公开(公告)号：WO2016076639A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：PCT/KR2015012161

申请日：2015-11-12

Applicant: SEOUL VIOSYS CO LTD

Inventor： JUNG JUNG WHAN ,  KIM KYUNG HAE ,  KWAK WOO CHUL ,  JANG SAM SEOK

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/22

Abstract: A light emitting device and a manufacturing method therefor are disclosed. The light emitting device comprises: a patterned sapphire substrate (PSS) including a plurality of concave parts and protruding parts on the upper surface thereof; a buffer layer including a concave part buffer layer, which is positioned on the concave part, and a protruding part buffer layer, which is positioned on the side surface of the protruding part and dispersed and arranged in a plurality of island shapes; a lower nitride layer positioned on the buffer layer and the PSS and covering the protruding part; a void positioned on an interface between the side surface of the protruding part and the lower nitride layer; a first conductive semiconductor layer positioned on the lower nitride layer; a second conductive semiconductor layer positioned on the first conductive semiconductor layer; and an active layer interposed between the first and the second conductive semiconductor layers.

Abstract translation: 公开了一种发光器件及其制造方法。 该发光器件包括：图案化的蓝宝石衬底（PSS），其在其上表面上包括多个凹部和突出部分; 缓冲层，所述缓冲层包括位于所述凹部上的凹部缓冲层和位于所述突部的侧表面上并以多个岛状分散排列的凸部缓冲层; 位于所述缓冲层和所述PSS上并覆盖所述突出部分的下氮化物层; 定位在突出部分的侧表面和下氮化物层之间的界面上的空隙; 位于所述下氮化物层上的第一导电半导体层; 位于所述第一导电半导体层上的第二导电半导体层; 以及介于第一和第二导电半导体层之间的有源层。

公开(公告)号：DE112007002722B4

公开(公告)日：2020-01-09

申请号：DE112007002722

申请日：2007-11-21

Applicant: SEOUL VIOSYS CO LTD

Inventor： LEE SANG JOON ,  OH DUCK HWAN ,  KIM KYUNG HAE ,  HAN CHANG SEOK

IPC: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32

Abstract: Lichtemittierende Diode (LED) mit einem aktiven Bereich (59) zwischen einer n-leitenden Verbindungshalbleiterschicht (57) auf der Basis von GaN und einer p-leitenden Verbindungshalbleiterschicht (61) auf der Basis von GaN, wobei der aktive Bereich (59) eine Quantum-Well-Schicht (59a) und eine Sperrschicht (59b) mit Übergitterstruktur aufweist,wobei die Quantum-Well-Schicht (59a) aus InGaN ausgebildet ist, die Sperrschicht (59b) so ausgebildet ist, dass sie eine Übergitterstruktur aufweist, in der InGaN und GaN wechselweise aufeinander laminiert sind, und das InGaN in der Quantum-Well-Schicht (59a) eine größere Menge an In als das InGaN in der Sperrschicht (59b) aufweist, undwobei die Quantum-Well-Schicht (59a) aus InGaN ausgebildet ist und die Sperrschicht (59b) ein unteres Übergitter (71) aufweist, bei dem InGaN und GaN wechselweise aufeinander laminiert sind, ein oberes Übergitter (75), bei dem InGaN und GaN wechselweise aufeinander laminiert sind, und ein mittleres Übergitter (73), das zwischen das obere und das untere Übergitter (71, 75) gesetzt ist, wobei im mittleren Übergitter (73) InGaN und GaN wechselweise aufeinander laminiert sind, wobei gilt: 0

公开(公告)号：EP2523228A4

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：EP11731878

申请日：2011-01-03

Applicant: SEOUL VIOSYS CO LTD

Inventor： KIM KWANG JOONG ,  HAN CHANG SUK ,  CHOI SEUNG KYU ,  NAM KI BUM ,  KIM NAM YOON ,  KIM KYUNG HAE ,  YOON JU HYUNG ,  YE KYUNG HEE

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/02 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32

Abstract: Disclosed herein are a light emitting diode and a method of fabricating the same. The light emitting diode includes: an n-type contact layer doped with silicon; a p-type contact layer; an active region interposed between the n-type contact layer and the p-type contact layer; a superlattice layer interposed between the n-type contact layer and the active region; an undoped intermediate layer interposed between the superlattice layer and the n-type contact layer; and an electron reinforcing layer interposed between the undoped intermediate layer and the superlattice layer. Only the final layer of the superlattice layer closest to the active region is intentionally doped with silicon, and the silicon doping concentration of the final layer is higher than that of the n-type contact layer. Almost all the layers of the superlattice layer disposed close to the active region are not intentionally with silicon, thereby making it possible to reduce leakage current and the final layer closet to the active region is doped with high-concentration silicon to prevent junction characteristics from being deteriorated, thereby making it possible to improve electrostatic discharge characteristics.

Abstract translation: 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。 发光二极管包括：掺杂有硅的n型接触层; p型接触层; 介于n型接触层和p型接触层之间的有源区; 介于n型接触层和有源区之间的超晶格层; 介于超晶格层和n型接触层之间的未掺杂的中间层; 以及插入在未掺杂的中间层和超晶格层之间的电子加强层。 只有最靠近有源区的超晶格层的最终层有意地掺杂有硅，并且最终层的硅掺杂浓度高于n型接触层的掺杂浓度。 靠近有源区域设置的超晶格层的几乎所有的层不是有意地用硅，从而可以减少泄漏电流，并且有源区域的最终层壁被掺杂高浓度硅以防止结的特征 从而能够提高静电放电特性。