Waveguide type optical device
    141.
    发明授权
    Waveguide type optical device 失效
    波导型光学器件

    公开(公告)号:US5185823A

    公开(公告)日:1993-02-09

    申请号:US804062

    申请日:1991-12-09

    CPC classification number: G02F1/035 G02F1/05 G02F2201/066 G02F2203/21

    Abstract: In a waveguide type optical device which has an optical waveguide and modulation electrodes for varying its refractive index, both formed in the top of a substrate and a ferroelectric crystal having a pyroelectric effect, the top of the crystal substrate being parallel to the direction of its spontaneous polarization, conductive films are formed in two surfaces of the crystal substrate which cross the direction of the spontaneous polarization. The conductive films are electrically interconnected to thereby prevent a change in the operating temperature characteristic of the optical device which is caused by the pyroelectric effect of the crystal substrate.

    用於全光學脈波位置調變之高線性電光延遲產生器
    146.
    发明专利
    用於全光學脈波位置調變之高線性電光延遲產生器 失效
    用于全光学脉波位置调制之高线性电光延迟产生器

    公开(公告)号:TW561715B

    公开(公告)日:2003-11-11

    申请号:TW091110902

    申请日:2002-05-23

    IPC: H04B G02F

    Abstract: 一種光延遲產生器包括一個由電光活性材料製成,並諧振耦合至第二非電光活性導波管的第一導波管。該第一導波管包括一個線性調頻脈波分布布拉格反射器(chirped distributed Bragg reflector,C-DBR)結構,反射一特定波長之光學信號於此結構內之一特定反射點。適用於第一導波管的電場改變了該電光活性材料的折射率,並因而轉移了該反射點。自該反射點反射的光學信號被諧振耦合進第二導波管,且因此被適用於第一導波管的電場所影響。適用於光學信號的可控制光延遲產生於控制該反射點,以及光學信號向前傳播於第一導波管,反射於反射點,並向後傳播於第二導波管的來回傳導時間。

    Abstract in simplified Chinese: 一种光延迟产生器包括一个由电光活性材料制成,并谐振耦合至第二非电光活性导波管的第一导波管。该第一导波管包括一个线性调频脉波分布布拉格反射器(chirped distributed Bragg reflector,C-DBR)结构,反射一特定波长之光学信号于此结构内之一特定反射点。适用于第一导波管的电场改变了该电光活性材料的折射率,并因而转移了该反射点。自该反射点反射的光学信号被谐振耦合进第二导波管,且因此被适用于第一导波管的电场所影响。适用于光学信号的可控制光延迟产生于控制该反射点,以及光学信号向前传播于第一导波管,反射于反射点,并向后传播于第二导波管的来回传导时间。

    光切換器
    147.
    发明专利
    光切換器 失效
    光切换器

    公开(公告)号:TW583417B

    公开(公告)日:2004-04-11

    申请号:TW091114661

    申请日:2002-07-02

    IPC: G02B G02F

    CPC classification number: G02F1/3515 G02F2201/066

    Abstract: 本發明之技術課題為:在於提供消耗電力少、具有高速應答性、且具備適合於小型化及多頻道化之結構的光切換器。
    用以解決上述課題之手段為:在於信號光射入的至少一個射入芯材a、選擇性地射出訊號光時複數個射出芯材 b、c、以及連接前述射入芯材b、c與前述複數個射出芯材用的複數個導波路徑之光切換器,將當被激勵時折射率較周圍變化成高出2%以上且用以控制前述訊號光的射出方向的非線性光學元件設在前述複數個導波路徑的至少其中一處所之附近。
    可獲得:10ns至1ps的級數來應答之能高速切換的光切換器。又因非常小型化,所以能夠達到n×n矩陣型光切換器。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之技术课题为:在于提供消耗电力少、具有高速应答性、且具备适合于小型化及多频道化之结构的光切换器。 用以解决上述课题之手段为:在于信号光射入的至少一个射入芯材a、选择性地射出信号光时复数个射出芯材 b、c、以及连接前述射入芯材b、c与前述复数个射出芯材用的复数个导波路径之光切换器,将当被激励时折射率较周围变化成高出2%以上且用以控制前述信号光的射出方向的非线性光学组件设在前述复数个导波路径的至少其中一处所之附近。 可获得:10ns至1ps的级数来应答之能高速切换的光切换器。又因非常小型化,所以能够达到n×n矩阵型光切换器。

    光電調制器及其製造方法 ELECTRO-OPTICAL MODULATOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    148.
    发明专利
    光電調制器及其製造方法 ELECTRO-OPTICAL MODULATOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 失效
    光电调制器及其制造方法 ELECTRO-OPTICAL MODULATOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

    公开(公告)号:TW200947095A

    公开(公告)日:2009-11-16

    申请号:TW097117903

    申请日:2008-05-15

    Inventor: 徐世祥

    IPC: G02F H01S

    CPC classification number: G02F1/025 G02F2001/0156 G02F2201/066

    Abstract: 一種光電調制器,包括基板、第一絕緣層、光波導、第一摻雜半導體層、第二絕緣層、第二摻雜半導體層以及第三絕緣層。第一絕緣層配置於基板。光波導配置於第一絕緣層。光波導包括第一半導體層、第二半導體層以及第三半導體層。第一半導體層配置於第一絕緣層。第二半導體層配置於第一半導體層。第三半導體層配置於第二半導體層。第一摻雜半導體層配置於第一絕緣層且位於光波導的相對二側以電性連接光波導。第二絕緣層配置於基板以覆蓋第一摻雜半導體層。第二摻雜半導體層配置於第二絕緣層且位於第三半導體層的一側以電性連接第三半導體層。

    Abstract in simplified Chinese: 一种光电调制器,包括基板、第一绝缘层、光波导、第一掺杂半导体层、第二绝缘层、第二掺杂半导体层以及第三绝缘层。第一绝缘层配置于基板。光波导配置于第一绝缘层。光波导包括第一半导体层、第二半导体层以及第三半导体层。第一半导体层配置于第一绝缘层。第二半导体层配置于第一半导体层。第三半导体层配置于第二半导体层。第一掺杂半导体层配置于第一绝缘层且位于光波导的相对二侧以电性连接光波导。第二绝缘层配置于基板以覆盖第一掺杂半导体层。第二掺杂半导体层配置于第二绝缘层且位于第三半导体层的一侧以电性连接第三半导体层。

    光変調器
    149.
    发明专利
    光変調器 审中-公开
    调光器

    公开(公告)号:JPWO2014156480A1

    公开(公告)日:2017-02-16

    申请号:JP2015508209

    申请日:2014-03-03

    Abstract: 本発明の光変調器1は、第1の導電型を有する第1の半導体層4と、第1の半導体層4上に形成され、第1の半導体層4上を第1の方向に延びる誘電体層5と、誘電体層5上に形成され、第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する第2の半導体層6と、を有し、誘電体層5が、第1の方向から見たときに、誘電体層5の幅方向の中央に位置し、誘電体層5の厚さ方向における電気容量が相対的に大きい第1の領域5aと、幅方向の端部に位置し、厚さ方向における電気容量が相対的に小さい第2の領域5bと、を有している。

    Abstract translation: 本发明的光调制器1包括具有形成在第一半导体层4上的第一导电类型4上的第一方向延伸的第一半导体层4的第一半导体层,介电 形成在介电层5,以及具有第二导电类型不同于第一导电类型不同,具有与第二半导体层6,电介质层5,第一上主体层5 从方向,位于所述电介质层5的宽度方向的中央观察时,第一区域5a电容是在电介质层5的厚度方向上相对大,位于在宽度方向的端 并已5b中电容的第二区域是在厚度方向上相对小。

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