公开(公告)号：CN114631171B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202080075496.2

申请日：2020-09-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木顺也 ,  佐藤正和

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明涉及一种评价方法，包含以下工序：获得镜面研磨晶圆的整面的厚度方向的形状测量数据；每隔一定的旋转角度在一定间距的点上对晶圆的直径方向的形状测量数据进行一阶或二阶微分而获得微分分布，比较获得的微分分布，确定切片切断方向；每隔与所确定的切片切断方向即y方向正交的x方向的一定的间隔，以一定的间距对y方向的形状测量数据进行一阶或二阶微分，获得x‑y网格数据；在y方向上，根据x‑y网格数据，求出包含晶圆的中心的中间部区域中的最大微分值、及与中间部区域相比更靠外侧的上端侧区域及下端侧区域的最大微分值；以及根据各最大微分值，判断有无在器件制造工序中产生缺陷的可能性。由此，提供一种能够有效地评价因切片工序引起的起伏形状的方法。

公开(公告)号：CN119816933A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380063380.0

申请日：2023-08-07

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大西理 ,  佐藤正和

IPC: H01L21/66 ,  B23K26/00 ,  B23K26/16 ,  G01N21/956 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明是一种碎屑判定方法，在晶圆的背面形成硬激光标记后，或在形成所述硬激光标记之后对所述晶圆的背面进行研磨后，判定在所述硬激光标记的周边是否产生碎屑，其特征在于，通过平整度测量机测量所述晶圆的厚度偏差的参数，然后提取包含所述硬激光标记的区域（以下，称为区域A）的厚度偏差的参数的统计数据，并且提取与所述区域A相邻的区域（以下，称为区域B）的厚度偏差的参数的统计数据，比较所述区域A与所述区域B的统计数据并求得差异，当所述差异为规定的阈值以上时判定为产生碎屑。由此，提供一种能够正确地检测由碎屑产生的局部的厚度变化的碎屑判定方法。

公开(公告)号：CN114631171A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202080075496.2

申请日：2020-09-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木顺也 ,  佐藤正和

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明涉及一种评价方法，包含以下工序：获得镜面研磨晶圆的整面的厚度方向的形状测量数据；每隔一定的旋转角度在一定间距的点上对晶圆的直径方向的形状测量数据进行一阶或二阶微分而获得微分分布，比较获得的微分分布，确定切片切断方向；每隔与所确定的切片切断方向即y方向正交的x方向的一定的间隔，以一定的间距对y方向的形状测量数据进行一阶或二阶微分，获得x‑y网格数据；在y方向上，根据x‑y网格数据，求出包含晶圆的中心的中间部区域中的最大微分值、及与中间部区域相比更靠外侧的上端侧区域及下端侧区域的最大微分值；以及根据各最大微分值，判断有无在器件制造工序中产生缺陷的可能性。由此，提供一种能够有效地评价因切片工序引起的起伏形状的方法。

公开(公告)号：CN1545723A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN03800842.4

申请日：2003-06-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 宫下昭 ,  讃岐幸悦 ,  佐藤正和

IPC: H01L21/02 ,  B24B9/00

CPC classification number: B24B37/042

Abstract: 本发明是一种半导体晶片，其特征为：该半导体晶片的外周部形状是在晶片表面弯曲成凸起(翘起)，并且在晶片背面弯曲成悬垂(下垂)。由此，提供在器件制造工程中，即使光刻工程的曝光装置的晶片夹具形状具有偏差，也能够以高良品率在晶片上形成器件图形，并且于进行CMP时能以均匀的研磨量来研磨晶片的半导体晶片。