는 공정 챔버로 일군의 반도체 웨이퍼들을 로딩시키기 위한 반도체 제조 장치의 보우트에 관한 것으로, 본 발명에 따른 보우트는 일군의 반도체 웨이퍼들과 모니터링 웨이퍼들 그리고 더미 웨이퍼들이 적재되는 복수개의 슬롯들이 형성된 반도체 제조 장치의 보우트에 있어서: 더미 웨이퍼들이 적재되는 슬롯들상에 형성되는 그리고 공정 진행시 공정 가스를 여과하고 공정 가스의 불안정에 의한 일군의 반도체 웨이퍼들의 균일성 저하를 방지하기 위한 필터들을 포함하되; 필터들은 더미 웨이퍼와 동일한 형상으로 이루어진다.
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公开(公告)号：KR1020040100177A
公开(公告)日：2004-12-02
申请号：KR1020030032408
申请日：2003-05-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정창구
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: An apparatus for forming a thin film is provided to improve the uniformity of the thin film and to enhance the yield by coating a predetermined layer on an outer wall of a reaction furnace. CONSTITUTION: An apparatus includes a reaction furnace(31), a wafer support pedestal, a heating furnace, and a predetermined layer. The wafer support pedestal is installed in the reaction furnace to support at least one wafer. The heating furnace(33) is installed outside the reaction furnace. The predetermined layer(50) is coated on an outer wall of the reaction furnace. The thickness of the predetermined layer is 2 μm. The predetermined layer is made of SiC.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成薄膜的装置，以提高薄膜的均匀性并通过在反应炉的外壁上涂覆预定层来提高产量。 构成：装置包括反应炉（31），晶片支撑基座，加热炉和预定层。 晶片支撑基座安装在反应炉中以支撑至少一个晶片。 加热炉（33）安装在反应炉的外部。 预定层（50）涂覆在反应炉的外壁上。 预定层的厚度为2μm。 预定层由SiC制成。
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公开(公告)号：KR1020030016908A
公开(公告)日：2003-03-03
申请号：KR1020010050987
申请日：2001-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정창구
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A CVD(Chemical Vapor Deposition) apparatus for semiconductor fabrication is provided to remove a vortex phenomenon by preventing collision of injected gases within a process tube. CONSTITUTION: A box-shaped process tube(209) includes a box-shaped outer tube(206) and a box-shaped inner tube(208). A gas supply portion(212) is located at a lower end portion of one sidewall of the box-shaped process tube(209). The gas supply portion(212) is formed with a plurality of gas supply holes(212a). A gas exhaust portion(214) is located at the other sidewall facing the gas supply portion(212). A susceptor(202) is located in the inside of the box-shaped process tube(209). A susceptor heating portion is installed at a lower portion of the susceptor(202). The gas supply portion is connected with a gas supply source. A gas exhaust portion(214) is connected with a gas exhaust device. A tube heating portion is installed at an upper portion of the box-shaped outer tube(206).
Abstract translation: 目的：提供用于半导体制造的CVD（化学气相沉积）装置，以通过防止注入气体在处理管中的碰撞来消除涡流现象。 构成：一个箱形的处理管（209）包括一个盒形的外管（206）和一个箱形的内管（208）。 气体供给部（212）位于箱状处理管（209）的一个侧壁的下端部。 气体供给部212形成有多个气体供给孔212a。 气体排出部分（214）位于面向气体供应部分（212）的另一个侧壁。 感受器（202）位于箱状处理管（209）的内部。 基座加热部安装在基座（202）的下部。 气体供给部与气体供给源连接。 排气部（214）与排气装置连接。 管加热部安装在盒状外管（206）的上部。
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公开(公告)号：KR100607417B1
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：KR1020010000823
申请日：2001-01-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: 다수매의 웨이퍼가 적재된 튜브를 포함하는 장치를 사용하는 산화막의 형성 방법이 개시되어 있다. 웨이퍼가 적재된 보트가 튜브 내부로 이송된다. 상기 튜브에 질소 가스가 제공되고, 일정 온도 상태가 유지된다. 이어서, 산소 가스가 제공된다. 이에 따라, 상기 웨이퍼 표면에 제1산화막이 형성된다. 상기 튜브를 상승 온도로 형성한 다음 상기 상승 온도 상태를 계속해서 유지한다. 이어서, 상기 산소 가스가 제공된다. 이에 따라 제2산화막이 형성된다. 그리고 상기산소 가스 및 염화수소 가스가 제공된다. 이에 따라, 제3산화막이 형성된다. 열처리를 수행한 다음 상승 온도를 하강시키고, 상기 하강에 의한 하강 온도 상태를 유지한다. 그리고, 상기 보트를 상기 튜브 외부로 이송시킨다. 따라서, 열산화에 의한 산화막이 형성되는데, 상기 산화막은 균일한 두께 분포를 갖는다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000050961A
公开(公告)日：2000-08-05
申请号：KR1019990001161
申请日：1999-01-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: PURPOSE: A boat of an apparatus for manufacturing semiconductor is provided to increase yield and quality of a semiconductor wafer, by eliminating the possibility of generating a particle caused by quality of layers accumulated on a dummy wafer. CONSTITUTION: A boat of an apparatus for manufacturing semiconductor, having a plurality of slots to load a group of semiconductor wafers, monitoring wafers and dummy wafers, includes filters for filtering processing gas and preventing uniformity of the group of semiconductor wafers from lowering because of instability of the processing gas. The filters are in the same shape as the dummy wafer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体的装置的船，以通过消除由于在虚设晶片上积累的层的质量而产生颗粒的可能性，从而提高半导体晶片的产量和质量。 构成：具有用于加载一组半导体晶片，监视晶片和虚设晶片的多个槽的半导体制造装置的船包括用于过滤处理气体并防止半导体晶片组的均匀性由于不稳定而降低的滤波器 的处理气体。 滤光器的形状与虚设晶片相同。
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公开(公告)号：KR1019990080625A
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019980014011
申请日：1998-04-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 서로 공정면을 마주보며 위치하도록 배치된 웨이퍼들 사이에 넓은 공간을 형성하여 불순물가스의 흐름을 원활하게 하는 반도체소자 제조용 확산공정설비에 관한 것이다.
본 발명은 웨이퍼 상에 불순물가스를 주입하여 막질을 형성하도록, 복수 개의 상기 웨이퍼들이 작고 큰 피치를 순차적으로 형성하며 2개씩 1개의 조를 이루어 위치하는 웨이퍼보트와, 상기 조를 이루는 상기 웨이퍼들이 서로 뒷면을 마주보며 위치하고, 상기 조들 사이에서는 상기 웨이퍼들이 서로 공정면을 마주보며 위치하도록 상기 웨이퍼들을 교대로 반전시켜 상기 웨이퍼보트로 이송하는 이송수단 및 상기 이송수단을 제어하는 제어부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 작고 큰 피치를 순차적으로 이루며 웨이퍼를 배치하여 웨이퍼보트의 처리량을 크게 하고, 불순물가스의 흐름을 원활하게 함으로써 막질의 균일성을 향상시키며, 균일한 불순물가스 및 열공급에 의해 상기 웨이퍼의 중심부와 주변부의 온도차에 의한 열팽창의 차이를 해소함으로써 상기 웨이퍼 상에 균열이 발생하는 슬립현상을 억제하게 하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100156321B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019950053700
申请日：1995-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C30B25/14
Abstract: 저압 화학기상증착 공정을 수행하는 공정챔버의 내부에 잔류하는 가스를 배출시키는 배출관을 구비한 반도체용 저압 화학기상증착장치의 가스 배출관이 개시되어 있다.
본 발명에 따른 반도체용 저압 화학기상증착장치의 가스 배출관은 공정챔버와, 반응가스 유입라인과 잔류가스 배출관이 형성되어 있는 플랜지부 및 상기 배출관과 분리가능하게 연결된 배기라인을 구비하는 반도체용 저압 화학기상증착 장치의 가스 배출관에 있어서, 상기 배출관은 외측으로 소정 길이만큼 돌출되어 있으며 상기 배출관 내에는 탈착가능한 보조배출관이 더 설치됨을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 저압 화학기상증착을 실시하는 공정챔버 내부의 반응압력을 유지시키는 용이하에 웨이퍼에 손상이 없도록 하고, 반도체용 저압 화학기상증착장치의 가스 배출관의 배출관을 보호하며, 예방정비 기간을 연장시킴과 동시에 세정시간을 단축시키는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019970043353A
公开(公告)日：1997-07-26
申请号：KR1019950053700
申请日：1995-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C30B25/14
Abstract: 저압 화학기상증착 공정을 수행하는 공정챔버의 내부에 잔류하는 가스를 배출시키는 배출관을 구비한 반도체용 저압 화학기상증착장치의 가스 배출관이 개시되어 있다.
본 발명에 따른 반도체용 저압 화학기상증착장치의 가스 배출관은 공정챔버와, 반응가스 유입라인과 잔류가스 배출관이 형성되어 있는 플랜지부 및 상기 배출관과 분리가능하게 연결된 배기라인을 구비하는 반도체용 저압 화학기상증착 장치의 가스 배출관에 있어서, 상기 배출관은 외측으로 소정 길이만큼 돌출되어 있으며 상기 배출관 내에는 탈착가능한 보조배출관이 더 설치됨을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 저압 화학기상증착을 실시하는 공정챔버 내부의 반응압력을 유지시키는 용이하에 웨이퍼에 손상이 없도록 하고, 반도체용 저압 화학기상증착장치의 가스 배출관의 배출관을 보호하며, 예방정비 기간을 연장시킴과 동시에 세정시간을 단축시키는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR102065475B1
公开(公告)日：2020-01-13
申请号：KR1020130124143
申请日：2013-10-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
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