-
公开(公告)号：KR101584072B1
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：KR1020140110511
申请日：2014-08-25
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/046 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은태양전지의광흡수층을제조하기위한확산방지막으로서의탄소층을이용한비진공박막형성방법에관한것으로, 보다상세하게는 CI(G)S계박막형성시 CI(G)S계와몰리브덴(Mo)층사이에탄소층이생성되게하여기판으로부터올라오는여러이온들의확산을방지하는확산방지막의역할을하는 CI(G)S계박막을형성하는방법과이를적용한태양전지에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及使用碳层作为扩散阻挡膜来制造太阳能电池的光吸收层的非真空薄膜形成方法，更具体地说，涉及一种在CI（ G）S基和钼（Mo）层，当形成基于CI（G）S的薄膜以形成用作防止几个离子扩散的扩散阻挡膜的作用的CI（G）S基薄膜 从底物; 和使用其的太阳能电池。
-
公开(公告)号：KR101577420B1
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：KR1020130158946
申请日：2013-12-19
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은박막태양전지에관한것으로, 더욱상세하게는인듐(In), 셀레늄(Se) 또는갈륨(Ga)을포함하여구성되는버퍼층과이를적용한박막태양전지및 그제조방법에관한것이다. 이에본 발명은박막태양전지에서의황화카드뮴(CdS) 버퍼층을대체하기위한박막태양전지의버퍼층제조방법에있어서, ⅰ) 인듐(In), 셀레늄(Se) 또는갈륨(Ga)을포함하는소스를준비하는단계, ⅱ) 광흡수층위에상기의소스를공급하여버퍼층을형성하는단계를포함하는것을특징으로하는박막태양전지의버퍼층제조방법을제공한다. 본발명의제조방법에따라인듐(In), 셀레늄(Se) 또는갈륨(Ga)을포함하여구성되는버퍼층을적용하면, 종래의용액성장법으로제조된황화카드뮴(CdS) 버퍼층의문제점이었던, 독성으로인한취급의어려움과제작공정이후의폐기물로인한환경문제를해결할수 있다. 뿐만아니라, 인듐(In), 셀레늄(Se) 또는갈륨(Ga)의비율을선택적으로조절함으로써, 제작시밴드갭조절이용이한버퍼층구현이가능하다.
-
143.发明授权CI(G)S 박막과 그 제조 방법, 및 이를 이용한 CI(G)S 태양전지와 그 제조 방법. 有权CI（G）S薄膜及其制作方法，以及使用CI（G）S薄膜的CI（G）S太阳能电池及其制作方法。
公开(公告)号：KR101508133B1
公开(公告)日：2015-04-06
申请号：KR1020120151855
申请日：2012-12-24
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지에사용되는광흡수층으로사용되는 CI(G)S박막제조공정에서킬레이트제(chelating agent)를첨가하여, 광흡수층의원료로사용되는 CuI, InI및 NaSe의용해시 Cu 또는 In 과착화합물(complex)을형성하여 Se 이온과결합을구조적으로방해함으로써, 크기가작은입자를만들수 있다. 따라서, 기공(Porosity)의크기를줄이고, 조성의균일도가향상된 CI(G)S박막을제조할수 있다. 또한, 크고각 공정별로셀렌화공정조건의변화시켜야하고, 또한, 공정조건의변화가적합하지않을경우, 제조된흡수층이나 CI(G)S박막의조성이균일도가떨어지는기존의흡수층이나 CI(G)S박막제조방법의문제점을해소할수 있다.
-
公开(公告)号：KR101497955B1
公开(公告)日：2015-03-03
申请号：KR1020130087984
申请日：2013-07-25
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 후면전극을 개량한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 태양전지 모듈(module)의 뒷면으로 조사되는 빛을 투과시킬 수 있는 후면전극에 관한 것이다. 본 발명은 태양전지의 후면전극의 제조방법에 있어서, 태양전지의 투명기판(100)을 준비하는 단계(s1000); 상기 투명기판(100) 위에 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화인듐, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화주석, 산화철, 이산화주석, 인듐주석산화물 및 이들 중 2 이상의 물질의 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 후면투명전극층(200)을 형성시키는 단계(s2000); 후면투명전극층(200) 위에 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s3000) 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법 및 이에 따른 광투과 후면전극을 제공한다.
-
公开(公告)号：KR101469740B1
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：KR1020130036156
申请日：2013-04-03
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지에사용되는 CI(G)S의제조과정중 셀렌화공정의효율을높이기위한방법으로더욱구체적으로는 CI(G)S계전구체박막을일정콘테이너혹은챔버에삽입하여, 상기콘테이너혹은챔버내에셀레늄(Se)을주입하고온도를올려셀렌화하는공정을통해고압력셀렌화가가능한것에관한것으로일정콘테이너혹은챔버내에셀레늄(Se) 분압을높여고압력셀렌화를통해손실되는셀레늄(Se)을줄일수 있고, 셀렌화의효율을높이고열처리의시간을단축시킬수 있는효과를나타낸다. 이를위해상기 CI(G)S계전구체박막과상기챔버(Chamber)의간격이 6 mm 내지 20 mm이고, 상기챔버(Chamber)에셀레늄(Se)을주입하며, 셀렌화를위한열처리는상기챔버(Chamber)의내측일면또는, 내측전면에위치하는발열체에의해온도를증가시킨다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101458427B1
公开(公告)日：2014-11-10
申请号：KR1020130026155
申请日：2013-03-12
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L21/02568 , H01L21/02664 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지의 광흡수층으로서의 CI(G)S박막 제조 방법으로 Substrate를 준비하는 단계, 전구체인 CI(G)S계 화합물을 제조하는 단계, 상기 Substrate 상에 상기 전구체인 CI(G)S계 화합물을 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계, 상기 Substrate 상에 형성된 CI(G)S계 전구체 박막을 건조하는 단계, 상기 건조된 CI(G)S계 전구체 박막을 열처리를 통해 셀렌화하여 CI(G)S 박막을 형성하는 단계,상기 형성된 CI(G)S 박막을 나트륨(Na)을 포함한 버퍼층용액에 침지(Dipping)하여 버퍼(Buffer)층을 형성하는 단계, 상기 버퍼(Buffer)층이 증착된 상기 CI(G)S 박막을 열처리하여 상기 버퍼층 상의 나트륨(Na)이 나트륨 이온(Na+) 상태로 상기 버퍼층으로부터 상기 CI(G)S 박막으로 이동하도록 한다.
이를 통해 상기 나트륨 이온(Na+)이 상기 CI(G)S 박막의 결정립의 결함을 줄여주는 것이 가능하며 성능이 항상된 CI(G)S 박막을 제조하여 태양전지의 광흡수층으로 사용 가능하다.-
公开(公告)号：KR1020140126794A
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020130044033
申请日：2013-04-22
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 유연한 기판을 갖는 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 유리기판 등의 모체 기판에 분리층을 형성하고 그 위에 유연한 기판을 형성한 이후 태양전지를 제조한 뒤에 상기 분리층에 레이저를 조사하여 모체기판을 분리 제거하는 단계를 포함하여 공정이 간단하고 저비용으로 양산성을 높일 수 있는 유연한 기판을 갖는 태양전지의 제조방법이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造具有柔性基板的太阳能电池的方法，包括以下步骤：在诸如玻璃基板的母基板上形成分离层; 在分离层上形成柔性基板之后制造太阳能电池; 以及通过将激光发射到分离层来分离和去除母体衬底。 本发明提供了利用柔性基板制造太阳能电池的方法，其能够简化制造工艺并以低成本提高生产率。
-
公开(公告)号：KR101428469B1
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020130036139
申请日：2013-04-03
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: The present invention relates to a CIGS thin film solar cell having a double backside electrode. The present invention relates to a method for fabricating a solar cell which naturally generates a recess structure in a backside electrode through a high temperature process of a CIGS light absorption layer without a separate recess formation process, and to a solar cell.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有双面背面电极的CIGS薄膜太阳能电池。 本发明涉及一种用于制造太阳能电池的方法，该太阳能电池通过CIGS光吸收层的高温处理而在背面电极中自然产生凹槽结构，而没有单独的凹陷形成工艺，并且涉及一种太阳能电池。
-
公开(公告)号：KR101415251B1
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020130026267
申请日：2013-03-12
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/06 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/042 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: The present invention provides double buffer layers for increasing efficiency of a solar cell comprising: a first buffer layer and a second buffer layer formed on the first buffer layer, wherein the first buffer layer has lower contact resistance with an optical absorption layer than the second buffer layer. The double buffer layers composed of the first buffer layer and the second buffer layer have the optical absorption rate lower than a single layer formed with the same thickness of the layer whose optical absorption rate is higher between the first buffer layer and the second buffer layer wherein the buffer layer is thinner than the second buffer layer. The present invention forms the first buffer layer with a material having low contact resistance with the optical absorption layer and arranges a material with higher resistance on an upper part of the first buffer layer, thereby making the buffer layer, composed of double layers, have low contact resistance at an interface with the optical absorption layer and at the same time have the high light penetration ratio so it may increase the light which arrives at the optical absorption layer to enhance the efficiency of the solar cell.
Abstract translation: 本发明提供了一种用于提高太阳能电池效率的双缓冲层，包括：形成在第一缓冲层上的第一缓冲层和第二缓冲层，其中第一缓冲层与光吸收层的接触电阻低于第二缓冲层 层。 由第一缓冲层和第二缓冲层组成的双缓冲层的光吸收率低于在第一缓冲层和第二缓冲层之间的光吸收率较高的层的厚度相同的单层， 缓冲层比第二缓冲层薄。 本发明利用光吸收层形成具有低接触电阻的材料的第一缓冲层，并且在第一缓冲层的上部配置具有较高电阻的材料，从而使由双层组成的缓冲层具有低 在与光吸收层的界面处的接触电阻同时具有高的光穿透率，因此可以增加到达光吸收层的光，以提高太阳能电池的效率。
-
公开(公告)号：KR101406702B1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020120104629
申请日：2012-09-20
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/564 , C30B23/066
Abstract: 소스 잔류물 배출형 셔터를 구비한 진공 증발원 및 이를 포함하는 증착 장비가 개시된다. 본 발명에 따른 소스 잔류물 배출형 셔터를 구비한 진공 증발원은, 원통형의 내부 공간을 제공하는 외부 용기와, 상기 외부 용기의 내부 공간에 거치되는 도가니 및 상기 외부 용기와 상기 도가니 사이에 배치되어 상기 도가니를 가열하는 히터를 포함하는 진공 증발원 본체; 및 상기 진공 증발원 본체의 출구 측에 배치되어 상기 도가니의 출구를 개폐하는 것으로서, 상기 도가니의 출구와 마주보는 안쪽 면에 응축된 소스 잔류물이 상기 외부 용기 바깥쪽으로 흘러 배출될 수 있도록, 상기 안쪽 면의 상기 도가니 출구에 대응되는 영역으로부터 상기 외부 용기 바깥쪽 영역까지 연장되게 배치된 다수의 흐름 가이드를 갖는 셔터;를 포함한다. 본 발명에 따른 증착 장비는 전술한 구성을 가지고, 진공 챔버 내에서 기판의 중심을 향해 기울어지게 배치된, 다수의 진공 증발원을 포함한다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
159
records
(took 0.029 seconds)
