公开(公告)号：TW505613B

公开(公告)日：2002-10-11

申请号：TW090113195

申请日：2001-06-26

Applicant: 加利福尼亞大學董事會

Inventor： 羅伯 A 科南特 ,  喬瑟琳 T 尼 ,  羅坎吟 ,  理查 S 慕勒

IPC: B81B ,  G02B

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2203/032 ,  G02B26/0841

Abstract: 一交錯扭轉之靜電梳式驅動器包含一固定式梳齒組件及一設有一鏡片及一扭轉樞紐之移動式梳齒組件。該移動式梳齒組件於一梳式驅動器靜止狀態期間完全定位在該固定式梳齒組件上方達一預定垂直位移。製造交錯扭轉之靜電梳式驅動器之一方法包含於一第一晶圓中深溝道蝕刻一固定式梳齒組件之步驟。一第二晶圓係接合至該第一晶圓，以形成包含該第一晶圓、一氧化物層、及該第二晶圓之夾層結構。一移動式梳齒組件係形成在該第二晶圓中。該移動式梳齒組件包含一鏡片及一扭轉樞紐。藉著該氧化物層分開該移動式梳齒組件及該第一晶圓。隨後移去該氧化物層以釋放該交錯扭轉之靜電梳式驅動器。

Abstract in simplified Chinese: 一交错扭转之静电梳式驱动器包含一固定式梳齿组件及一设有一镜片及一扭转枢纽之移动式梳齿组件。该移动式梳齿组件于一梳式驱动器静止状态期间完全定位在该固定式梳齿组件上方达一预定垂直位移。制造交错扭转之静电梳式驱动器之一方法包含于一第一晶圆中深沟道蚀刻一固定式梳齿组件之步骤。一第二晶圆系接合至该第一晶圆，以形成包含该第一晶圆、一氧化物层、及该第二晶圆之夹层结构。一移动式梳齿组件系形成在该第二晶圆中。该移动式梳齿组件包含一镜片及一扭转枢纽。借着该氧化物层分开该移动式梳齿组件及该第一晶圆。随后移去该氧化物层以释放该交错扭转之静电梳式驱动器。

公开(公告)号：TWI512817B

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：TW101128383

申请日：2012-08-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李德浩 ,  LEE, TE HAO

IPC: H01L21/306

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81C2201/0122 ,  B81C2201/0178

公开(公告)号：TWI278996B

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：TW094141104

申请日：2005-11-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張毓華 CHANG, YUH HWA ,  陳斐筠 CHEN, FEI YUN ,  曾健庭 TZENG, JIANN TYNG ,  朱翁駒 CHU, CHENG YU ,  彭俊凱 PENG, CHUN KAI ,  葉志杰 YEH, CHIH CHIEH ,  柏竟衡 PO, CHING HENG ,  何大椿 HO, DAH CHUEN

IPC: H01L

CPC classification number: B81C1/00253 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2201/053

Abstract: 本發明提供一種防止金屬與矽層間側向交互擴散的方法，包括下列步驟：首先，提供一包括複數個金屬圖案之基板。接著，形成氧化矽層、氮化矽層、氮氧化矽層、氮化鈦或氧化鋁於金屬圖案之間隙壁以防止金屬圖案和後續填入之矽層間側向交互擴散。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种防止金属与硅层间侧向交互扩散的方法，包括下列步骤：首先，提供一包括复数个金属图案之基板。接着，形成氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氮化钛或氧化铝于金属图案之间隙壁以防止金属图案和后续填入之硅层间侧向交互扩散。

公开(公告)号：TW517266B

公开(公告)日：2003-01-11

申请号：TW090118400

申请日：2001-07-27

Applicant: 三菱電機股份有限公司

Inventor： 奧村美香 ,  堀川牧夫 ,  石橋清志

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02255 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00365 ,  B81C2201/0178 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662

Abstract: 本發明係關於一種基板及其製造方法，以及薄膜構造體，其目的在提供一種可減低熱收縮時基板之氧化膜與形成於該氧化膜上之其他薄膜之間所產生的應力差，同時可縮短較厚之氧化膜形成時所需之成膜時間之基板及其製造方法，以及薄膜構造體。
此外，為達成前述目的，本發明之基板(1)具備有：由矽所形成之基板本體(31)；以及形成於其上之基台用的氧化膜(33)。氧化膜(33)則具備有：由使基板本體(31)中之矽元素熱氧化而形成之熱SiO2膜所構成之第1氧化膜(61)；以及由在此氧化膜之上堆積而形成之高溫氧化膜所構成的第2氧化膜(63)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种基板及其制造方法，以及薄膜构造体，其目的在提供一种可减低热收缩时基板之氧化膜与形成于该氧化膜上之其他薄膜之间所产生的应力差，同时可缩短较厚之氧化膜形成时所需之成膜时间之基板及其制造方法，以及薄膜构造体。 此外，为达成前述目的，本发明之基板(1)具备有：由硅所形成之基板本体(31)；以及形成于其上之基台用的氧化膜(33)。氧化膜(33)则具备有：由使基板本体(31)中之硅元素热氧化而形成之热SiO2膜所构成之第1氧化膜(61)；以及由在此氧化膜之上堆积而形成之高温氧化膜所构成的第2氧化膜(63)。