半导体加工用带
    171.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107408501B

    公开(公告)日:2018-08-24

    申请号:CN201680015116.X

    申请日:2016-03-23

    CPC classification number: C09J201/00 C09J7/20

    Abstract: 本发明提供一种拾取性优异的半导体加工用带,其在带收缩工序中热收缩率低,不会产生褶皱,并且切缝宽度充分扩张而芯片位置不会偏移。一种半导体加工用带,其特征在于,具有粘合带,该粘合带具备基材膜和形成于上述基材膜的至少一面侧的粘合剂层,在通过扩展分割粘接剂的工序中,按照JIS7162中规定的方法,上述粘合带在10%的拉伸伸长率时的仅基材的应力与粘合带的应力的关系如下:粘合带的应力/仅基材的应力=1以下。

    表面保护膜
    174.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108307636A

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201680026769.8

    申请日:2016-04-11

    Inventor: 堀米克彦

    CPC classification number: H01L27/14 C09J7/20 C09J201/00

    Abstract: 本发明提供一种表面保护膜(10),所述表面保护膜(10)粘贴于光学构件或电子构件,用于保护其表面,该表面保护膜(10)具备平面环状的第一膜基材(11)、设置于所述第一膜基材(11)的一面(11A)侧的第一粘合剂层(12)、以及设置于所述第一膜基材(11)的另一面侧且覆盖环状内部中空部的覆盖膜(15)。

    半导体加工用片
    176.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108271381A

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201780003864.0

    申请日:2017-01-05

    CPC classification number: H01L21/304 C09J7/20 C09J201/00

    Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片1,其至少具备基材10、半导体贴附层80、及剥离膜30,基材10的第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01~0.8μm,在将基材10的第一面101与剥离膜30的第二面302的界面上的剥离力设为α,并将在半导体贴附层80的第二面802与剥离膜30的第一面301的界面上的剥离力设为β时,α比β的比值(α/β)为0以上且小于1.0,剥离力β为10~1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时、不容易发生粘连。

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