公开(公告)号：JP2005285778A

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：JP2005135104

申请日：2005-05-06

Applicant: Candescent Intellectual Property Services Inc ,  キャンデセント・インテレクチュアル・プロパティ・サービシーズ・インコーポレイテッド

Inventor： MACAULAY JOHN M ,  SPINDT CHRISTOPHER J ,  SEARSON PETER C ,  DUBOC JR ROBERT M

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J3/02 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3042 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/319

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure of an electron emission device having high packing density of an emitter and to provide its manufacturing process. SOLUTION: An electron emission property element suitable for a flat panel type display is manufactured by high packing density. An electronic emitter has a base supporting the structure. A lower side non-insulation region patterned into a shape forming a plurality of parallel lines is formed on an insulation material which is the base. An electron emission property filament is formed in a hole extending in an insulation layer provided on the lower side non-insulation region. Typically, a patterned non-insulation gate layer is provided on the insulation layer to form a gate control type device. Preferably, a position of an electron emission mechanism is delimited using a charged particle track. By using the charged particle track, the electron emission mechanism is greatly miniaturized and is arranged by bringing mutual interval close. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 解决的问题：提供具有高发射极堆积密度的电子发射装置的结构并提供其制造工艺。 解决方案：适用于平板型显示器的电子发射特性元件以高堆积密度制造。 电子发射器具有支撑结构的基座。 在作为基底的绝缘材料上形成图案化为形成多条平行线的形状的下侧非绝缘区域。 在设置在下侧非绝缘区域上的绝缘层中延伸的孔中形成电子发射特性长丝。 通常，在绝缘层上设置图案化的非绝缘栅极层以形成栅极控制型器件。 优选地，使用带电粒子轨道限定电子发射机构的位置。 通过使用带电粒子轨道，电子发射机构大大地小型化并且通过使相互间隔接近来布置。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2004511885A

公开(公告)日：2004-04-15

申请号：JP2002535177

申请日：2001-10-09

Applicant: ザ・ユニバーシティ・オブ・シカゴThe University Of Chicago

Inventor： アラン・アール・クラウス ,  オーランド・エイチ・オーチエッロ ,  グレッグ・エム・スウェイン ,  ジョン・エイ・カーライル ,  ディーター・エム・グルーン ,  ディン・ミン

IPC: B82B1/00 ,  B01J3/06 ,  C01B31/06 ,  C23C16/27 ,  C30B25/10 ,  H01B1/04 ,  H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J31/12 ,  H01J35/06 ,  H01J37/073 ,  H01M4/02

CPC classification number: C23C16/274 ,  B01J3/067 ,  B01J2203/0655 ,  C01B32/25 ,  C23C16/277 ,  C23C16/278 ,  C23C16/279 ,  C30B25/105 ,  C30B29/04 ,  C30B29/605 ,  H01B1/04 ,  H01J1/30 ,  H01J2201/30457

Abstract: １０
１９ 原子／ｃｍ
３ 以上の窒素を有し、０．１（Ωｃｍ）−１以上の周囲温度における導電性を有する電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドからなる表面を有する電極が、有毒な物質を有する水溶液をその電極で矯正する方法とともに開示されている。 １０
１９ 原子／ｃｍ
３ 以上の窒素を有し、０．１（Ωｃｍ）−１以上の周囲温度における導電性を有する電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドを含む電子放射デバイスが開示されている。

公开(公告)号：JP3385364B2

公开(公告)日：2003-03-10

申请号：JP2000144899

申请日：2000-05-17

Applicant: 東京大学長

Inventor： 秀樹 益田 ,  昭 藤嶋

IPC: C30B29/04 ,  C23C16/04 ,  C23C16/27 ,  C23C16/56 ,  C25D11/18 ,  H01J9/02 ,  H04N5/68

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/045 ,  C23C16/27 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30457

公开(公告)号：JP2003505833A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：JP2001511705

申请日：2000-06-21

Applicant: エクストリーム デバイシーズ, インコーポレイテッド

Inventor： リッチ ゴースキ， ,  ケイス ディー． ジャミソン，

IPC: H01J9/44 ,  H01J1/304 ,  H01J3/02 ,  H01J3/18 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J29/04 ,  H01J3/022 ,  H01J2201/30457

Abstract: (57)【要約】 前記電界放出カソードが炭素ベースであり、前記電界放出カソード近傍のフリンジフィールドを形成する、前記一体フォーカスレンズの面の近傍に配置されたピアス電極をさらに含む、前記第１および第２の誘電体層が、約１マイクロメートル〜約４マイクロメートルの範囲の厚さを有し、前記外部フォーカスレンズが、約０．３ｍｍ〜約１．０ｍｍの範囲の厚さを有する小型電子銃は、電界放出カソード（１２）と、ピアス状電極（１８）と、ゲート層（１４）と、フォーカスレンズ層（２０）と、収束カップ（２２）とを含む。

公开(公告)号：JP3020155B2

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：JP16477298

申请日：1998-06-12

Applicant: 東京大学長

Inventor： 秀樹 益田 ,  昭 藤嶋

IPC: C30B29/04 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J2201/30457

公开(公告)号：TW200532732A

公开(公告)日：2005-10-01

申请号：TW094103733

申请日：2005-02-04

Applicant: 雪維隆美國有限公司 CHEVRON U.S.A., INC.

Inventor： 傑麥E 戴爾 DAHL, JEREMY E. ,  羅伯M 卡森 CARLSON, ROBERT M. ,  劉升高 LIU, SHENGGAO

IPC: H01J

CPC classification number: H01J1/3048 ,  H01J2201/30457

Abstract: 本發明揭示新穎的含雜原子類鑽石分子之場發射裝置(FED)。在本發明之一具體實施例中，雜原子類鑽石分子之雜原子包含供電子物種(諸如氮)作為場發射裝置之陰極或電子發射組件的部分。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示新颖的含杂原子类钻石分子之场发射设备(FED)。在本发明之一具体实施例中，杂原子类钻石分子之杂原子包含供电子物种(诸如氮)作为场发射设备之阴极或电子发射组件的部分。

公开(公告)号：TW333635B

公开(公告)日：1998-06-11

申请号：TW085111596

申请日：1996-09-23

Applicant: 杜邦股份有限公司

Inventor： 丹尼斯約翰比曲斯 ,  丹尼爾艾溫亞米二世 ,  史蒂芬艾倫里普 ,  亞瑟米勒 ,  傑夫瑞保羅强生

IPC: G09G

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/126 ,  H01J2201/304 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2329/00

Abstract: 發表一種顯示面板，至少具有一含電子場射極之懸浮式纖維陰極。此顯示面板可製成大尺寸，同時仍維持高品質與高效率。

Abstract in simplified Chinese: 发表一种显示皮肤，至少具有一含电子场射极之悬浮式纤维阴极。此显示皮肤可制成大尺寸，同时仍维持高品质与高效率。

公开(公告)号：US08274939B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12527577

申请日：2008-03-21

Applicant: Sung Jun Park ,  Young Dae Lee ,  Seung June Yi ,  Sung Duck Chun

Inventor： Sung Jun Park ,  Young Dae Lee ,  Seung June Yi ,  Sung Duck Chun

IPC: H04W4/00 ,  H04J3/16

CPC classification number: H04W72/0413 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30457 ,  H04L65/80 ,  H04W28/06 ,  H04W80/04

Abstract: A method of transmitting a data block in a wireless communication system includes generating a data block having a variable size in an upper layer, transmitting a radio resource request message to a base station according to the size of the data block in a medium access control (MAC) layer and transmitting the data block by using a radio resource allocated by using the radio resource request message. For a packet service such as VoIP in which a delay time is important, QoS can be improved by decreasing the delay time of packet transmission and by decreasing a packet discard ratio.

Abstract translation: 在无线通信系统中发送数据块的方法包括在上层生成具有可变大小的数据块，根据介质访问控制中的数据块的大小向基站发送无线资源请求消息（ MAC）层，并且通过使用通过使用无线电资源请求消息分配的无线资源来发送数据块。 对于延迟时间重要的诸如VoIP的分组业务，可以通过减少分组传输的延迟时间和减少分组丢弃率来提高QoS。

公开(公告)号：US07755271B2

公开(公告)日：2010-07-13

申请号：US11287838

申请日：2005-11-28

Applicant: Kazuhito Nishimura ,  Hideki Sasaoka

Inventor： Kazuhito Nishimura ,  Hideki Sasaoka

IPC: H01J1/62 ,  H01J63/04

CPC classification number: H01J1/3048 ,  H01J2201/30457

Abstract: An electron emission film having a pattern of diamond in X-ray diffraction and formed of a plurality of diamond fine grains having a grain diameter of 5 nm to 10 nm is formed on a substrate. The electron emission film can restrict the field intensity to a low level when it causes an emission current to flow, and has a uniform electron emission characteristic.

Abstract translation: 在基板上形成具有X射线衍射中的金刚石图案和由多个粒径为5nm〜10nm的金刚石细晶粒形成的电子发射膜。 当电子发射膜导致发射电流流动时，电子发射膜可以将场强限制在低水平，并且具有均匀的电子发射特性。

公开(公告)号：US20090167139A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US12066976

申请日：2006-08-28

Applicant: Takatoshi Yamada ,  Shinichi Shikata

Inventor： Takatoshi Yamada ,  Shinichi Shikata

IPC: H01J19/02 ,  C30B23/02 ,  H01B1/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  C23C16/274 ,  C23C16/278 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30457

Abstract: According to the present invention, a phosphorus-doped diamond film allowing a significantly reduced electron emission voltage, a method for producing the same, and a diamond electron source using the same, such diamond electron source exerting stable and excellent electron emission characteristics, which can be used for a cold cathode surface structure operable with low voltage, are provided. Also, a method for producing a phosphorus-doped diamond film, comprising growing a diamond film on a diamond substrate by a microwave CVD method in an atmosphere containing gases (methane and hydrogen) and phosphorus with the use of tertiary butyl phosphorus as a source of addition of phosphorous, such diamond film containing phosphorus at a concentration of 1015 cm−3 or more, having a resistivity of 107 Ωcm or less, and allowing a voltage for initiation of electron emission to be 30 V or less, and a diamond electron source using the same are provided. In such diamond film, the electron emission voltage is significantly reduced.

Abstract translation: 根据本发明，能够显着降低电子发射电压的磷掺杂金刚石薄膜，其制造方法和使用该方法的金刚石电子源，具有稳定和优异的电子发射特性的金刚石电子源，其可以 用于可低压操作的冷阴极表面结构。 另外，一种磷掺杂金刚石膜的制造方法，其特征在于，在含有气体（甲烷和氢）和磷的气氛中，通过微波CVD法在金刚石基板上生长金刚石膜，使用叔丁基磷作为 加入磷，这种金刚石膜含有浓度为1015cm-3或更高的磷，具有107Ω·米或更小的电阻率，并允许电子发射的电压为30V或更小，金刚石电子源 提供使用它们。 在这种金刚石膜中，电子发射电压显着降低。