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公开(公告)号：CN101005235A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610168018.8
申请日：2006-12-15
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M1/32
Abstract: 本发明的电源装置的过热保护电路，不采用专用的感温元件，而采用肖特基势垒二极管(SBD)进行过热保护。该过热保护电路在直流电源装置(1A)中，使由与整流二极管(D51A)热耦合的肖特基势垒二极管(SBD)(D51B)的温度引起的反向漏电流(Ir)流入到输出电压检测电路(10A)内的光耦合器(PC1)。由此，当肖特基势垒二极管(SBD)(D51B)的反向漏电流(Ir)增大时(整流二极管(D51A)的温度由于过载而上升时)，使输出电压检测电路(10A)的反馈信号增大，使输出电压降低，从而进行直流电源装置(1A)的过热保护。
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公开(公告)号：CN1985427A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580023200.8
申请日：2005-09-20
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 京野羊一
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33592 , Y02B70/1475
Abstract: 在直流电源装置中设置：导通检测电路(17、18)，用于在整流用MOS－FET(15、16)的整个导通期间内输出检测信号Vp1、Vp2；以及与导通检测电路(17、18)连接的计时电路(19、20)。利用计时电路(19、20)计时一方的整流用MOS－FET(15)内流动的电流ID1变为零之前的导通检测电路(17、18)的检测信号Vp1、Vp2的输出期间，由于可在被计时的期间即将结束时截止另一方的整流用MOS－FET(16)，因而可通过在整流电路的导通期间内有效截止整流用MOS－FET(15、16)高效进行直流电源装置的同步整流。
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公开(公告)号：CN1985426A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580023252.5
申请日：2005-09-20
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M1/08 , H02M7/5387
CPC classification number: H03K19/018557 , H02M1/08 , H02M7/538 , H03K17/162 , H03K17/6871
Abstract: 驱动装置的电位状态检测电路(29)根据第一电阻(13)与第三电阻(15)的连接点(17)、第三电阻(15)与第一控制用MOSFET(8)的连接点(18)、第二电阻(14)与第四电阻(16)的连接点(19)以及第四电阻(16)与第二控制用MOSFET(9)的连接点(20)的电位差，将信号给予驱动电路(30)，驱动电路(30)基于第一串联电路(11)与第二串联电路(12)的电位，给第一MOSFET(1)的控制端以驱动信号，给负载(4)供电。此时，当适当地设定第一电阻(13)、第二电阻(14)、第三电阻(15)、第四电阻(16)的电阻值，即使产生因急剧电位上升带来的异常信号或噪声，电位状态检测电路(29)也可检测各连接点(17－20)的电位，并可靠地产生输出来防止驱动电路(30)的误操作。
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公开(公告)号：CN1322521C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200410087962.1
申请日：2004-10-27
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 在一个转换循环的开启以及关闭时，均可从电抗器装置的第一次级线圈及第二次级线圈分别得到规定量的能量。电抗器装置具备铁心装置(2)、缠绕于铁心装置的线圈装置(3)。铁心装置具备相互平行配置的第一足部(4)、第二足部(5)、第三足部(6)以及连接第一足部、第二足部、第三足部而形成磁回路的基部(7)。线圈装置具有缠绕于第一足部的初级线圈(Np)、缠绕于第二足部的第一次级线圈(Ns)、缠绕于第一足部或第三足部的第二次级线圈(Nf)，第二足部具备比第三足部的截面积小的小断面部(11)。缠绕在对初级线圈施加电压期间将能量从第一次级线圈取出的第一次级线圈的第二足部，没有在第二足部积蓄能量的必要，所以，第二足部的截面积为第一足部及第三足部的1/2的截面即可，可以谋求小型轻量化以及降低成本。
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公开(公告)号：CN1943032A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200680000196.8
申请日：2006-02-17
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H01L25/071 , H01L25/074 , H01L25/16 , H01L29/7395 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件(10)具有：设置在基板(16)上的第一晶体管(11)、隔着散热层(17)设置在第一晶体管(11)上的第二晶体管(12)、设置在基板(16)上的第三晶体管(13)以及隔着散热层(17)设置在第三晶体管(13)上的第四晶体管(14)。第一晶体管(11)具有：第一区域，其与设置第二晶体管的区域相对应；以及第二区域，其包围第一区域地形成，其中，发射区占基区的面积比例大于第一区域。第三晶体管(13)也与第一晶体管(11)一样，具有发射区占基区的面积比例不同的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1942036A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610141557.2
申请日：2006-09-28
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H05B41/386 , Y02B20/204
Abstract: 本发明抑制放电管的红外线释放量，在刚刚进行了显示器的显示以后用遥控器控制显示装置。功率控制装置(3)具备：把功率发生装置(4)的输出功率在馈电开始时的第1期间中控制为第1功率的第1功率控制单元、在接着第1期间的第2期间中控制为小于第1功率的第2功率的第2功率控制单元、在接着第2期间的第3期间中控制为大于第2功率而且小于第1功率的第3功率的第3功率控制单元。在功率大的第1期间中，使放电管(2)的管温上升，在放电管(2)内使水银蒸汽良好地分散，在功率小的第2期间中，在把管温保持为比较高的温度的状态下，由于使红外线释放量自身减少，因此能够有效地抑制放电管(2)的红外线释放量。
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公开(公告)号：CN1914729A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003943.9
申请日：2005-03-28
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 横山隆昭
IPC: H01L25/07 , H01L25/065 , H01L25/18
Abstract: 本发明的课题是保护半导体器件内的半导体元件使之不受周边的热环境的影响。在半导体器件中设置具有散热性和导电性的支撑板(1)和经绝缘构件(3)固定在支撑板(1)的一个主面上的主半导体元件(2)。绝缘构件(3)具备固定在支撑板(1)上的未图示的层(3a)和固定在未图示的层(3a)与主半导体元件(2)之间的隔热层(3b)，充分地保护主半导体元件(2)使之不受周边的热环境的影响。
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公开(公告)号：CN1860671A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200480028082.5
申请日：2004-09-27
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 京野羊一
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33592 , Y02B70/1475
Abstract: 开关电源装置设有通过1次线圈N1而与直流电源1连接的主开关Q1。平滑电容器Co通过同步整流元件Q2连接在2次线圈N2上。同步整流元件Q2由同步整流半导体开关8和二极管D0的并联电路构成。为了在二极管D0成为导通的期间中使同步整流半导体开关8导通，设有导通期间确定用电容器C1、充电用二极管D1、电阻R1、放电用电阻R2、开关状态信号检测部件11和逻辑电路部件20。通过逻辑电路部件20，能够正确地设定同步整流半导体开关8的导通期间。
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公开(公告)号：CN1841584A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610067845.8
申请日：2006-03-14
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 提供一种不改变绕线管的形状即可将漏电感调整到最佳值的低成本、高性能的变压器。特征在于，配置了绕线管10，其具有初级绕组(1)以及次级绕组(2)、卷绕初级绕组(1)的第1卷绕部(11)以及卷绕次级绕组(2)的第2卷绕部(12)；第1卷绕部(11)以及第2卷绕部(12)将二者或其中任意一方在绕线管(10)的轴线方向上分离配置多个。由于通过改变分离配置的初级绕组(1)或次级绕组(2)的圈数比，调整初级绕组(1)和次级绕组(2)的漏电感值，因此，可根据变压器的用途，很容易改变漏电感的值。
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