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    Procédé de fabrication d'un modulateur électro-optique latéral sur silicium à zones implantées auto-alignées
    142.
    发明公开
    Procédé de fabrication d'un modulateur électro-optique latéral sur silicium à zones implantées auto-alignées 有权
    具有自对准掺杂区上的硅制造的横向电光调制器的方法

    公开(公告)号：EP2177944A1

    公开(公告)日：2010-04-21

    申请号：EP09172882.4

    申请日：2009-10-13

    Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： Fedeli, Jean-Marc

    IPC: G02F1/025 ,  H01L21/266 ,  G02B6/134

    CPC classification number: G02F1/025 ,  G02B6/1347 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12142 ,  G02F2001/0151 ,  G02F2201/063 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un modulateur électro-optique latéral sur un substrat SOI, le modulateur comprenant un guide d'onde en arête formé dans la couche mince de silicium du substrat SOI, le guide d'onde en arête étant placé entre une région dopée P et une région dopée N formées dans la couche mince de silicium, le guide d'onde en arête occupant une région intrinsèque de la couche mince, au moins une zone dopée P étant formée dans l'arête et perpendiculairement au substrat. Le procédé comprend des étapes de masquage de la couche mince de silicium pour y définir l'arête du guide d'onde, de gravure de l'arête, de masquage de la couche mince de silicium pour délimiter les parties à doper P, de dopage des parties à doper P, de masquage de la couche mince de silicium pour délimiter la région à doper N et de dopage de la région à doper N. Les étapes de masquage mettent en ouvre un masque dur dont le motif permet de définir l'arête du guide d'onde, la zone à doper P dans l'arête du guide d'onde et la limite de la région dopée N par rapport à l'arête du guide d'onde.

    Abstract translation: 的方法包括将图案用于限定一脊形波导，P掺杂区域和N掺杂区域掩蔽使用硬掩模（206）的薄硅膜的层（204）。 波导是存在于硅层的边缘，并且所述掺杂区域，其中该边缘波导占据在所述薄层的本征区域之间放置。 在P掺杂区域，本征区和N掺杂区域构成PIN二极管结构，其中在P掺杂区域中的一个的边缘与垂直于基板上形成。 硬掩模是由硬掩模层的蚀刻而形成。该方法包括掩蔽使用硬掩模（206），与图案用于限定一脊形波导，P掺杂区域和N掺杂区的薄硅膜的层（204）。 波导是存在于硅层的边缘，并且所述掺杂区域，其中该边缘波导占据在所述薄层的本征区域之间放置。 在P掺杂区域，本征区和N掺杂区域构成PIN二极管结构，其中在P掺杂区域中的一个的边缘与垂直于基板上形成。 硬掩模是由硬掩模层的蚀刻而形成。所述硬掩模图案具有外边缘做限定内部狭缝波导边缘没有定义在波导边缘被掺杂的区域。 形成在硬掩模的第一树脂掩模，蚀刻所述薄的硅层的未被掩蔽部分，以获得波导的边缘用于去除第一树脂掩模，形成第二树脂掩模的方法还包括做掩模所做的是该结构的部 不掺杂的，进行该薄硅层的非掩蔽部分的P型掺杂的，除去第二树脂掩模，形成所述结构的第三树脂掩模掩蔽部分并没有被掺杂，进行的N型掺杂 通过硅的薄层非掩蔽部分，在去除第三树脂掩模;以及去除硬掩模，所述第一树脂掩模覆盖硬掩模的狭缝，并从硬掩模的外边缘限定了波导边缘收缩。 第二树脂掩模包括的边缘从硬掩模的狭缝的边缘收缩的狭缝。上的区域的一侧的树脂的第三掩模的边缘为N掺杂被从对应边缘缩水 硬掩模。N型掺杂通过等离子体的离子注入沿0°〕进行关于垂直方向上的SOI衬底用于掺杂波导边缘与n掺杂区的一侧。 在薄的硅层进行蚀刻的步骤，并且所述第一树脂掩模的去除步骤之间设置硬掩模的部分的完整的蚀刻。

    LIGHT CONTROL ELEMENT
    143.
    发明公开
    LIGHT CONTROL ELEMENT 有权
    LICHTSTEUERELEMENT

    公开(公告)号：EP2006723A1

    公开(公告)日：2008-12-24

    申请号：EP07740632.0

    申请日：2007-03-30

    Applicant: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO., LTD.

    Inventor： ICHIKAWA, Junichiro, Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. ,  YAMAMOTO, Futoshi, Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. ,  KINPARA, Yuhki, Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. ,  KONDOU, Katsutoshi, Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. ,  OIKAWA, Satoshi, Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd.

    IPC: G02F1/035

    CPC classification number: G02F1/0356 ,  G02F1/2255 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/066 ,  G02F2201/121

    Abstract: It is an object to provide an optical control device capable of realizing speed matching between a microwave and a light wave or impedance matching of microwaves and of reducing a driving voltage.
    An optical control device including a thin plate 1 (11) which has an electro-optical effect and has a thickness of 10 µm or less, an optical waveguide 2, formed in the thin plate, and control electrodes for controlling light passing through the optical waveguide is characterized in that the control electrodes are configured to include a first electrode and a second electrode disposed to interpose the thin plate therebetween, the first electrode has a coplanar type electrode including at least a signal electrode 4 and a ground electrode 5, and the second electrode has at least a ground electrode 54 (55, 56) and is configured to apply an electric field to the optical waveguide in cooperation with the signal electrode of the first electrode.

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够实现微波与光波之间的速度匹配或微波的阻抗匹配以及降低驱动电压的光学控制装置。 一种光学控制装置，包括具有电光效应并且具有10μm以下的厚度的薄板1（11），形成在薄板中的光波导2，以及用于控制通过光学的光的控制电极 波导的特征在于，控制电极被配置为包括第一电极和设置成将薄板夹在其间的第二电极，第一电极具有至少包括信号电极4和接地电极5的共面型电极，并且 第二电极具有至少一个接地电极54（55,56），并且被配置为与第一电极的信号电极协作地向光波导施加电场。

    COUPLED-WAVEGUIDE ELECTRO-OPTIC SWITCH BASED ON POLARISATION CONVERSION
    146.
    发明公开
    COUPLED-WAVEGUIDE ELECTRO-OPTIC SWITCH BASED ON POLARISATION CONVERSION 审中-公开
    与基于偏振转换耦合光纤ELECTRO光开关

    公开(公告)号：EP1618433A1

    公开(公告)日：2006-01-25

    申请号：EP03723087.7

    申请日：2003-04-30

    Applicant: Pirelli & C. S.p.A.

    Inventor： CRESPI, Paola ,  SOCCI, Luciano

    IPC: G02F1/035

    CPC classification number: G02F1/3132 ,  G02F1/0316 ,  G02F1/0353 ,  G02F2201/063 ,  G02F2203/07

    Abstract: An opto-electronic device (1) comprising a directional coupler (11) provided with a first waveguide (1) to receive incoming electromagnetic radiation, said first guide comprising a guiding region (3) of electro-optic material. Moreover, the directional coupler comprises a second waveguide (2) into which can be coupled at least a first portion of said incoming radiation and provided with a port for radiation being output. The opto-electronic device is equipped with a structure for generating (12, 13) a controlling electric field (ERF) at least inside said first guide (1) of the directional coupler and such as to cause in said electro-optic material polarization conversion of at least part of said incoming radiation. By means of this polarization conversion it is possible to control the power of the radiation being output from the second waveguide, producing a modulator, a changeover switch, an attenuator or an open-or-closed switch.

    WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT
    148.
    发明公开
    WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT 审中-公开
    WELLENLÄNGEUMWANDLUNGELEMENT

    公开(公告)号：EP1542070A1

    公开(公告)日：2005-06-15

    申请号：EP03797651.1

    申请日：2003-09-18

    Applicant: National Institute for Materials Science

    Inventor： KURIMURA, S., National Institute MaterialsScience ,  HARADA, Masaki, Nikon Corporation

    IPC: G02F1/377

    CPC classification number: G02F1/3544 ,  G02F2001/3509 ,  G02F2201/063

    Abstract: Two grooves 10 are diced in parallel along the light passage direction in a quartz quasi-phase matching element 1. Consequently, as is shown in (b) and (c), a protruding part 11 which is positioned between the two grooves 10 is formed on the upper surface side (in the figures), and a ridge type waveguide 9 is formed inside this protruding part. Accordingly, if light is caused to pass through this ridge type waveguide 9, the light can be caused to pass through the portions with inverted crystal axes (polarization inversion regions) 4, and can be subjected to a wavelength conversion, in a state in which the light is confined into the ridge type wavelength guide 9. As a result, a state can be produced in which the energy of the light is high inside the wavelength conversion region, so that a high wavelength conversion efficiency can be obtained.

    Abstract translation: 在石英准相位匹配元件1中沿着光通道方向平行切割两个槽10.因此，如（b）和（c）所示，形成位于两个槽10之间的突出部11 在上表面侧（图中），在该突出部内形成有脊状波导9。 因此，如果使光通过该脊型波导9，则可以使光通过反转晶轴（极化反转区域）4的部分，并且可以在其中进行波长转换，其中 光被限制在脊型波长引导件9中。结果，可以产生在波长转换区域内光的能量高的状态，从而可以获得高的波长转换效率。

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