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公开(公告)号：CN109205545A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810696124.6
申请日：2018-06-29
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , G01L9/12 , G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0021 , B81B3/0086 , B81B2201/0235 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/00166 , G01L9/12 , G01P15/0802 , G01P2015/088 , B81B3/0032 , B81B2201/0221 , B81B2201/0264
Abstract: 一种微机械传感器包括电容式的第一传感器元件和第二传感器元件，分别具有第一电极和第二电极，其中第一电极的电极壁面和第二电极的电极壁面在第一方向上彼此对置并形成电容，其中第一电极可响应于待检测的变量在与第一方向不同的第二方向上移动，并且第二电极是固定的。第一传感器元件的第一电极的电极壁面在第二方向上具有比第一传感器元件的第二电极的对置的电极壁面小的延伸。第二传感器元件的第二电极的电极壁面在第二方向上具有比第二传感器元件的第一电极的对置的电极壁面小的延伸。
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公开(公告)号：CN108467005A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810126742.7
申请日：2018-02-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置(100)。该半导体装置包括膜结构(110)的至少一个悬置区域(111)。该悬挂区域在横向上位于半导体衬底(120)的表面(121)的第一区域中。此外，该半导体装置包括膜结构的膜区域(112)。在膜区域和半导体衬底的至少一部分之间在垂向上设置有空腔(130)。此外，半导体衬底的表面(121)的第一区域由半导体衬底的屏蔽掺杂区(122)的表面形成。此外，半导体衬底的屏蔽掺杂区(122)与相邻掺杂区(123)邻接。此外，相邻掺杂区在空腔的区域中形成半导体衬底的表面(121)的至少一部分。另外，相邻掺杂区(123)具有第一导电类型，并且屏蔽掺杂区(122)具有第二导电类型。
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公开(公告)号：CN108367912A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680071579.8
申请日：2016-10-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00285 , B81B7/0038 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0315 , B81C2203/0145 , G01P1/023 , G01P1/026
Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械结构元件的方法，该微机械结构元件具有衬底和与衬底连接并且与衬底包围第一空穴的罩，其中，在第一空穴中存在第一压力并且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，其中，在第一方法步骤中，在衬底中或在罩中构造连接第一空穴与微机械结构元件的周围环境的进入开口，其中，在第二方法步骤中，设定在第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分，其中，在第三方法步骤中，通过借助于激光将能量或热量引入到衬底或罩的吸收部分中来封闭进入开口，其中，在时间上在所述第三方法步骤之前将用于进一步设定第一压力和/或第一化学组分的可逆吸气剂引入到第一空穴中。
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公开(公告)号：CN108367911A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680071569.4
申请日：2016-10-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00293 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C2203/0145
Abstract: 本发明提出用于制造微机械结构元件的方法，所述微机械结构元件具有衬底和与衬底连接且与衬底包围第一空穴的罩，在第一空穴中存在第一压力且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，其中，在第一方法步骤中，在衬底或罩中构造连接第一空穴与微机械结构元件周围环境的进入开口，其中，第二方法步骤中，设定第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分，其中，在第三方法步骤中，通过借助于激光将能量引入到衬底或罩的吸收部分中来封闭进入开口，其中，在第四方法步骤中，实施衬底或罩的热处理以减小在衬底或罩中的温度梯度。
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公开(公告)号：CN104843630B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510087121.9
申请日：2015-02-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： J·赖因穆特
CPC classification number: B81B7/0048 , B81B3/0048 , B81B3/0054 , B81B5/00 , B81B7/0006 , B81B7/0016 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/0015 , B81C1/0019 , B81C1/00198 , B81C1/00325 , B81C1/00666
Abstract: 提出一种传感器，其具有衬底、微机电结构和脱耦合结构，其中所述脱耦合结构固定在所述衬底上，其中所述微机电结构固定在所述脱耦合结构上，其中所述微机电结构和所述脱耦合结构能够相对于所述衬底移动，其中所述脱耦合结构设置在所述微机电结构和所述衬底之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107697882A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710193990.9
申请日：2017-03-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2207/092 , B81B2207/096 , B81C1/00246 , B81C2201/0132 , B81C2203/0118 , B81C2203/0136 , B81C2203/0771 , B81C2203/0792 , B81C3/001 , B81B7/0006 , B81B7/0064 , B81B7/02
Abstract: 公开了用于制造半导体器件的工艺以及相应半导体器件。一种用于制造集成半导体器件(55)的工艺，包括：形成MEMS结构(26)；形成ASIC电子电路(36)；以及将该MEMS结构电耦合至该ASIC电子电路(36)。该MEMS结构和该ASIC电子电路从包括半导体材料的同一衬底(20)开始集成；其中，该MEMS结构(26)形成在该衬底的第一表面(20a)处，并且该ASIC电子电路形成在该衬底(20)的第二表面(20b’)处，在横向于该第一表面(20a)和该第二表面(20b’)的延伸部的水平平面的方向上，该第二表面与该第一表面(20a)竖直相反。
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公开(公告)号：CN107445134A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710244191.X
申请日：2017-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林宏桦 , 刘丙寅 , 刘冠良 , 蔡嘉雄 , 亚历山大·卡利尼克斯
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/092 , B81C2203/0118 , B81C2203/036 , B81C2203/0792 , B81B7/0032 , B81B2201/0228 , B81C1/00261
Abstract: 本揭露涉及半导体结构及其制造方法。其中，该半导体结构包含：第一衬底，其包含延伸到所述第一衬底中的腔、放置于所述腔内的装置、放置于所述第一衬底上方的第一电介质层及由所述第一电介质层环绕的第一导电结构；以及第二衬底，其包含放置于所述第二衬底上方的第二电介质层及由所述第二电介质层环绕的第二导电结构，其中所述第一导电结构与所述第二导电结构接合且所述第一电介质层与所述第二电介质层接合以密封所述腔。
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公开(公告)号：CN107422146A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710369579.2
申请日：2017-05-23
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01P15/125
CPC classification number: B81B3/0008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2203/0181 , B81B2203/0338 , B81C1/00174 , B81C1/00476 , B81C2201/0132 , G01C19/56 , G01C19/5656 , G01C19/5712 , G01P1/003 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , G01P2015/0831 , G01P2015/0834 , G01P2015/0837
Abstract: 一种微机械的传感器（100），其中，表面微机械地能够制造所述微机械的传感器（100），具有至少一个构造在第三功能层（60）中的质量元件，该质量元件至少以区段的方式未被穿孔地构造；其中，在所述质量元件下方的缝隙（S）通过去除第二功能层（30）和至少一个氧化层（20）来制造；其中，所述至少一个氧化层（20）的去除借助于把气态的蚀刻介质引入到经限定数量的基本上彼此平行布置的蚀刻通道中来进行；其中，所述蚀刻通道与在第三功能层（60）中的竖直的进入通道能够连接。
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公开(公告)号：CN107290567A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710350326.0
申请日：2017-05-18
Applicant: 中北大学
CPC classification number: G01P15/18 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81C1/0038 , B81C1/00523 , B81C3/001 , G01P15/123 , G01P2015/0862
Abstract: 本发明公开了一种具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器，包括基片，所述基片的中心刻蚀出质量块（1）和八个矩形梁（2），所述质量块（1）上部边缘四边通过矩形梁（2）与基片一体连接，即质量块（1）右边通过梁L1和梁L2与基片边框连接、其上边通过梁L3和梁L4与基片边框连接、其左边通过梁L5和梁L6与基片边框连接、其下边通过梁L7和梁L8与基片边框连接；则，梁与梁之间、质量块边缘与基片之间、梁与基片之间均留有抗过载间隙（6）。本发明通过限制质量块的移动位移实现了三轴加速度传感器在笛卡尔坐标系中X、Y和Z三个方向的抗过载。
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公开(公告)号：CN107271719A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201610875657.1
申请日：2016-09-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/08 , G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0021 , B81B2201/0235 , B81B2203/0181 , B81B2203/04 , G01P2015/0814 , G01P2015/0831 , G01P15/08 , G01P15/0802 , G01P2015/0862
Abstract: MEMS加速度度量传感器包括承载结构以及由半导体材料制成的悬置区域。至少一个调制电极固定至承载结构并且采用指示了具有第一频率的至少一个周期性分量而偏置。由悬置区域以及由调制电极以该方式形成至少一个可变电容器以使得悬置区域经受取决于电调制信号的静电力。当加速度度量传感器经受加速度时，感测组件产生电感测信号，指示了悬垂区域相对于承载结构的位置，并且包括作为加速度以及第一频率的函数的频率调制分量。
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