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公开(公告)号：KR100395159B1
公开(公告)日：2003-08-19
申请号：KR1020010049489
申请日：2001-08-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/06
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a bipolar complementary metal oxide semiconductor(BICMOS) device is provided to form a base of a bipolar transistor by depositing a thin silicon germanium epitaxial layer having carriers of high mobility through a chemical vapor deposition(CVD) method or molecular beam epitaxy(MBE) method. CONSTITUTION: A gate oxide layer(50) is formed on a substrate(41) of an n-well(47) and a p-well(49). An epitaxial layer including germanium and a low temperature oxide layer are sequentially formed. The low temperature oxide layer on a predetermined region of a collector, a collector connection part, the n-well and the p-well is eliminated. After the epitaxial layer on the collector connection part is removed, a conductive layer is formed. The conductive layer and the epitaxial layer in the p-well and n-well are simultaneously patterned to form an emitter on a predetermined region of the collector, an electrode in the collector connection part and a gate in a predetermined region of the n-well and p-well. The exposed gate oxide layer on the n-well and p-well is removed. An outside base(60) is formed in the rest of the collector where the emitter is not formed. A low density impurity region is formed in the n-well and p-well. An insulation layer is formed on the sidewall of the conductive layer. The epitaxial layer on the collector and in a peripheral region is left to form an outside base electrode(62) composed of the epitaxial layer. A source/drain of a lightly-doped-drain(LDD) structure is formed in the n-well and p-well.
Abstract translation: 目的：提供一种制造双极互补金属氧化物半导体（BICMOS）器件的方法，以通过化学气相沉积（CVD）方法沉积具有高迁移率载流子的薄硅锗外延层来形成双极晶体管的基极或分子 梁外延（MBE）方法。 构成：在n阱（47）和p阱（49）的衬底（41）上形成栅氧化层（50）。 依次形成包括锗和低温氧化物层的外延层。 在集电极，集电极连接部分，n阱和p阱的预定区域上的低温氧化层被消除。 在集电极连接部分上的外延层被去除之后，形成导电层。 同时对p阱和n阱中的导电层和外延层进行图案化，以在集电极的预定区域，集电极连接部中的电极和n阱的预定区域中的栅极上形成发射极 和p井。 暴露的n阱和p阱上的栅极氧化物层被去除。 外部基座（60）形成在未形成发射极的收集器的其余部分中。 在n阱和p阱中形成低密度杂质区。 绝缘层形成在导电层的侧壁上。 集电极和外围区域上的外延层留下以形成由外延层构成的外部基极（62）。 轻掺杂漏极（LDD）结构的源极/漏极形成在n阱和p阱中。
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公开(公告)号：KR100390331B1
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020010067863
申请日：2001-11-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/328
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a heterostructure bipolar transistor is provided to improve electrical characteristics by forming a junction between a thick base and an emitter using self-alignment, and isolating the base using an oxide layer. CONSTITUTION: After sequentially forming a collector(44) and a collector epitaxial layer(46) on a silicon substrate(41), the collector epitaxial layer(46) is isolated by forming an isolation layer(47) on the isolation region of the substrate. After forming a single crystal silicon epitaxial layer having the thickness of 50-200 nm on the resultant structure, an outer base region is defined by oxidizing the predetermined portion of the single crystal silicon epitaxial layer. After forming a base epitaxial layer and a dielectric layer(55), the base epitaxial layer is exposed by etching the dielectric layer(55). After sequentially forming a polysilicon layer and a silicon nitride layer, an emitter(56) made of the polysilicon layer is formed on the exposed base epitaxial layer by patterning the silicon nitride layer, the polysilicon layer and the dielectric layer(55). An outer base(58) and a base(530) are defined by implanting ions into the base epitaxial layer and the single crystal silicon epitaxial layer using the emitter(56) as a mask.
Abstract translation: 目的：提供一种制造异质结双极晶体管的方法，以通过使用自对准在厚基极和发射极之间形成结而使用氧化物层隔离基极来改善电特性。 构成：在硅衬底（41）上依次形成集电极（44）和集电极外延层（46）之后，通过在衬底的隔离区上形成隔离层（47）来隔离集电极外延层 。 在所得结构上形成厚度为50-200nm的单晶硅外延层之后，通过氧化单晶硅外延层的预定部分来限定外基区。 在形成基极外延层和介电层（55）之后，通过蚀刻介电层（55）来暴露基极外延层。 在依次形成多晶硅层和氮化硅层之后，通过图案化氮化硅层，多晶硅层和介电层（55），在暴露的基极外延层上形成由多晶硅层制成的发射极（56）。 通过使用发射极（56）作为掩模将离子注入到基极外延层和单晶硅外延层中来限定外部基极（58）和基极（530）。
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公开(公告)号：KR100384898B1
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：KR1020000076638
申请日：2000-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04N5/04
Abstract: PURPOSE: An audio/video synchronization method using a speaking speed control function is provided to synchronize audio and video with each other by using a pause length, a zero crossing rate and an energy curve. CONSTITUTION: A zero crossing rate and an energy curve are extracted from a received broadcasting sound to judge if there is a pause section or not(402). A pause length is controlled in the pause section to generate a piece-wise linear equation(404,405,406). A control rate of segmental level is obtained from the phoneme type in a sound section(407) and a control rate of super segmental level is attained from the piece-wise linear equation(408). The final speaking speed control rate is determined using the control rate of segmental level according to the phoneme type and the control rate of super segmental level according to the piece-wise linear equation(409).
Abstract translation: 目的：提供一种使用说话速度控制功能的音频/视频同步方法，通过使用暂停长度，过零率和能量曲线来使音频和视频彼此同步。 构成：从接收到的广播声音中提取零交叉率和能量曲线，以判断是否存在暂停区段（402）。 在暂停部分中控制暂停长度以生成分段线性方程（404,405,406）。 根据声音部分（407）中的音素类型获得分段水平的控制率，并从分段线性方程（408）获得超分段水平的控制率。 根据分段线性方程（409），根据音素类型和超分段水平的控制率，使用分段水平的控制率确定最终的讲话速度控制率。
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公开(公告)号：KR1020030008992A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：KR1020010044056
申请日：2001-07-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A method for forming a silicon germanium layer using different kinds of sources according to a composition ratio of germanium is provided to improve a characteristic of the silicon germanium layer by changing easily the composition ratio of the germanium of silicon germanium layer. CONSTITUTION: A forming method of a silicon germanium layer includes a process for forming an Si1-xGex layer on a substrate within a process chamber having temperature of 150 to 400 degrees centigrade by using a unit atomic layer epitaxy method. In the forming process of the Si1-xGex layer, a silicon source is supplied to an upper surface of the substrate. The first purge gas is supplied to the upper surface of the substrate. A germanium source is supplied to the upper surface of the substrate. The second purge gas is supplied to the upper surface of the substrate. A hydrogen radical is supplied to the upper surface of the substrate. The different kinds of sources are supplied according to a value of x of the Si1-xGex layer.
Abstract translation: 目的：提供根据锗的组成比使用不同种类的源形成硅锗层的方法，通过容易地改变硅锗层的锗的组成比来改善硅锗层的特性。 构成：硅锗层的形成方法包括通过使用单位原子层外延法在150至400摄氏度的温度的处理室内的衬底上形成Si1-xGex层的工艺。 在Si1-xGex层的形成工序中，将硅源供给到基板的上表面。 第一吹扫气体被供给到基板的上表面。 锗源被提供给衬底的上表面。 第二吹扫气体被供给到基板的上表面。 向基板的上表面供给氢根。 根据Si1-xGex层的x值提供不同种类的源。
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公开(公告)号：KR100327903B1
公开(公告)日：2002-03-09
申请号：KR1020000003876
申请日：2000-01-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G10L13/00
Abstract: 본 발명은 대용량 음성데이터베이스를 기반으로 하는 음성합성방식에 있어 불필요한 합성단위를 제거하는 방법에 관한 것으로, 음성 합성기에 대용량 텍스트를 입력하여 음성합성을 수행하는 단계; 합성단위 선정모듈 파라미터(피치, 지속시간, 켑스트럼, 에너지)의 가중치를 청각실험으로 튜닝하는 단계; 합성단위 선정모듈 파라미터를 이용하여 DP(Dynamic Programming) 거리 계산에 의해 최적 합성단위 후보열을 선정하는 단계; 선정된 합성단위 후보의 누적 이용빈도를 계산하는 단계; 합성음질에 영향을 끼치지 않는 최대 빈도수를 결정하는 단계; 평가문장을 사용하여 최대 빈도수 보다 빈도가 작은 합성단위 후보를 제거하기 전과 제거 후의 합성음질을 비교하여 합성음질에 영향을 끼치지 않는 최대 빈도수를 최종 결정하는 단계; 및 최종 결정된 최대 빈도수 보다 작은 빈도수를 가진 후보를 음성 데이터베이스로부터 제거하는 단계를 포함하는 합성 데이터베이스 경량화를 위한 불필요한 합성단위 제거 방법을 제공한다.
본 발명은 대용량의 텍스트 코퍼스를 합성하여 합성에 이용된 빈도가 낮은 합성단위 후보를 합성 데이터베이스에서 제거함으로써 합성음질에 거의 영향을 주지않고 합성단위가 차지하는 메모리의 크기를 줄일 수 있으며 합성 수행속도도 개선시킬 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010076625A
公开(公告)日：2001-08-16
申请号：KR1020000003876
申请日：2000-01-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G10L13/00
Abstract: PURPOSE: An unnecessary synthetic unit removing method for lightweight of synthetic database is provided to decrease a memory size, and to improve a speed of a synthetic system by removing an unnecessary synthetic unit having a slight influence upon a synthetic tone quality. CONSTITUTION: A voice synthesizer is performed by inputting a high capacity text corpus to a synthesizer(S101). At this time, because a synthetic method of the synthesizer selects and connects a synthetic unit on-line, an optimized synthetic unit selection module is used. The synthetic unit selection module selects an optimized synthetic unit candidate line by means of a DP(Dynamic Programming) distance calculation between parameters of synthetic unit. The DP distance calculation is that the degree of similarity is calculated at a boundary between the parameters of synthetic unit. Because the synthetic tone quality is decided, a weight of the parameter is tuned through a sense of hearing test before a frequency is found out in order to select a synthetic unit having an optimized synthetic tone quality(S102). After this, a sentence is inputted, and the DP distance calculation is performed by the synthetic unit selection module, and in the result of the calculation, the optimized synthetic unit line having the highest degree of similarity is selected(S103), and the synthetic unit candidate for being used in a generation of the synthetic sound is extracted. Next, an accumulated frequency of use is calculated, and a maximum frequency of the candidate to be removed is decided(S105). At this time, the accumulated frequency of use is used in the time of the synthetic sound of the final synthetic unit candidate. Finally, the synthetic unit candidate having smaller frequency than the maximum frequency is removed at the high capacity text corpus, and before and the synthetic tone quality is compared after a removal of the synthetic unit(S106,S107).
Abstract translation: 目的：提供一种用于轻量化合成数据库的不必要的合成单元去除方法以减少存储器大小，并且通过去除对合成色调质量有轻微影响的不必要的合成单元来提高合成系统的速度。 构成：通过向合成器输入高容量文本语料库来执行语音合成器（S101）。 此时，由于合成器的合成方法在线选择合成单元，所以使用优化的合成单元选择模块。 合成单元选择模块通过合成单元参数之间的DP（动态编程）距离计算来选择优化的合成单元候选线。 DP距离计算是在合成单位的参数之间的边界处计算相似度。 由于合成音调质量被决定，所以在找出频率之前通过听觉测试来调整参数的权重，以便选择具有优化的合成音质的合成单元（S102）。 之后，输入一个句子，并通过合成单元选择模块执行DP距离计算，并且在计算结果中，选择具有最高相似度的优化合成单元线（S103），并且合成 提取用于生成合成声音的单元候选。 接下来，计算累积的使用频率，决定要移除的候选者的最大频率（S105）。 此时，在最终合成单位候选人的合成声音时使用累积的使用频率。 最后，在高容量文本语料库中除去具有比最大频率小的频率的合成单元候选，并且在除去合成单元之前比较合成音质之前（S106，S107）。
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公开(公告)号：KR100175464B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019950055859
申请日：1995-12-23
Abstract: 본 발명은 전화번호 안내시스템(114 안내시스템)에서 114 안내음성의 자연성을 향상시킬 수 있을 뿐만아니라 중복 음성단위를 별도로 저정하여 메모리 사용량을 줄일 수 있도록 한 전화번호 안내용 음성데이터 제작 방법에 관한 것으로, 전화번호 안내음성에서 중북되는 음성단위를 추출하여 유사음운 환경별로 그룹화하는 제1단계;상기 유사음운 환경별로 숫자음 음절위치에 따른 영향을 고려하여 숫자음 음성단위를 생성하는 제2단계;숫자음 음운환경에 따라 음운환경이 경음화된 음성단위를 생성하는 제3단계;및 전화번호 안내문장을 이루는 나머지 전체 음성단위를 생성하는 제4단계를 구비하여, 음운환경, 숫자음의 위치, 경음화 등을 고려하므로써 안내음성의 자연성을 향상시킬 수 있고, 요구되는 메모리의 크기도 최소화할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100146549B1
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019950014828
申请日：1995-06-05
Abstract: 본 발명은 한국어 텍스트/ 음성 변환 방법에 관한 것으로, 규칙을 이용한 언어 처리 모듈, 운율 처리 모듈을 통하여 합성음의 자연성을 높이고, 합성음 생성 모듈에서는 TD-PSOLA 합성기를 이용하여 합성음의 명료도를 높인 한국어 텍스트/ 음성 변환 방법을 제공하기 위하여, 한국어의 음운 구조 형태와 음소 연결의 제약을 분석하여 합성단위를 분류하는 제 1 단계; 음소 단위로 합성단위를 쉽게 억세스하고, 음소의 지속 시간 변경 및 피치 제어를 실시간에 처리하기 위한 구조로 합성단위 데이타베이스를 작성하는 제 2 단계; 상기 합성단위 데이타베이스에서 음절의 각 세그먼트에 필요한 데이타를 음소, 반음절 형태소로 가져오는 제 3 단계; 및 텍스트 문장에 대하여 전처리를 수행한 후에 어절 분석을 하고 파싱 과정을 수행한 다음에 글자/음운 변환을 수행하고, 문장 구조에 따라 적합한 운율 규칙을 적용하고, 발음 기호와 운율 정보를 합성단위 DB에서 검색하여 합성단위들을 제 4 단계를 포함하여 합성음의 자연성의 유창성의 향상을 높이고, 구현이 용이하고 합성음의 명료도를 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR102214178B1
公开(公告)日：2021-02-10
申请号：KR1020130155310
申请日：2013-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 사용자가편리하게자동통역장치를실행할수 있는 UI(User Interface)를생성하고사용자의위치를고려하여출력화면의크기를제어하며, 사용자의선택에대응하여통역수행에필요한고유명사를반영시킬수 있는자동통역장치및 방법이개시된다. 본발명에따른자동통역장치는, 통역개시및 통역처리과정에필요한 UI(User Interface)를생성하는 UI 생성부, 통역하고자하는통역대상을사용자로부터입력받는통역대상입력부, 상기통역대상입력부에의하여입력받은통역대상에대하여통역을수행하여통역수행결과를생성하는통역대상통역부및 상기사용자의위치에대응하여상기통역수행결과및 상기 UI를출력하는터치패널로구성되는디스플레이부를포함한다.
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