Mehrfach-Lade-und Sterilisiervorrichtung

    公开(公告)号:DE102014115819B4

    公开(公告)日:2022-12-29

    申请号:DE102014115819

    申请日:2014-10-30

    Inventor: KIM JONG-RAK

    Abstract: Mehrfach-Lade- und Sterilisiervorrichtung, die Folgendes umfasst:ein Gehäuse mit einer Schachteinheit an einer Seite davon;eine Mehrzahl von Schächten, die in der Schachteinheit derart definiert sind, dass eine Mehrzahl von Objekten in die Mehrzahl von Schächten eingeführt und eingesteckt wird; undUltraviolettstrahlungsquellen, die in den entsprechenden Schächten zur Bestrahlung von Vorderseiten und Rückseiten der Objekte mit Ultraviolettstrahlung angeordnet sind,wobei die Objekte in die Mehrzahl von Schächten derart eingeführt und eingesteckt werden, dass sie geneigt gehalten werden, undwobei die Ultraviolettstrahlungsquellen in den Schächten an gegenüberliegenden inneren Seitenflächen der Schächte angeordnet sind.

    DISPOSITIVO DE VISUALIZACION DE LED.

    公开(公告)号:MX2022003387A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:MX2022003387

    申请日:2020-10-21

    Abstract: Un dispositivo de visualización de acuerdo con una realización comprende: un sustrato de visualización; una pluralidad de elementos emisores de luz dispuestos sobre el sustrato de visualización; y una capa de moldeo para cubrir las superficies laterales de los elementos emisores de luz y exponer las superficies superiores de los elementos emisores de luz, donde el elemento emisor de luz comprende una primera subunidad de LED, una segunda subunidad de LED dispuesta sobre la primera subunidad de LED, y una tercera subunidad de LED dispuesta sobre la segunda subunidad de LED, y la tercera subunidad de LED está dispuesta para estar más cerca que la primera subunidad de LED de la superficie superior del elemento emisor de luz.

    Wechselstrom-betriebenes Leuchtdiodenarray

    公开(公告)号:DE112006004103B4

    公开(公告)日:2021-06-02

    申请号:DE112006004103

    申请日:2006-11-28

    Abstract: Wechselstrom-betriebenes Leuchtdiodenarray, umfassend:eine Vielzahl Licht emittierender Zellen (57), ausgebildet auf einem einzelnen Substrat (50), wobei jede der Licht emittierenden Zellen (57) eine Halbleiterschicht (54) eines ersten Leitungstyps aufweist, eine Halbleiterschicht (60) eines zweiten Leitungstyps, angeordnet auf einem Bereich der Halbleiterschicht (54) des ersten Leitungstyps, und eine aktive Schicht (56), eingefügt zwischen den Halbleiterschichten (54, 60) des ersten und zweiten Leitungstyps;eine transparente Elektrodenstruktur (82), angeordnet auf jeder der Licht emittierenden Zellen (57) und aufweisend einen Zentralbereich (82a) sowie Verzweigungen (82b), welche sich seitlich von beiden Seiten des Zentralbereichs (82a) ausdehnen; undDrähte (78, 88), jeder davon zwei zueinander benachbarte Licht emittierende Zellen (57) elektrisch verbindend, sodass die auf einer der beiden zueinander benachbarten Licht emittierenden Zellen (57) angeordnete Elektrodenstruktur (82) elektrisch mit der Halbleiterschicht (54) des ersten Leitungstyps der anderen der beiden zueinander benachbarten Licht emittierenden Zellen (57) verbunden ist.

    LIGHT SOURCE UNIT FOR PLANT CULTIVATION, AND PLANT CULTIVATION DEVICE INCLUDING SAME

    公开(公告)号:CA3148260A1

    公开(公告)日:2021-02-11

    申请号:CA3148260

    申请日:2020-08-06

    Abstract: An LED light source unit for plant cultivation according to an embodiment comprises: at least one first light emitting diode chip which emits light of 430 nm or less; and at least three types of fluorescent materials which are excited by the at least one first light emitting diode chip, wherein the three types of fluorescent materials include a first fluorescent material having a peak wavelength within a first wavelength range of 440 to 500 nm, a second fluorescent material having a peak wavelength within a second wavelength range of 500 to 600 nm, and a third fluorescent material having a peak wavelength within a third wavelength range of 600 to 650 nm. The combined light of the light emitted from the first light emitting diode chip and the at least three types of fluorescent materials appears as white light of the basic spectrum having a color temperature of 5000K or higher.

    diodo emissor de luz para display e dispositivo de exibição tendo o mesmo

    公开(公告)号:BR112020010653A2

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:BR112020010653

    申请日:2018-11-27

    Abstract: uma pilha de diodos emissores de luz para um display inclui um substrato de suporte, uma primeira pilha de led, uma segunda pilha de led e uma terceira pilha de led, um substrato de crescimento condutor acoplado à segunda pilha de led ou à terceira pilha de led, um primeiro filtro de cor interposto entre a primeira e a segunda pilhas de led e transmitindo a luz gerada a partir da primeira pilha de led enquanto reflete a luz gerada a partir da segunda pilha de led e um segundo filtro de cor interposto entre a segunda e a terceira pilhas de led e transmitindo a luz gerada a partir das primeira e segunda pilhas de led enquanto reflete a luz gerada a partir da terceira pilha de led, na qual a luz gerada a partir da primeira pilha de led é emitida para fora através da segunda pilha de led, a terceira pilha de led e o substrato de crescimento condutor e a luz gerada a partir da segunda pilha de led é emitida para fora através da terceira pilha de led e do substrato de crescimento condutor.

    Urządzenie do uzdatniania płynów
    168.
    发明专利

    公开(公告)号:PL433638A1

    公开(公告)日:2021-01-11

    申请号:PL43363818

    申请日:2018-07-11

    Abstract: Przedmiotem zgłoszenia jest urządzenie do sterylizacji płynów, które zawiera rurkę zapewniającąścieżkę, poprzez którą przepływa płyn, a także co najmniej jeden modułźródła światła sprzęgnięty z rurką i skonfigurowany do wysyłania światła do obróbki płynu do wnętrza rurki. Rurka zawiera korytarz wylotowy mający wlot (113), poprzez który płyn jest wprowadzany, a także korytarz wlotowy zapewniony wewnątrz korytarza wylotowego i mający wylot (135), poprzez który płyn wypływa s prędkością przepływu inna niż prędkość przepływu na wlocie.

    unidade de led para display e dispositivo de exibição tendo o mesmo

    公开(公告)号:BR112020010688A2

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:BR112020010688

    申请日:2018-11-27

    Abstract: um dispositivo emissor de luz, incluindo as primeira, segunda e terceira subunidades de led e pads de eletrodos dispostos na primeira subunidade de led, eletricamente conectados às subunidades de led e incluindo um eletrodo comum eletricamente conectado a cada uma das subunidades de led e primeiro, segundo e terceiro pads de eletrodos conectados a uma respectiva subunidade de led, em que o pad de eletrodo comum, o segundo pad de eletrodo e o terceiro pad de eletrodo estão eletricamente conectados à segunda subunidade de led e a terceira subunidade de led através de orifícios que passam pela primeira subunidade de led, a primeira, a segunda e a terceira subunidades led são configuradas para serem acionadas independentemente, a luz gerada na primeira subunidade de led emitida para a parte externa através da segunda e terceira subunidades de led e a luz gerada na segunda subunidade de led é emitida para o exterior através da terceira subunidade de led.

    Lichtemittierende Diode mit Übergitterstruktur-Sperrschicht

    公开(公告)号:DE112007002722B4

    公开(公告)日:2020-01-09

    申请号:DE112007002722

    申请日:2007-11-21

    Abstract: Lichtemittierende Diode (LED) mit einem aktiven Bereich (59) zwischen einer n-leitenden Verbindungshalbleiterschicht (57) auf der Basis von GaN und einer p-leitenden Verbindungshalbleiterschicht (61) auf der Basis von GaN, wobei der aktive Bereich (59) eine Quantum-Well-Schicht (59a) und eine Sperrschicht (59b) mit Übergitterstruktur aufweist,wobei die Quantum-Well-Schicht (59a) aus InGaN ausgebildet ist, die Sperrschicht (59b) so ausgebildet ist, dass sie eine Übergitterstruktur aufweist, in der InGaN und GaN wechselweise aufeinander laminiert sind, und das InGaN in der Quantum-Well-Schicht (59a) eine größere Menge an In als das InGaN in der Sperrschicht (59b) aufweist, undwobei die Quantum-Well-Schicht (59a) aus InGaN ausgebildet ist und die Sperrschicht (59b) ein unteres Übergitter (71) aufweist, bei dem InGaN und GaN wechselweise aufeinander laminiert sind, ein oberes Übergitter (75), bei dem InGaN und GaN wechselweise aufeinander laminiert sind, und ein mittleres Übergitter (73), das zwischen das obere und das untere Übergitter (71, 75) gesetzt ist, wobei im mittleren Übergitter (73) InGaN und GaN wechselweise aufeinander laminiert sind, wobei gilt: 0

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