公开(公告)号：CN1398427A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN01804662.2

申请日：2001-12-07

Applicant: 信越聚合物株式会社 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 矢岛敏嗣 ,  镰田俊行

IPC: H01L21/68 ,  B65D85/90 ,  F16J15/10

CPC classification number: H01L21/67376 ,  B29C45/1676 ,  F16J15/025 ,  F16J15/062 ,  F16J15/104

Abstract: 一种介于由具有开口端部的容纳片料的容器本体(20a)与盖体(20b)构成的片料容纳容器(20)的所说开口端部与所说盖体之间的密封件(10)，所说密封件由以第一材料形成的基体部分(11)，以及以第二材料形成的、将所说基体部分的至少一部分覆盖的被覆部分(12)构成，所说被覆部分具有与所说容器本体和盖体中的一方接触而形成密封的密封形成部。

公开(公告)号：CN1383186A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02118666.9

申请日：2002-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 池田均 ,  铃木金吾

IPC: H01L21/00

Abstract: 将从粘合片2上的半导体晶片1剥离的部分作为已剥离区域,除此以外的部分作为未剥离区域,此时,一边将这些已剥离区域与未剥离区域的边界(剥离边界)在滑板200a的边界12’处保持成直线状、一边使粘合片2相对滑板200a进行相对性移动,使剥离边界沿着半导体晶片1的主面进行移动。采用这种方法,不会对半导体晶片1施加过份的力,能可靠地从粘合片2上剥离。

公开(公告)号：CN1365403A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN01800727.9

申请日：2001-03-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 星亮二 ,  布施川泉 ,  太田友彦 ,  前田茂丸

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206

Abstract: 本发明提供一种硅片及硅单晶的制造方法,对使用CZ法在V－多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒进行切割得到镜面硅片,用粒子计数器计数粒子时,0.1μm尺寸以上的计数数目为1个/cm2以下。由此,提供一种使COP等缺陷的密度与尺寸更加减低,提高装置特性优良的高品质硅片的生产性,并减低成本的制造技术。

公开(公告)号：CN1345096A

公开(公告)日：2002-04-17

申请号：CN01141187.2

申请日：2001-09-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樋口晋 ,  鈴木由佳里 ,  川崎真 ,  相原健

IPC: H01L33/00

Abstract: 让GaP磊晶晶圆之第一主表面侧接触于Ga溶液,对于与该Ga溶液相接之周围环境气氛供给作为氮源之NH3气体,以进行N掺杂之GaP层的液相磊晶生长。接着,于该制程中使得Ga溶液之周围环境气氛之氨浓度做阶段性或连续性的增加。

公开(公告)号：CN1304461A

公开(公告)日：2001-07-18

申请号：CN00800858.2

申请日：2000-03-02

Applicant: 直江津电子工业株式会社 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 长谷川宏一 ,  大久保裕司

IPC: C30B29/06 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 直接在化学蚀刻基片上形成硅单晶薄膜之方式,能有效地降低全制程所需时间,对于硅外延晶片之制造成本的降低与制造效能之提升,进而在晶片价格的降低以及交期缩短上有相当大的贡献。此外,于进行化学蚀刻处理时,由于能将蚀刻量确保在60μm以上,因此能将化学蚀刻基片主表面的光泽度提高到95%以上。由此,能将形成于化学蚀刻基片主表面上之硅单晶薄膜之光泽度提高到95%,而在其后之光刻步骤中亦能毫无问题地进行自动校准处理。

公开(公告)号：CN1193054A

公开(公告)日：1998-09-16

申请号：CN98100136.X

申请日：1998-01-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿部孝夫 ,  木村雅规

IPC: C30B15/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/36 ,  Y10S117/911

Abstract: 在一种利用柴克劳斯基法制造硅单晶的方法中,使用一种具有尖点形状或是尖点截头之尖端的晶种。晶种尖端缓慢与硅烷体接触,并且以缓慢的速度降低晶种的高度,以便熔融晶种尖端部直到该尖端部的面积增加到预定值。接着慢慢将晶种向上提拉,以便生长出具有预定直径的硅单晶晶锭而不进行缩颈操作。此方法可以轻易地提拉出重的硅单晶,而不进行缩颈操作,同时不需要使用例如晶体固定机构等的复杂装置。

公开(公告)号：CN1130439A

公开(公告)日：1996-09-04

申请号：CN95190610.0

申请日：1995-07-07

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 松尾慎一 ,  藤卷延嘉 ,  渡边城康 ,  加藤金太郎

IPC: H01L21/68 ,  B65D85/38

CPC classification number: H01L21/67366 ,  B65D11/188 ,  B65D21/0234 ,  H01L21/67379 ,  H01L21/67386

Abstract: 在本发明中，一对盒状半容器由聚对苯二甲酸乙二醇酯或类似的材料制成。每一半容器具有一水平边壁，该边壁具有凸起和凹陷，以及凸起的导轨和凹陷的导轨，还具有在其相对侧壁之间所形成的下凹的半导体容纳壁用于容纳半导体晶体。半导体晶体置于半容器的一个之中，并然后以另一个半容器覆盖，使得凸起和凹陷的导轨彼此啮合，并且凸起和凹陷彼此啮合。容纳在该容器中的半导体晶体受到容器壁弹力的推压。

公开(公告)号：CN114631171B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202080075496.2

申请日：2020-09-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木顺也 ,  佐藤正和

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明涉及一种评价方法，包含以下工序：获得镜面研磨晶圆的整面的厚度方向的形状测量数据；每隔一定的旋转角度在一定间距的点上对晶圆的直径方向的形状测量数据进行一阶或二阶微分而获得微分分布，比较获得的微分分布，确定切片切断方向；每隔与所确定的切片切断方向即y方向正交的x方向的一定的间隔，以一定的间距对y方向的形状测量数据进行一阶或二阶微分，获得x‑y网格数据；在y方向上，根据x‑y网格数据，求出包含晶圆的中心的中间部区域中的最大微分值、及与中间部区域相比更靠外侧的上端侧区域及下端侧区域的最大微分值；以及根据各最大微分值，判断有无在器件制造工序中产生缺陷的可能性。由此，提供一种能够有效地评价因切片工序引起的起伏形状的方法。

公开(公告)号：CN115244229B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202180020036.4

申请日：2021-02-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 高野清隆 ,  菅原孝世 ,  镰田洋之 ,  小内骏英 ,  太田友彦

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20 ,  C30B30/04

Abstract: 本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置于该提拉炉的周围，且具有超导线圈，通过对熔融的半导体原料施加水平磁场，从而抑制在坩埚内的对流，超导线圈是鞍型形状，设有2组对置配置的鞍型形状的超导线圈的对，2组超导线圈的对中的2根所述线圈轴包含在相同的水平面内，在水平面内，在将提拉炉的中心轴的磁力线方向设为X轴时，2根线圈轴间的夹着X轴的中心角度α为100度以上、120度以下。由此，提供能够通过提高磁场产生效率来减小线圈高度，而能够将磁场中心提高至半导体原料的熔融液面附近，从而能够获得氧浓度比以往更低的单晶的单晶提拉装置及单晶提拉方法。

公开(公告)号：CN114174569B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202080046408.6

申请日：2020-06-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  井川静男 ,  砂川健

IPC: C30B31/06 ,  C30B29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，其具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序；在进行所述第二RTA处理后，冷却所述单晶硅晶圆的工序；及在进行所述冷却后，进行第三RTA处理的工序，通过这些工序，将所述单晶硅晶圆改质成从表面侧起依次具有3C‑SiC单晶层、碳析出层、间隙碳与硅的扩散层、及空位与碳的扩散层。由此，提供可通过将单晶硅晶圆的表层的碳浓度设定为高浓度、并使表面的碳浓度分布均匀而提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。