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公开(公告)号：CN108603283B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201780009799.2
申请日：2017-02-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的溅射靶的特征在于，具有如下组成：作为金属成分含有5原子％以上且60原子％以下的Ga及0.01原子％以上且5原子％以下的碱金属，并且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，溅射面侧的表面的碱金属浓度小于靶内部的碱金属浓度的80％。
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公开(公告)号：CN106170581B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201580018738.3
申请日：2015-07-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu‑Ga合金溅射靶是具有如下成分组成的Cu‑Ga合金溅射靶，即含有Ga：0.1～40.0原子％且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，其中，空孔率为3.0％以下，空孔的外接圆的平均直径为150μm以下，并且，Cu‑Ga合金粒子的平均晶体粒径为50μm以下。
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公开(公告)号：CN109563614A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780046274.6
申请日：2017-07-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu-Ga溅射靶作为金属成分具有如下组成：含有5原子％以上且60原子％以下范围的Ga，进一步含有0.01原子％以上且5原子％以下范围的选自K、Rb及Cs中的至少一种添加元素，并且余量由Cu及不可避免的杂质构成，所述添加元素的全部或一部分以含有选自F、Cl、Br及I中的至少一种卤素的卤化物粒子的状态存在，所述卤化物粒子的最大粒径为15μm以下，氧浓度为1000质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN104024470B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380004675.7
申请日：2013-02-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3429 , B22F3/10 , B22F2201/20 , B22F2301/00 , B22F2999/00 , C22C1/0425 , C22C32/0089 , C23C14/0623 , C23C14/08 , C23C14/087 , C23C14/3414 , C23C14/35 , B22F3/1007
Abstract: 本发明提供一种含有高浓度的Na并且可以抑制变色、斑点的产生和异常放电，进而具有高强度而不易破裂的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有如下成分组成：作为溅射靶的除F、S、Se以外的金属成分，含有Ga：10～40at％、Na：1.0～15at％，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成，以由氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种构成的Na化合物的状态含有Na，理论密度比为90％以上，抗折强度为100N/mm2以上，体积电阻率为1mΩ·cm以下，在靶表面的1cm2面积内，0.05mm2以上的氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种的凝集体平均存在一个以下。
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公开(公告)号：CN104903487A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380054636.8
申请日：2013-11-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L31/032
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C30/00 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种形成CIGS膜时所使用的由Cu-In-Ga-Se合金形成的溅射靶，该CIGS膜用于形成具有较高的光电转换效率的太阳能电池的光吸收层。本发明的溅射靶为具有如下成分组成的烧结体，即，含有Cu、In、Ga及Se作为主成分，剩余部分包含不可避免杂质，其中，在该烧结体的基体中，以Se/(Se+Cu+In+Ga)的原子比计含有50.1～60％的Se。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103917689A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280054849.6
申请日：2012-11-01
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , B22F3/14 , H01L31/0445
CPC classification number: C23C14/0623 , C04B35/547 , C04B35/62655 , C04B35/6266 , C04B35/6455 , C04B2235/3201 , C04B2235/3281 , C04B2235/3286 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/6581 , C04B2235/723 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C22C9/00 , C23C14/3414 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种能够通过溅射法形成良好地添加有Na的由Cu-In-Ga-Se构成的膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有如下的成分组成：含有Cu、In、Ga及Se，另外，以NaF化合物、Na2S化合物或Na2Se化合物中的至少一种状态并以Na/(Cu+In+Ga+Se+Na)×100：0.05～5原子％的比例来含有Na，氧浓度为200～2000重量ppm，剩余部分由不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号：CN103583085A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201280025462.8
申请日：2012-05-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 张守斌
CPC classification number: H01L51/5215 , H05B33/26
Abstract: 本发明提供一种与Al或Al合金的阳极的接触电阻小且在短波长区域的透射率良好的有机EL用透明导电膜、以及利用该透明导电膜的有机EL元件。本发明的有机EL用透明导电膜（1）在有机EL元件（10）的电场发光层（2）与Al或Al合金的金属膜（3）之间形成，其中，该有机EL用透明导电膜由金属成分元素含量比以原子比计为Al：0.7～7%、Mg：10～25%、剩余部分为Zn的Al-Mg-Zn类氧化物构成。
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公开(公告)号：CN103261472A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201280003513.7
申请日：2012-07-06
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 昭和砚壳石油株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/14 , B22F9/082 , B22F2009/043 , C22C1/0425 , C22C9/00
Abstract: 本发明提供机械加工性优异、且可以形成主要含有Cu、Ga的化合物膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有以下的成分组成：相对于溅射靶中的全部金属元素，含有Ga：15原子%～40原子%，而且含有Bi：0.1原子%～5原子%，余量的Cu及不可避免的杂质。该溅射靶的制造方法包括：将至少Cu、Ga及Bi的各元素的单质或含有这些中2种以上的元素的合金在1050℃以上熔融，并制作铸块的步骤。或者包括：制作原料粉末的步骤，该原料粉末是至少Cu、Ga及Bi的各元素的单质或含有这些中2种以上的元素的合金的粉末；和将原料粉末在真空、惰性气体气氛或还原性气体气氛中热加工的步骤。
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公开(公告)号：CN102666910A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080052554.6
申请日：2010-12-14
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , C23C14/08 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种透明导电膜、利用该透明导电膜的太阳能电池及用于形成透明导电膜的溅射靶以及其制造方法。本发明提供一种用于液晶显示装置、电致发光显示装置等、尤其适合用于太阳能电池的透明导电膜，并且提供一种利用该透明导电膜的太阳能电池以及适于形成该透明导电膜的溅射靶。本发明的透明导电膜，其由金属成分元素的含有比例以原子比计Al：0.7～7%、Mg：9.2～25%、Ga：0.015～0.085%、其余为Zn的Al-Mg-Ga-Zn系氧化物构成，且耐湿性优异。
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公开(公告)号：CN102395702A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201080017285.X
申请日：2010-11-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C1/0425 , C22C9/00 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种能通过溅射法形成良好地添加有Na的Cu-Ga膜的溅射靶及其制造方法。该溅射靶中，作为溅射靶的除氟(F)以外的金属成分，含有Ga：20～40at％、Na：0.05～1at％，余部具有由Cu和不可避免的杂质构成的成分组成，且Na以NaF化合物的状态被含有。该溅射靶的制造方法包括下述工序：形成由NaF粉末和Cu-Ga粉末的混合粉末，或者NaF粉末、Cu-Ga粉末和Cu粉末的混合粉末构成的成型体，然后在真空、惰性气体或还原气氛中烧结。
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