전자빔 증발증착 장치용 도가니
    151.
    发明授权
    전자빔 증발증착 장치용 도가니 有权
    可溶于电子束蒸发器

    公开(公告)号:KR101680258B1

    公开(公告)日:2016-11-29

    申请号:KR1020150112703

    申请日:2015-08-10

    CPC classification number: C23C14/243 C23C14/14 C23C14/30

    Abstract: 본발명은 Al에대해서도안정적인증발효율과내구성을나타내는도가니에관한것으로, 전자빔증발증착장치의증발원에사용되는도가니로서, 측벽과바닥으로구성되고, 안쪽공간에증착물질이위치하는보관부; 및측벽과바닥으로구성되고, 상기보관부의바깥쪽에결합되며, 상기보관부의측벽보다측벽의높이가더 높은웨팅(Wetting)방지부를포함한다. 본발명은, 측벽의높이가상대적으로더 높은웨팅방지부를구비함으로써, 안쪽에위치하는보관부의측벽범위에서만 Al 웨팅이발생하여도가니의사용수명이늘어나는효과가있다. 또한, 웨팅방지를위한세라믹재질과의접촉을최소화함으로써, 증착된 Al에불순물이포함되어박막의물성의저하되는것을방지할수 있는효과가있다. 최종적으로, 도가니교체없이고품질의 Al 박막을반복적으로형성할수 있는전자빔증발증착장치를제공한다.

    Abstract translation: 公开了一种在电子束蒸发器的蒸发源中使用表现出稳定的蒸发效率和相对于Al的耐久性的坩埚,并且包括包括壁和底部并且沉积材料放置在其中的存储单元 以及包括比存储单元的壁高的另一壁和另一底部的润湿防止单元,并且与存储单元的外部组合。 设置润湿防止单元,使得只有存储单元的壁被Al润湿,因此,坩埚的寿命被延长。 此外,为了防止润湿,与陶瓷材料的接触最小化,从而防止由于与沉积的Al混合的杂质导致的薄膜的物理性能的降低。

    화합물 박막을 이용한 다중접합 태양전지 제조 방법 및 다중접합 태양전지
    152.
    发明授权
    화합물 박막을 이용한 다중접합 태양전지 제조 방법 및 다중접합 태양전지 有权
    使用复合薄膜和多功能太阳能电池的多功能太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:KR101626929B1

    公开(公告)日:2016-06-02

    申请号:KR1020140164921

    申请日:2014-11-25

    Abstract: 본발명은화합물박막태양전지셀을복수로구비하는다중접합태양전지의제조방법에관한것으로, 기판의상면과하면에투명전극층을형성하는단계; 상기투명전극층이형성된기판의상면과하면에광흡수층을동시에형성하는단계; 상기광흡수층이형성된기판의상면과하면에버퍼층을형성하는단계; 및상기버퍼층이형성된기판의상면에전면전극을형성하고하면에후면전극을형성하는단계;를포함한다. 본발명은, 상부셀과하부셀을한쪽방향으로계속하여적층하지않고기판을중심으로위쪽과아래쪽으로각각형성함으로써, 종래에하부셀과상부셀을순차적으로제조하는경우에나중에제조되는셀의제조과정에서발생하는열에의하여먼저제조된셀의광흡수층이열화되는문제및 먼저제조된셀의광흡수층과버퍼층의계면에서발생하는손상을피할수 있는효과가있다. 또한, 상부셀과하부셀을각각제조하는경우에비하여공정수가줄어들며, 상부셀과하부셀을별도로제조하여접합하는과정에서발생하는문제를방지할수 있는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种包括多个复合薄膜太阳能电池单元的多结太阳能电池的制造方法,包括以下步骤:在基板的上表面和下表面上形成透明电极层; 同时在其上形成有透明电极层的基板的上表面和下表面上形成光吸收层; 在其上形成有光吸收层的基板的上表面和下表面上形成缓冲层; 以及在其上形成有缓冲层的基板的上表面上形成正面电极,并在下表面形成后表面电极。 本发明可以解决在传统地制造下电池和上电池的情况下,制造较晚制造电池的过程中产生的热量,早期制造的电池的光吸收层劣化的问题,以及 可以避免对早期制造的电池的光吸收层和缓冲层之间的界面的损坏,因为上电池和下电池相对于衬底形成在上侧和下侧,而不是连续堆叠 上单元和下单元。 此外,与分开制造上部单元和下层单元的情况相比,处理次数减少,并且可以防止在分离制造和接合上单元和下单元的过程中产生的问题。

    확산방지막으로서의 탄소층을 이용한 비진공 박막 형성방법
    154.
    发明授权
    확산방지막으로서의 탄소층을 이용한 비진공 박막 형성방법 有权
    使用碳层作为扩散玻璃膜的薄膜非真空工艺方法

    公开(公告)号:KR101584072B1

    公开(公告)日:2016-01-12

    申请号:KR1020140110511

    申请日:2014-08-25

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본발명은태양전지의광흡수층을제조하기위한확산방지막으로서의탄소층을이용한비진공박막형성방법에관한것으로, 보다상세하게는 CI(G)S계박막형성시 CI(G)S계와몰리브덴(Mo)층사이에탄소층이생성되게하여기판으로부터올라오는여러이온들의확산을방지하는확산방지막의역할을하는 CI(G)S계박막을형성하는방법과이를적용한태양전지에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用碳层作为扩散阻挡膜来制造太阳能电池的光吸收层的非真空薄膜形成方法,更具体地说,涉及一种在CI( G)S基和钼(Mo)层,当形成基于CI(G)S的薄膜以形成用作防止几个离子扩散的扩散阻挡膜的作用的CI(G)S基薄膜 从底物; 和使用其的太阳能电池。

    인듐, 셀레늄 또는 갈륨을 포함하는 버퍼층과 이를 적용한 태양전지 및 이들의 제조방법
    155.
    发明授权
    인듐, 셀레늄 또는 갈륨을 포함하는 버퍼층과 이를 적용한 태양전지 및 이들의 제조방법 有权
    包含In Se或Ga的缓冲层和使用其的薄膜太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101577420B1

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:KR1020130158946

    申请日:2013-12-19

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 본발명은박막태양전지에관한것으로, 더욱상세하게는인듐(In), 셀레늄(Se) 또는갈륨(Ga)을포함하여구성되는버퍼층과이를적용한박막태양전지및 그제조방법에관한것이다. 이에본 발명은박막태양전지에서의황화카드뮴(CdS) 버퍼층을대체하기위한박막태양전지의버퍼층제조방법에있어서, ⅰ) 인듐(In), 셀레늄(Se) 또는갈륨(Ga)을포함하는소스를준비하는단계, ⅱ) 광흡수층위에상기의소스를공급하여버퍼층을형성하는단계를포함하는것을특징으로하는박막태양전지의버퍼층제조방법을제공한다. 본발명의제조방법에따라인듐(In), 셀레늄(Se) 또는갈륨(Ga)을포함하여구성되는버퍼층을적용하면, 종래의용액성장법으로제조된황화카드뮴(CdS) 버퍼층의문제점이었던, 독성으로인한취급의어려움과제작공정이후의폐기물로인한환경문제를해결할수 있다. 뿐만아니라, 인듐(In), 셀레늄(Se) 또는갈륨(Ga)의비율을선택적으로조절함으로써, 제작시밴드갭조절이용이한버퍼층구현이가능하다.

    광투과 후면전극과 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법
    157.
    发明授权
    광투과 후면전극과 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법 有权
    透光背接触器和使用其的太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101497955B1

    公开(公告)日:2015-03-03

    申请号:KR1020130087984

    申请日:2013-07-25

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은 후면전극을 개량한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 태양전지 모듈(module)의 뒷면으로 조사되는 빛을 투과시킬 수 있는 후면전극에 관한 것이다. 본 발명은 태양전지의 후면전극의 제조방법에 있어서, 태양전지의 투명기판(100)을 준비하는 단계(s1000); 상기 투명기판(100) 위에 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화인듐, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화주석, 산화철, 이산화주석, 인듐주석산화물 및 이들 중 2 이상의 물질의 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 후면투명전극층(200)을 형성시키는 단계(s2000); 후면투명전극층(200) 위에 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s3000) 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법 및 이에 따른 광투과 후면전극을 제공한다.

    성능이 향상된 CI(G)S 박막 제조 방법과 이를 이용한 태양전지.
    159.
    发明授权
    성능이 향상된 CI(G)S 박막 제조 방법과 이를 이용한 태양전지. 有权
    性能改进CI(G)S薄膜太阳能电池使用制造方法和。

    公开(公告)号:KR101458427B1

    公开(公告)日:2014-11-10

    申请号:KR1020130026155

    申请日:2013-03-12

    Abstract: 태양전지의 광흡수층으로서의 CI(G)S박막 제조 방법으로 Substrate를 준비하는 단계, 전구체인 CI(G)S계 화합물을 제조하는 단계, 상기 Substrate 상에 상기 전구체인 CI(G)S계 화합물을 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계, 상기 Substrate 상에 형성된 CI(G)S계 전구체 박막을 건조하는 단계, 상기 건조된 CI(G)S계 전구체 박막을 열처리를 통해 셀렌화하여 CI(G)S 박막을 형성하는 단계,상기 형성된 CI(G)S 박막을 나트륨(Na)을 포함한 버퍼층용액에 침지(Dipping)하여 버퍼(Buffer)층을 형성하는 단계, 상기 버퍼(Buffer)층이 증착된 상기 CI(G)S 박막을 열처리하여 상기 버퍼층 상의 나트륨(Na)이 나트륨 이온(Na+) 상태로 상기 버퍼층으로부터 상기 CI(G)S 박막으로 이동하도록 한다.
    이를 통해 상기 나트륨 이온(Na+)이 상기 CI(G)S 박막의 결정립의 결함을 줄여주는 것이 가능하며 성능이 항상된 CI(G)S 박막을 제조하여 태양전지의 광흡수층으로 사용 가능하다.

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