公开(公告)号：CN105945288A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610290879.7

申请日：2016-04-28

Applicant: 昌利锻造有限公司

Inventor： 杨奎琦

IPC: B22F5/00 ,  B22F1/00 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10

CPC classification number: B22F5/00 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/02 ,  B22F3/1007 ,  B22F2201/02 ,  B22F2201/10

Abstract: 本发明涉及粉末冶金技术领域，具体涉及一种粉末冶金胀断连杆，它由以下按重量份称量的原料制成：铁粉80‑82份、磁石粉5‑10份、硫化铜1‑2份、氮化钒0.5‑2份、氮化镓0.5‑2份、氧化铒0.01‑0.02份、钼粉0.2‑0.3份、铌粉0.2‑0.3份、铑粉0.2‑0.3份、纳米二氧化钛粉0.01‑0.02份、增塑剂0.5‑0.6份。本发明热脆性好，热涨冷缩率低，金属晶粒稳定，低温下不会发脆，抗老化性能优越，抗挤压、抗屈服性能比普通金属提高40‑45％。

公开(公告)号：CN105921737A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610274044.2

申请日：2016-04-28

Applicant: 中南大学

Inventor： 李云平 ,  李家翔

IPC: B22F1/00 ,  C22C9/00 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J163/00

CPC classification number: B22F1/00 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J163/00 ,  C22C9/00 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/0085 ,  B22F2999/00 ,  C08K3/08 ,  C08K2003/0806 ,  C08K2003/085 ,  B22F2201/20 ,  B22F2201/10

Abstract: 本发明公开了一种高导电抗氧化铜银复合粉的制备方法，包括以下步骤：(1)采用气雾化法制备铜银合金粉，所述铜银合金粉中银的质量百分数为3％～14％；(2)将步骤(1)制备的铜银合金粉在真空或惰性气氛中进行时效处理得到铜银复合粉。本发明先利用气雾化制备的铜银合金粉为球形，粒径范围选择性大(1～120μm)，银含量低，经时效处理后富银相在晶界等缺陷处优先析出并形成连续空间网络结构，有利于银导电网络的形成，在一定程度上增强了导电性能。同时，由于基体内缺陷(晶界、孔隙、孔洞)等被析出的银相所覆盖，有效抑制了铜银粉末在较高温度下于晶界等缺陷位置的优先氧化，可明显提高基体的起始氧化温度。

公开(公告)号：CN105817624A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610263138.X

申请日：2016-04-26

Applicant: 广东汉邦激光科技有限公司 ,  刘建业

Inventor： 刘建业 ,  胡高峰 ,  梁崇智 ,  徐卡里 ,  朱昊威

IPC: B22F3/105 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00

CPC classification number: B22F3/1055 ,  B22F2003/1056 ,  B22F2999/00 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  B22F2201/10 ,  B22F2201/02

Abstract: 一种控氧方法、系统以及3D打印方法和3D打印机，该控氧方法包括以下步骤：向所述3D打印机的成型仓中充入保护气，直至所述成型仓内的气压大于外界气压；检测所述成型仓内的气体压强；如果所述成型仓内的气体压强小于一预设标准，则继续向向所述3D打印机的成型仓中充入保护气。本发明实施例提供的控氧方法、系统以及3D打印方法和3D打印机通过向成型仓中充入保护气使得成型仓内气体压强大于外界压强来防止空气进入成型仓内，从而可以控制成型仓内氧气含量。而且，在氧气含量大于预设标准的情况下，在排出成型仓内的气体的同时充入保护气，可以在保持成型仓内气压稳定的条件下更快地降低成型仓内的氧气含量。

公开(公告)号：CN105658835A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480053744.8

申请日：2014-11-26

Applicant: 厦门钨业股份有限公司

Inventor： 永田浩 ,  喻荣

IPC: C22C38/16 ,  H01F1/053 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F1/0577 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/087 ,  B22F3/16 ,  B22F9/04 ,  B22F2201/10 ,  B22F2201/20 ,  B22F2301/355 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C21D8/1244 ,  C21D9/0068 ,  C22C33/0278 ,  C22C33/04 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/007 ,  C22C38/008 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/16 ,  C22C38/20 ,  C22C38/30 ,  C22C38/32 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0571 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  B22F2202/05

Abstract: 本发明公开了一种低B的稀土磁铁，所述稀土磁铁含有R2T14B主相，包括如下的原料成分：R：13.5at％～14.5at％、B：5.2at％～5.8at％、Cu：0.3at％～0.8at％、Co：0.3at％～3at％、以及余量为T和不可避免的杂质，所述的R为包括Nd的至少一种稀土元素，所述T为主要包括Fe的元素。该稀土磁铁通过复合添加0.3～0.8at％的Cu和适量的Co，使得晶界中形成3种富Cu相，这种在晶界中存在的3种富Cu相的磁性效果和对晶界中B不足问题的修复，可显著改善磁铁的方形度和耐热性能。

公开(公告)号：CN105538728A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610098664.5

申请日：2016-02-23

Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院

Inventor： 段宣明 ,  范树迁 ,  曹洪忠 ,  王国玉

IPC: B29C67/00 ,  B22F3/105 ,  C04B35/64 ,  B23K26/046 ,  B23K26/08 ,  B23K26/0622 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00

CPC classification number: B22F3/105 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/08 ,  B29C67/00 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  C04B35/64 ,  Y02P10/295 ,  B22F2201/10

Abstract: 本发明公开了一种激光增减材复合制造的方法与装置，具体方法包括建立实体零件的几何模型，规划选区激光快速成形的激光的扫描路径，规划激光减材制造的激光的扫描路径；对成形腔室进行抽真空并充入保护气体；利用粉末摊铺系统并在成形区域铺覆一层粉末；利用选区激光快速成形的激光扫描铺覆的待成形材料，进行结构成形；利用激光减材制造的脉冲激光沿规划路径扫描成形结构的轮廓边缘，去除表面粗糙部分；重复粉末摊铺、选区激光快速成形和激光减材制造直至获得最终的三维实体零件；本发明还提供激光增减材复合制造的装置，利用该装置和方法制造增减材，提高了成形精度，并且增减材都是使用激光，具有更好兼容性，控制方面更为简单。

公开(公告)号：CN105385883A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510983271.8

申请日：2015-12-24

Applicant: 济南大学

Inventor： 冷金凤 ,  邵文月 ,  周国荣 ,  胡杰木

IPC: C22C9/00 ,  C22C1/05 ,  C22C9/04 ,  C22C9/01 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  B22F9/04 ,  B22F3/14

CPC classification number: C22C9/00 ,  B22F3/14 ,  B22F9/04 ,  B22F2003/145 ,  B22F2009/043 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/05 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C32/0084 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  B22F2201/10

Abstract: 本发明涉及一种电触头材料，尤其涉及一种石墨烯增强铜基电触头复合材料，以及这种材料的制备方法。电触头材料由重量比为0.1-3.0%镀镍石墨烯和97.0-99.9%铜合金组成。其制备方法为：石墨烯镀镍、铜合金制粉、球磨混粉、致密化、烧结、加工成型。本发明的电触头材料，在铜合金中添加镀镍石墨烯作为骨架，使材料具有高硬度、抗机械冲击性能与抗电弧烧蚀性能的同时，避免了导电性、导热性的降低。

公开(公告)号：CN104023879B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201280065928.7

申请日：2012-11-01

Applicant: 株式会社UACJ

Inventor： 田中佑一 ,  儿岛洋一 ,  本川幸翁

IPC: B22F3/11 ,  B22F7/04 ,  C22C1/08

CPC classification number: B22F3/11 ,  B22F3/02 ,  B22F3/1007 ,  B22F3/12 ,  B22F5/00 ,  B22F2003/1042 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/0416 ,  C22C1/08 ,  C22C21/00 ,  H01M4/661 ,  H01M4/662 ,  H01M4/666 ,  H01M4/667 ,  H01M4/803 ,  B22F2201/10

Abstract: 一种多孔铝的制造方法，其包括如下工序：对于作为铝粉末与载体粉末的混合粉末的、铝粉末相对于该混合粉末全体的体积比例为5～30％的混合粉末，以200MPa以上的压力进行加压成型的工序；对于加压成型体，在非活性气氛中在铝粉末的熔点以上且小于700℃的温度区域进行热处理，从而进行使铝粉末彼此结合的工序；以及从烧结体除去载体粉末的工序，利用该多孔铝的制造方法，容易制造适合于锂离子二次电池的集电体、各种过滤器的气孔率高且孔径一致的多孔铝。

公开(公告)号：CN105324828A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480035785.4

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 菊池茂 ,  森田步 ,  土屋贤治 ,  佐藤隆 ,  富安邦彦

IPC: H01H33/664 ,  B22F3/02 ,  B22F3/26 ,  C22C1/04 ,  C22C9/00 ,  C22C27/04 ,  H01H33/666

CPC classification number: H01H33/6643 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/02 ,  B22F3/26 ,  B22F5/12 ,  B22F2201/10 ,  B22F2201/20 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/20 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/04 ,  C22C1/0425 ,  C22C1/045 ,  C22C9/00 ,  C22C27/04 ,  C22C30/02 ,  H01H33/664 ,  H01H33/666 ,  H01H2201/03 ,  H01H2205/002 ,  B22F2201/01

Abstract: 在包含Cu的凝聚相分散在包含Mo、Cr、Cu的母相中的电接点中，上述凝聚相的最大粒径在4～20μm的范围内，用C×Wt表示将上述电接点整体的Cu量设为Wt时的上述母相中的Cu量，C在0.54～0.81的范围内。另外，在包含Mo、Cr、Cu的电接点的制造方法中，包括如下工序：对Mo粉末和Cr粉末的混合粉进行加压成形，形成压粉体的工序；以及将熔融后的Cu浸渍到上述压粉体中的工序。

公开(公告)号：CN105143802A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201380054562.8

申请日：2013-10-18

Applicant: 特诺恩矿产私人有限公司

Inventor： 彼得勒斯·约翰尼斯·琼克 ,  伦道夫·布鲁斯·诺斯 ,  富兰克林·乔治·林克

IPC: F26B17/14 ,  F27B1/00 ,  F27D3/00 ,  F27D7/02

CPC classification number: F27B1/005 ,  B22F9/16 ,  B22F2201/10 ,  C03B3/023 ,  C21B13/14 ,  C21B2100/60 ,  F27D3/0025 ,  F27D7/02 ,  F28C3/14

Abstract: 本发明涉及一种加热装置，以及一种所述加热装置中使用的气体分布器。更具体但不排他地，本发明涉及用于在材料被运送至熔炼过程之前加热该材料的预热器，并且涉及在这种加热装置中使用的加热气体分布器。所述加热气体分布器包括具有进气口装置和出气口装置的外壳。所述外壳包括可操作上部区域和可操作下部区域，所述出气口装置设置在所述可操作下部区域中。所述可操作下部区域具有向下逐渐变细的结构。

公开(公告)号：CN105008580A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480010218.3

申请日：2014-02-25

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 张守斌 ,  梅本启太

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  C22C1/04 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C22C28/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/16

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22D7/005 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/10 ,  B22F9/04 ,  B22F2201/01 ,  B22F2201/10 ,  B22F2201/20 ,  B22F2301/10 ,  B22F2304/10 ,  C22C1/0433 ,  C22C1/0483 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  C22C30/06 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  C22F1/16 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种溅射靶，该溅射靶的机械加工性优异，且可形成含有Cu、Ga作为主成分的化合物膜。本发明的溅射靶，其特征在于，相对于溅射靶中的全部金属元素，含有15.0～50.0原子％的Ga、合计0.1～10.0原子％的选自Al、Zn、Sn、Ag及Mg中的一种以上金属元素，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成。