公开(公告)号：TWI235628B

公开(公告)日：2005-07-01

申请号：TW093108225

申请日：2004-03-26

Applicant: 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

Inventor： 粘金重 ,  劉達全 ,  賀陳弘 HOCHENG, HONG

IPC: H05K

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81C1/0046 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本發明係有關一種壓印製程監測方法與系統，其主要是於壓印母模背面與承載晶圓基材之承載座表面分別設置複數個電極板以形成複數個電容式結構。其遂可偵測與記錄壓印材料於充填模穴之變化狀況，藉由壓印材料充填模穴時所產成之厚度變化以及壓印材料受擠壓後所產生之材料特性連續變化，進而造成電容值變化之訊號，作為奈米壓印製程進給脫模時間點及保持待壓印物體平整度之依據，使奈米壓印製程更易於自動化，並提升奈米壓印成品品質與奈米壓印製程的產出率。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关一种压印制程监测方法与系统，其主要是于压印母模背面与承载晶圆基材之承载座表面分别设置复数个电极板以形成复数个电容式结构。其遂可侦测与记录压印材料于充填模穴之变化状况，借由压印材料充填模穴时所产成之厚度变化以及压印材料受挤压后所产生之材料特性连续变化，进而造成电容值变化之信号，作为奈米压印制程进给脱模时间点及保持待压印物体平整度之依据，使奈米压印制程更易于自动化，并提升奈米压印成品品质与奈米压印制程的产出率。

公开(公告)号：TW200720839A

公开(公告)日：2007-06-01

申请号：TW095138557

申请日：2006-10-19

Applicant: 新加坡科技研究局 AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH

Inventor： 張鳳祥 ZHANG, FENGXIANG ,  劉鳳儀 LOW, HONG YEE

IPC: G03F

CPC classification number: B29C59/02 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本發明揭示一種藉著奈米轉印作用在一物件上形成階層圖案的方法。該方法包含使用一第一模具以在一第一溫度和一第一壓力下,於該物件上形成一初始圖案,該第一溫度和該第一壓力係能夠減少該物件的彈性模數;以及使用一第二模具以在一低於該物件的玻璃轉化溫度之第二溫度下,於初始圖案上形成一第二圖案,該第二圖案係在一第二壓力下成形。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种借着奈米转印作用在一对象上形成阶层图案的方法。该方法包含使用一第一模具以在一第一温度和一第一压力下,于该对象上形成一初始图案,该第一温度和该第一压力系能够减少该对象的弹性模数;以及使用一第二模具以在一低于该对象的玻璃转化温度之第二温度下,于初始图案上形成一第二图案,该第二图案系在一第二压力下成形。

公开(公告)号：TW200615690A

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：TW094128030

申请日：2005-08-17

Applicant: 惠普研發公司 HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.

Inventor： 夏爾瑪 夏山 SHARMA, SHASHANK

IPC: G03F ,  B81C

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  Y10T428/31612

Abstract: 奈米級裝置其提供縮減結構尺寸之結構於該裝置上之方法。具有彼此隔開之第一奈米導線圖案之一裝置基材表面被消耗，讓該第一奈米導線之尺寸縮減。一第二奈米導線形成於相鄰第一奈米導線間之溝槽或間隙，讓該奈米級裝置包括一組結構，其包括尺寸縮減之第一奈米導線及藉次溝槽而與相鄰之第一奈米導線隔開之第二奈米導線。

Abstract in simplified Chinese: 奈米级设备其提供缩减结构尺寸之结构于该设备上之方法。具有彼此隔开之第一奈米导线图案之一设备基材表面被消耗，让该第一奈米导线之尺寸缩减。一第二奈米导线形成于相邻第一奈米导线间之沟槽或间隙，让该奈米级设备包括一组结构，其包括尺寸缩减之第一奈米导线及藉次沟槽而与相邻之第一奈米导线隔开之第二奈米导线。

公开(公告)号：TW200533259A

公开(公告)日：2005-10-01

申请号：TW093108225

申请日：2004-03-26

Applicant: 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

Inventor： 粘金重 ,  劉達全 ,  賀陳弘 HOCHENG, HONG

IPC: H05K

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81C1/0046 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本發明係有關一種壓印製程監測方法與系統，其主要是於壓印母模背面與承載晶圓基材之承載座表面分別設置複數個電極板以形成複數個電容式結構。其遂可偵測與記錄壓印材料於充填模穴之變化狀況，藉由壓印材料充填模穴時所產成之厚度變化以及壓印材料受擠壓後所產生之材料特性連續變化，進而造成電容值變化之訊號，作為奈米壓印製程進給脫模時間點及保持待壓印物體平整度之依據，使奈米壓印製程更易於自動化，並提升奈米壓印成品品質與奈米壓印製程的產出率。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关一种压印制程监测方法与系统，其主要是于压印母模背面与承载晶圆基材之承载座表面分别设置复数个电极板以形成复数个电容式结构。其遂可侦测与记录压印材料于充填模穴之变化状况，借由压印材料充填模穴时所产成之厚度变化以及压印材料受挤压后所产生之材料特性连续变化，进而造成电容值变化之信号，作为奈米压印制程进给脱模时间点及保持待压印物体平整度之依据，使奈米压印制程更易于自动化，并提升奈米压印成品品质与奈米压印制程的产出率。

公开(公告)号：TWI474391B

公开(公告)日：2015-02-21

申请号：TW096122854

申请日：2007-06-25

Applicant: 高級微裝置公司 ,  ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

Inventor： 西德爾 羅柏特 ,  SEIDEL, ROBERT ,  彼特 卡斯特 ,  PETERS, CARSTEN ,  費思特 法蘭克 ,  FEUSTEL, FRANK

IPC: H01L21/306 ,  G03F7/26 ,  H01L21/308

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76817 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L2221/1021

公开(公告)号：TW200922862A

公开(公告)日：2009-06-01

申请号：TW097107044

申请日：2008-02-29

Applicant: 仁荷大學校產學協力團 INHA-INDUSTRY PARTNERSHIP INSTITUTE

Inventor： 朴世根 PARK, SE GUEN ,  金澖亨 KIM, HAN HYOUNG

IPC: B81C ,  H01L

CPC classification number: H01L21/0273 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

Abstract: 本發明係一種利用壓印(imprint)和光刻(photo lithography)工程製造三維構造物的方法,該方法包括:(a)在基材(substrate)上部旋轉塗鍍光阻劑(photoresist)的步驟;(b)利用紀錄一定圖案的模型(mold)在上述(a)步驟中沉積的光阻劑(photoresist)上以一定溫度及一定壓力進行壓印(imprint)的步驟;(c)在上述(b)步驟製造的構造物上設置光罩(photomask),然後藉由曝光(expose)和顯影(develop)的過程使其形成具有特定圖案的三維構造物。本發明藉由控制製程時間來控制既有壓印步驟中會產生的殘留層高度,所以僅需利用壓印和光刻步驟即可完成,故可省卻既有製程中所需進行的殘留層消除步驟。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种利用压印(imprint)和光刻(photo lithography)工程制造三维构造物的方法,该方法包括:(a)在基材(substrate)上部旋转涂镀光阻剂(photoresist)的步骤;(b)利用纪录一定图案的模型(mold)在上述(a)步骤中沉积的光阻剂(photoresist)上以一定温度及一定压力进行压印(imprint)的步骤;(c)在上述(b)步骤制造的构造物上设置光罩(photomask),然后借由曝光(expose)和显影(develop)的过程使其形成具有特定图案的三维构造物。本发明借由控制制程时间来控制既有压印步骤中会产生的残留层高度,所以仅需利用压印和光刻步骤即可完成,故可省却既有制程中所需进行的残留层消除步骤。

公开(公告)号：TW200710566A

公开(公告)日：2007-03-16

申请号：TW095121031

申请日：2006-06-13

Applicant: 分子壓模公司 MOLECULAR IMPRINTS, INC.

Inventor： 徐 法蘭克Y XU, FRANK Y.

IPC: G03F ,  C08L

CPC classification number: B32B37/14 ,  B32B38/06 ,  B81C1/0046 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08L59/00 ,  C09J5/00 ,  C09J2205/31 ,  C09J2451/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10T156/10

Abstract: 本發明提供一種將一層與基板黏著之方法,其特徵為可界定第一及第二介面,其係藉使一組成物存在於該層與基板之間,其可以與該層形成共價鍵並使用共價鍵、離子鍵及凡得瓦爾力(Van der waals forces)中之一或多種與該基板黏著。使用此種方法,可確定該層對該組成物之黏著力强度高於該層對自預定黏著機制,亦即不包括共價鍵結之黏著機制,所形成之組成物的黏著力。另外,本發明係有關於一種將第一及第二材料黏著在一起之組成物。該組成物具有多官能基反應性化合物的特徵,該化合物包括一主鏈基團及第一與第二官能基;一支聯劑,及一觸媒。該第一官能基可以與第一光化能反應以形成交聯分子並使該等交聯分子之亞組與該第一材料黏著。該第二官能基可以與不同於該第一光化能之第二光化能反應以黏著該第二材料。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种将一层与基板黏着之方法,其特征为可界定第一及第二界面,其系藉使一组成物存在于该层与基板之间,其可以与该层形成共价键并使用共价键、离子键及凡得瓦尔力(Van der waals forces)中之一或多种与该基板黏着。使用此种方法,可确定该层对该组成物之黏着力强度高于该层对自预定黏着机制,亦即不包括共价键结之黏着机制,所形成之组成物的黏着力。另外,本发明系有关于一种将第一及第二材料黏着在一起之组成物。该组成物具有多官能基反应性化合物的特征,该化合物包括一主链基团及第一与第二官能基;一支联剂,及一触媒。该第一官能基可以与第一光化能反应以形成交联分子并使该等交联分子之亚组与该第一材料黏着。该第二官能基可以与不同于该第一光化能之第二光化能反应以黏着该第二材料。

公开(公告)号：TW201529677A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103145324

申请日：2014-12-24

Applicant: DIC股份有限公司 ,  DIC CORPORATION

Inventor： 伊部武史 ,  IBE, TAKESHI ,  矢田真 ,  YADA, MAKOTO

IPC: C08L25/00 ,  C08L57/00 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3065 ,  B29C59/02 ,  H01L21/027 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C08F12/36 ,  B29C59/026 ,  B81C2201/0153 ,  C08F12/32 ,  C08F12/34 ,  C08F257/00 ,  C08K5/00 ,  C08L101/02 ,  C09D125/16 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/31144

Abstract: 本發明提供一種乾式蝕刻抗蝕劑用硬化性樹脂組合物，其特徵在於：其係含有具有特定結構之聚合物(A)者，且該聚合物(A)中之特定結構於聚合物(A)中為80~100重量%。 又，本發明提供一種特徵在於使該乾式蝕刻抗蝕劑用硬化性組合物硬化而成之乾式蝕刻用抗蝕遮罩、及作為具有藉由奈米壓印法之圖案者之乾式蝕刻用抗蝕遮罩。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种干式蚀刻抗蚀剂用硬化性树脂组合物，其特征在于：其系含有具有特定结构之聚合物(A)者，且该聚合物(A)中之特定结构于聚合物(A)中为80~100重量%。 又，本发明提供一种特征在于使该干式蚀刻抗蚀剂用硬化性组合物硬化而成之干式蚀刻用抗蚀遮罩、及作为具有借由奈米压印法之图案者之干式蚀刻用抗蚀遮罩。

公开(公告)号：TW201321167A

公开(公告)日：2013-06-01

申请号：TW101134893

申请日：2012-09-24

Applicant: 1366科技公司 ,  1366 TECHNOLOGIES INC.

Inventor： 莎栩思 伊繆爾M ,  SACHS, EMANUEL M.

IPC: B29C59/02 ,  B29C35/02

CPC classification number: H01L31/18 ,  B29C33/40 ,  B29C33/42 ,  B29C33/424 ,  B29C43/021 ,  B29C2033/426 ,  B29C2043/025 ,  B29C2059/023 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

Abstract: 用於將圖案賦予至基材上之可流動的抗蝕劑材料之方法需要提供一如此薄之抗蝕劑層，以致在打印機楔入製程期間，於楔子突出部份之間該抗蝕劑絕不會完全填充該基材及打印機的底部表面之間的空間，而在其間到處留下一間隙。一間隙保留於該抗蝕劑及該打印機的延伸表面之間。當被沈積時，如果該抗蝕劑層係稍微比該目標數量更厚，其將剛好於抗蝕劑及工具之間造成一較小的間隙。連續間隙之存在確保沒有壓力累積在該打印機之下。如此，該等突出部份上之力量係僅只藉由該打印機上方之壓力所決定，且被很好地控制，導致孔洞尺寸受很好的控制。該間隙防止抗蝕劑被完全汲取出任何一區域，且如此防止任何區域未覆蓋抗蝕劑。該打印機可在其與該基材之接觸中脈動，反覆地變形該等壓凹之突出部份。數個脈動比單一下壓較佳地清除任何浮渣層，如藉由測量用於正常持續時間之正常蝕刻將蝕刻掉基材材料之程度的蝕刻測試比較所得到之結果。

Abstract in simplified Chinese: 用于将图案赋予至基材上之可流动的抗蚀剂材料之方法需要提供一如此薄之抗蚀剂层，以致在打印机楔入制程期间，于楔子突出部份之间该抗蚀剂绝不会完全填充该基材及打印机的底部表面之间的空间，而在其间到处留下一间隙。一间隙保留于该抗蚀剂及该打印机的延伸表面之间。当被沉积时，如果该抗蚀剂层系稍微比该目标数量更厚，其将刚好于抗蚀剂及工具之间造成一较小的间隙。连续间隙之存在确保没有压力累积在该打印机之下。如此，该等突出部份上之力量系仅只借由该打印机上方之压力所决定，且被很好地控制，导致孔洞尺寸受很好的控制。该间隙防止抗蚀剂被完全汲取出任何一区域，且如此防止任何区域未覆盖抗蚀剂。该打印机可在其与该基材之接触中脉动，反复地变形该等压凹之突出部份。数个脉动比单一下压较佳地清除任何浮渣层，如借由测量用于正常持续时间之正常蚀刻将蚀刻掉基材材料之程度的蚀刻测试比较所得到之结果。

公开(公告)号：TWI321266B

公开(公告)日：2010-03-01

申请号：TW095138557

申请日：2006-10-19

Applicant: 新加坡科技研究局

Inventor： 張鳳祥 ,  劉鳳儀

IPC: G03F

CPC classification number: B29C59/02 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本發明揭示一種藉著奈米轉印作用在一物件上形成階層圖案的方法。該方法包含使用一第一模具以在一第一溫度和一第一壓力下，於該物件上形成一初始圖案，該第一溫度和該第一壓力係能夠減少該物件的彈性模數；以及使用一第二模具以在一低於該物件的玻璃轉化溫度之第二溫度下，於初始圖案上形成一第二圖案，該第二圖案係在一第二壓力下成形。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种借着奈米转印作用在一对象上形成阶层图案的方法。该方法包含使用一第一模具以在一第一温度和一第一压力下，于该对象上形成一初始图案，该第一温度和该第一压力系能够减少该对象的弹性模数；以及使用一第二模具以在一低于该对象的玻璃转化温度之第二温度下，于初始图案上形成一第二图案，该第二图案系在一第二压力下成形。