公开(公告)号：CN1891624A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610007135.6

申请日：2006-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵恩珠 ,  闵约赛 ,  朴玩濬

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/17 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/845

Abstract: 提供一种从碳纳米管(CNT)中选择性除去碳质杂质的方法。在该方法中，通过杂质和硫在密闭空间中的硫化反应除去在CNT表面上形成的杂质。更具体地，提供选择性地仅除去无定形碳的方法，通过该方法，碳纳米管壁不与硫反应，且仅有在CNT表面上形成的碳质杂质发生硫化反应(C+2S－－>CS2)，即，提供了通过硫化作用从结合到装置中的CNT中选择性地除去碳质杂质的方法。

公开(公告)号：CN1287403C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN02124955.5

申请日：2002-06-27

Applicant: 诺利塔克股份有限公司

Inventor： 江崎智隆 ,  上村佐四郎 ,  余谷纯子 ,  山田弘 ,  长回武志 ,  仓知宏行 ,  龙田和典 ,  世古幸治 ,  前岨刚

IPC: H01J1/30

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J21/10 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本专利申请公布了能够使电子发射源区域周围的厚度变薄，并能够提高电流分配率的电子源电极，它的制造方法和用该电子源电极的电子管。这个电子管备有基板，在这个基板形成的电子发射源区域，和包围这个电子发射源区域周围的屏蔽区域，这个屏蔽区域是当用干式法生成电子发射源时由不生成该电子发射源的材料形成的。结果，即便使电子引出电极和电子源电极的间隙变窄，阳极电流对总电流的比率也很高，提高了电流分配率。

公开(公告)号：CN1280187C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN02118355.4

申请日：2002-03-12

Applicant: 双叶电子工业株式会社 ,  滝川浩史

Inventor： 滝川浩史 ,  日比美彦 ,  伊藤茂生

IPC: C01B31/02 ,  H01T19/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B01J19/088 ,  B01J2219/082 ,  B01J2219/0839 ,  B01J2219/0869 ,  B01J2219/0875 ,  B01J2219/0879 ,  B01J2219/0892 ,  B01J2219/0894 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/152 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  H01J37/32055 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2209/022 ,  H05H1/48 ,  H05H2001/483 ,  H05H2245/124 ,  Y10S977/844 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供一种制备纳米碳的方法，该方法包括通过电弧放电，蒸发一种以碳作为主要成分的产生电弧的材料，该方法不需要加工容器等，但是需要一种设备，该设备有焊接电弧焊炬或类似结构，从而生成烟炱。提供一种以该烟炱制备电子发射源的方法和设备。作为第一电极的电弧焊炬1的焊炬电极10放置在使用石墨作为第二电极的产生电弧的材料的对面。在焊炬电极10和产生电弧的材料的边缘部分提供电压，产生电弧放电，从而蒸发暴露在电弧放电区域的产生电弧的材料的边缘，生成烟炱。生成的烟炱通过一个具有图案开孔的掩模版沉积在衬底上面，该衬底放置在电弧放电区域的对面。

公开(公告)号：CN1822281A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200510137515.7

申请日：2005-12-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩仁泽 ,  朴相铉 ,  金夏辰

IPC: H01J9/02 ,  H01J9/00 ,  G03F7/00 ,  B05D1/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B01J21/185 ,  B01J23/74 ,  B01J23/745 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/0219 ,  B01J37/0228 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明公开了一种构图用于合成碳纳米管(CNT)的催化剂层的方法和使用该方法制造场发射器件(FED)的方法。所述构图催化剂层的方法包括：在基板上形成催化剂层，所述催化剂层由具有弱酸负离子团的金属盐形成；在所述催化剂层上形成光致抗蚀剂；使用光掩模将所述光致抗蚀剂曝光为预定的图案；使用强碱显影溶液来去除所述光致抗蚀剂和催化剂层的预定区；和去除所述光致抗蚀剂。

公开(公告)号：CN1819916A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200480018267.8

申请日：2004-04-28

Applicant: 利安德罗·鲍尔詹诺 ,  丹尼尔·E·里萨斯科

Inventor： 利安德罗·鲍尔詹诺 ,  丹尼尔·E·里萨斯科

IPC: B32B5/16 ,  C01B31/00 ,  D01F9/12

CPC classification number: H01M4/9066 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/15 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  H01M4/8605 ,  H01M4/8621 ,  H01M4/8652

Abstract: 本发明描述了一种单壁碳纳米管(SWNTS s)和含有少量催化金属，例如钴和钼的陶瓷载体(例如二氧化硅)的复合材料。包含金属和陶瓷载体的颗粒用作制备单壁碳纳米管的催化剂。这样制备的纳米管－陶瓷复合物可在“制备”状态使用，无需进一步纯化，从而具有明显的成本优势。纳米管－陶瓷复合物和那些纯化碳纳米管相比，在比如场发射设备的应用中显示了改进的性能。采用沉淀法二氧化硅和气相法二氧化硅使得纳米管－陶瓷复合物可以协同改善陶瓷(例如二氧化硅)和单壁碳纳米管的性能。将这些复合材料加入聚合物中可以改善聚合物的性能。这些性能包括热导率、热稳定性(抗老化性)、电导率、结晶动力学改进、强度、弹性模量、断裂韧性和其它机械性能。其它纳米管－陶瓷复合物可以基于Al2O3、MgO和ZrO2制备，例如其适用于多种应用。

公开(公告)号：CN1797660A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510131015.2

申请日：2005-12-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金夏辰 ,  陈勇完 ,  韩仁泽 ,  李亢雨

IPC: H01J9/02 ,  C25D13/00

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/168 ,  C01B32/172 ,  C01B2202/08 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种垂直排列碳纳米管的方法。该方法包括：在形成有催化剂金属层的基板上生长碳纳米管；以束的形式从该基板分离生长的碳纳米管；在放入有充电物的电解液内放入分离的碳纳米管束，将碳纳米管与充电物混合，并且使碳纳米管束带电；以及将带电的碳纳米管束利用电泳垂直附着到电极的表面上。

公开(公告)号：CN1263063C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN03116285.1

申请日：2003-04-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈国荣 ,  莫晓亮

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  C30B23/007 ,  C30B29/54 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2209/0223

Abstract: 本发明涉及一种可用于平面显示的场致发射纳米材料，具体为Ag和TCNQ按1∶1化学计量比生成的Ag(TCNQ)纳米线。该材料可采用真空条件下的饱和蒸气反应法制备获得，生成的Ag(TCNQ)纳米线(晶须)基本上垂直于基板。为了降低场发射阈值，可在晶须上用常规真空镀膜法，再覆盖一层纳米厚度的金属或氟化锂薄层。

公开(公告)号：CN1781174A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200480011331.X

申请日：2004-04-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： T·J·温克 ,  J·马拉

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J1/3048 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及场发射电极的制造方法，其中该电极包含场发射电极衬底(1)和排列在所述场发射电极衬底(1)上的多个发射体颗粒(2)，该方法包含步骤：将所述发射体颗粒(2)在载气流中分散成烟雾状发射体颗粒(2)；对所述发射体颗粒(2)充电；以及通过至少一个出口(14)将载气流中的所述带电发射体颗粒(2)引导向场发射电极衬底(1)，同时维持衬底(1)和靠近该出口的沉积电极(10)之间的电场，之后将所述带电发射体颗粒(2)沉积并粘附到所述场发射电极衬底(1)。

公开(公告)号：CN1767123A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510109610.6

申请日：2005-09-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑得锡 ,  吴泰植 ,  裵民钟

IPC: H01J9/02 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01L21/3122 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02359 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/745

Abstract: 本发明提供一种排列碳纳米管(CNT)的方法和一种利用其制备场致发射器件(FED)的方法。排列CNT的方法包括：制备具有凹纹图案的模；将包含两亲性有机材料和CNT的水溶液涂布在衬底的表面上；将所述模附着于该衬底表面上，由于毛细力引起水溶液在所述凹纹图案中流动；及从衬底表面除去模，从而在衬底表面上垂直排列CNT。

公开(公告)号：CN1767122A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510113205.1

申请日：2005-10-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李亢雨 ,  陈勇完 ,  韩仁泽 ,  金夏辰 ,  裵民钟

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  C01B31/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J29/481 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01J1/304 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/89

Abstract: 本发明提供碳纳米管发射器及其制造方法、使用该碳纳米管发射器的场发射器件及其制造方法。碳纳米管发射器包括多个固定在基板上与基板平行的第一碳纳米管，以及多个形成在所述第一碳纳米管的表面上的第二碳纳米管。