-
公开(公告)号：CN1943032A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200680000196.8
申请日：2006-02-17
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H01L25/071 , H01L25/074 , H01L25/16 , H01L29/7395 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件(10)具有：设置在基板(16)上的第一晶体管(11)、隔着散热层(17)设置在第一晶体管(11)上的第二晶体管(12)、设置在基板(16)上的第三晶体管(13)以及隔着散热层(17)设置在第三晶体管(13)上的第四晶体管(14)。第一晶体管(11)具有：第一区域，其与设置第二晶体管的区域相对应；以及第二区域，其包围第一区域地形成，其中，发射区占基区的面积比例大于第一区域。第三晶体管(13)也与第一晶体管(11)一样，具有发射区占基区的面积比例不同的区域。
-
公开(公告)号：CN102105983B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200980129039.0
申请日：2009-06-19
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H01L23/3121 , H01F27/2804 , H01F2027/2819 , H01L23/552 , H01L23/645 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T307/675 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开一种半导体装置(10)，其中具有：具有强磁性体的基体(15)、搭载在基体(15)上的第一半导体芯片(11)以及第二半导体芯片(12)、在基体(15)上配设且与第一半导体芯片(11)电连接的第一线圈(131)、与其重复配设且与第一线圈(131)电磁连接并且与第二半导体芯片(12)电连接的第二线圈(132)、由强磁性体构成且在基体(15)上安装的变压器结构体(18)、以及密封体(100)，变压器结构体(18)具有第一芯部(181)、第一侧面屏蔽部(182)、第一上表面屏蔽部(183)。
-
公开(公告)号：CN100483710C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200680000196.8
申请日：2006-02-17
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H01L25/071 , H01L25/074 , H01L25/16 , H01L29/7395 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件(10)具有：设置在基板(16)上的第一晶体管(11)、隔着散热层(17)设置在第一晶体管(11)上的第二晶体管(12)、设置在基板(16)上的第三晶体管(13)以及隔着散热层(17)设置在第三晶体管(13)上的第四晶体管(14)。第一晶体管(11)具有：第一区域，其与设置第二晶体管的区域相对应；以及第二区域，其包围第一区域地形成，其中，发射区占基区的面积比例大于第一区域。第三晶体管(13)也与第一晶体管(11)一样，具有发射区占基区的面积比例不同的区域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100334664C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410087969.3
申请日：2004-10-27
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01F7/18
CPC classification number: H01H47/325 , H01F7/1844 , H01F2007/1888 , H01H47/002
Abstract: 本发明涉及一种螺线管驱动电路，包括：包括用于识别通过其中的电流以形成对应于通过连接到电阻器(6a)的螺线管(4)的电流电平的电信号的电流的电阻器(6a)的检测器(6)的控制电路(2)；放大来自电阻器(6a)的电信号的放大器(7)；和对来自放大器(7)的放大的输出进行积分的积分器(8)。在PWM控制器(3)每次产生至少一个连续地驱动信号(S3)时使积分器(8)复位时，运算比较器(5)从积分器(8)接收相对较小量的最近更新的积分值(S8)，容易且快捷地比较来自积分器(8)的更新的值(S8)和目标电流值以产生表示积分值(S8)与目标电流值的偏差，以及给PWM控制器(3)提供表示该偏差的指令信号(S5)。
-
公开(公告)号：CN102105983A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980129039.0
申请日：2009-06-19
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H01L23/3121 , H01F27/2804 , H01F2027/2819 , H01L23/552 , H01L23/645 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T307/675 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开一种半导体装置(10)，其中具有：具有强磁性体的基体(15)、搭载在基体(15)上的第一半导体芯片(11)以及第二半导体芯片(12)、在基体(15)上配设且与第一半导体芯片(11)电连接的第一线圈(131)、与其重复配设且与第一线圈(131)电磁连接并且与第二半导体芯片(12)电连接的第二线圈(132)、由强磁性体构成且在基体(15)上安装的变压器结构体(18)、以及密封体(100)，变压器结构体(18)具有第一芯部(181)、第一侧面屏蔽部(182)、第一上表面屏蔽部(183)。
-
公开(公告)号：CN1619721A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410087969.3
申请日：2004-10-27
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01F7/18
CPC classification number: H01H47/325 , H01F7/1844 , H01F2007/1888 , H01H47/002
Abstract: 本发明涉及一种螺线管驱动电路，包括：包括用于识别通过其中的电流以形成对应于通过连接到电阻器(6a)的螺线管(4)的电流电平的电信号的电流的电阻器(6a)的检测器(6)的控制电路(2)；放大来自电阻器(6a)的电信号的放大器(7)；和对来自放大器(7)的放大的输出进行积分的积分器(8)。在PWM控制器(3)每次产生至少一个连续地驱动信号(S3)时使积分器(8)复位时，运算比较器(5)从积分器(8)接收相对较小量的最近更新的积分值(S8)，容易且快捷地比较来自积分器(8)的更新的值(S8)和目标电流值以产生表示积分值(S8)与目标电流值的偏差，以及给PWM控制器(3)提供表示该偏差的指令信号(S5)。
-
公开(公告)号：CN100546028C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200480014303.3
申请日：2004-05-27
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 金泽正喜
CPC classification number: H01L25/071 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 在半导体装置中设置具有散热性的支撑板(5)以及在支撑板(5)上依次被层叠、固定且交替地进行开关工作的第1半导体元件(1)和第2半导体元件(2)。如果在支撑板(5)上依次层叠、固定第1半导体元件(1)和第2半导体元件(2)，则既可减少支撑板(5)的占有面积，又可提高集成度，使第1半导体元件(1)和第2半导体元件(2)交替地进行开关工作，可抑制第1半导体元件(1)和第2半导体元件(2)的发生热量。在小的面积上层叠半导体装置的多个半导体元件，可使半导体装置以良好的散热特性工作。
-
公开(公告)号：CN1795557A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200480014303.3
申请日：2004-05-27
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 金泽正喜
CPC classification number: H01L25/071 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 在半导体装置中设置具有散热性的支撑板(5)以及在支撑板(5)上依次被层叠、固定且交替地进行开关工作的第1半导体元件(1)和第2半导体元件(2)。如果在支撑板(5)上依次层叠、固定第1半导体元件(1)和第2半导体元件(2)，则既可减少支撑板(5)的占有面积，又可提高集成度，使第1半导体元件(1)和第2半导体元件(2)交替地进行开关工作，可抑制第1半导体元件(1)和第2半导体元件(2)的发生热量。在小的面积上层叠半导体装置的多个半导体元件，可使半导体装置以良好的散热特性工作。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.029 seconds)
