公开(公告)号：WO2011089179A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：PCT/EP2011/050740

申请日：2011-01-20

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) ,  GALY, Philippe ,  JIMENEZ, Jean ,  BOURGEAT, Johan ,  ENTRINGER, Christophe

Inventor： GALY, Philippe ,  JIMENEZ, Jean ,  BOURGEAT, Johan ,  ENTRINGER, Christophe

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/02

CPC classification number: H02H9/044 ,  H01L23/60 ,  H01L27/0274 ,  H01L27/0277 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Le dispositif électronique comprend une première (BP) et une deuxième (BN) bornes et des moyens électroniques couplés entre les deux bornes; les moyens électroniques comprennent au moins un bloc (BLC) comportant un transistor MOS (TR) incluant un transistor bipolaire parasite, le transistor MOS ayant son drain (D) couplé à la première borne (BP), sa source (S) couplée à la deuxième borne (BN) et étant configuré en outre pour, en présence d'une impulsion de courant (IMP) entre les deux bornes, fonctionner dans un mode hybride incluant un fonctionnement du type MOS dans un mode sous seuil et un fonctionnement du transistor bipolaire parasite. Le dispositif peut comporter deux blocs (BLC1, BLC2) connectés de façon symétrique entre les deux bornes (BP, BN) ainsi qu'un triac (TRC) dont la gâchette est connectée à la borne commune (BC) des deux blocs.

Abstract translation: 电子设备包括耦合在所述两个终端之间的第一（BP）和第二（BN）终端和电子设备; 所述电子装置包括至少一个包括包括寄生双极晶体管的MOS晶体管（TR）的块（BLC），所述MOS晶体管的漏极（D）耦合到所述第一端子（BP），所述源极（S）耦合 （BN）并且在两个端子之间的电流脉冲（IMP）的情况下另外配置为以包括亚阈值模式中的MOS操作和寄生双极晶体管的操作的混合模式操作。 该装置可以包括两个端子（BP，BN）之间对称地连接有三端双向可控硅开关元件（TRC）的两个模块（BLC1，BLC2），触发器连接到两个模块的公共端子（BC）。

公开(公告)号：WO2010060872A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/EP2009/065575

申请日：2009-11-20

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  TROCHUT, Séverin

Inventor： TROCHUT, Séverin

IPC: G05F1/575 ,  H02M3/158

CPC classification number: H02M3/1582

Abstract: The invention concerns a switch-mode voltage regulator, comprising : an inductor (L); a generator for producing a voltage ramp (16); circuitry (12, 13) for producing at least one pulse stream from said voltage ramp; switch control circuitry (14) for controlling switching of a current in the inductor according to said pulse stream; and a first control loop adapted to modulate the form of the voltage ramp according to the current flowing in the inductor.

Abstract translation: 本发明涉及一种开关模式电压调节器，包括：电感器（L）; 用于产生电压斜坡（16）的发电机; 电路（12,13），用于从所述电压斜坡产生至少一个脉冲流; 开关控制电路（14），用于根据所述脉冲流控制电感器中的电流的切换; 以及第一控制回路，其适于根据在电感器中流动的电流来调制电压斜坡的形式。

公开(公告)号：WO2010023401A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：PCT/FR2009/051620

申请日：2009-08-24

Applicant: STMicroelectronics SA ,  PICOLLET, Eric ,  DEGLISE-FAVRE, Claire ,  MAGAND, Rémi

Inventor： PICOLLET, Eric ,  DEGLISE-FAVRE, Claire ,  MAGAND, Rémi

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/30 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01G4/005 ,  H01G4/30 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Ce condensateur tridimensionnel comprend un empilement d' électrodes superposées formées dans des niveaux de métallisation respectives d'un circuit intégré. Il comporte en outre au moins deux électrodes additionnelles superposées formées au dessus dudit empilement, les électrodes additionnelles comprenant chacune un ensemble d'au moins un barreau (B, B ') s 'étendant selon une première direction. Une partie desdits barreaux comporte des ramifications (R) s 'étendant selon une deuxième direction.

Abstract translation: 本发明涉及一种三维电容器，其包括在集成电路的各个金属化层级中形成的垂直相邻电极的堆叠。 电容器还包括形成在所述堆叠的顶部上的至少两个附加的垂直相邻电极，所述附加电极各自包括沿第一方向延伸的至少一个杆（B，B'）的组件。 所述杆的一部分包括沿第二方向延伸的分支（R）。

公开(公告)号：WO2009053397A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：PCT/EP2008/064303

申请日：2008-10-22

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE ,  BELOT, Didier ,  CATHELIN, Andreia ,  SHIRAKAWA, Alexandre, Augusto ,  PHAM, Jean-Marie ,  JARY, Pierre ,  KERHERVE, Eric

Inventor： BELOT, Didier ,  CATHELIN, Andreia ,  SHIRAKAWA, Alexandre, Augusto ,  PHAM, Jean-Marie ,  JARY, Pierre ,  KERHERVE, Eric

IPC: H03H9/02

CPC classification number: H03H9/17 ,  H03H9/02228

Abstract: Résonateur à ondes de Lamb (100), comportant au moins une couche piézoélectrique (102) et une première électrode (106) disposée contre une première face de la couche piézoélectrique et dont le motif, dans un plan parallèle au plan de la première face de la couche piézoélectrique, comporte au moins deux doigts (108) et un bras de contact (110), chacun des doigts comportant un premier côté en contact avec ledit bras et deux autres côtés parallèles l'un par rapport à l'autre et espacés l'un de l'autre d'une distance W égale à : (formule) vitesse de propagation acoustique des ondes de Lamb, n : ordre du mode de résonance, f : fréquence de résonance du résonateur, des portions (114) de la couche piézoélectrique se trouvant au niveau du plan de la première face, entre les doigts de la première électrode étant gravées au moins partiellement.

Abstract translation: 兰姆波谐振器（100），包括至少一个压电层（102）和抵靠压电层的第一面放置的第一电极（106），并且其平行于第一面的平面的平面 所述压电层包括至少两个指状物（108）和接触臂（110），每个所述指状物具有与所述臂接触的第一侧和彼此平行的两个另外的边，并以 公式，其中：n？ N，候补是兰姆波的声传播速度，n是谐振模的阶数，f是谐振器的谐振频率，压电层的位于第一面的平面中的部分（114） 在第一电极的指状物之间，至少部分蚀刻。

公开(公告)号：WO2009027765A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：PCT/IB2007/003415

申请日：2007-08-28

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE-CNRS- ,  ECOLE CENTRALE DE LYON ,  MERCKLING, Clément ,  EL-KAZZI, Mario ,  SAINT-GIRONS, Guillaume ,  HOLLINGER, Guy

Inventor： MERCKLING, Clément ,  EL-KAZZI, Mario ,  SAINT-GIRONS, Guillaume ,  HOLLINGER, Guy

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3147 ,  H01L21/3162 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: A method for preparing a multilayer substrate, comprising the step of deposing an epitaxial Y-AI 2 O 3 Miller indice (001) layer (22) on a Si Miller indice (001) substrate (20).

Abstract translation: 一种制备多层衬底的方法，包括在Si Miller标记（001）衬底（20）上沉积外延Y-Al 2 O 3 Miller标记（001）层（22）的步骤。

公开(公告)号：WO2008102091A2

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：PCT/FR2008/050051

申请日：2008-01-10

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) ,  CATHELIN, Andreia ,  FRAPPE, Antoine ,  KAISER, Andreas

Inventor： CATHELIN, Andreia ,  FRAPPE, Antoine ,  KAISER, Andreas

IPC: H03M3/02

CPC classification number: H03M7/304 ,  H03M7/3026

Abstract: Le modulateur delta-sigma numériquecomprend une entrée de signal pour recevoirdes échantillons numériques de N bits, des moyens numériques de filtrage connectés à l entrée de signal et aptes à effectuer des opérations d addition/soustraction et d intégration selon un codage en arithmétique redondante pour délivrer des échantillons numériques filtrés et des moyens de quantification aptes à effectuer une opération de quantification non exacte pour délivrer des échantillons numériques de sortie de n bits, n étant inférieur à N. L entrée des moyens de quantification est connectée au sein des moyens numériques de filtrage.

Abstract translation: 数字德耳塔西格玛调制器包括用于接收N位数字采样的信号输入，连接的数字滤波装置等。 信号输入并能够 使用冗余算术编码进行加/减和积分操作以携带经过滤的数字样本和能够执行的量化装置 执行非精确的量化操作来传递n位输出采样，这并不逊色。 N.量化装置的输入连接在数字滤波装置内。

公开(公告)号：WO2008090050A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：PCT/EP2008/050365

申请日：2008-01-15

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) ,  BELOT, Didier ,  CATHELIN, Andreia ,  DEVAL, Yann ,  EL HASSAN, Moustapha ,  KERHERVE, Eric ,  SHIRAKAWA, Alexandre Augusto

Inventor： BELOT, Didier ,  CATHELIN, Andreia ,  DEVAL, Yann ,  EL HASSAN, Moustapha ,  KERHERVE, Eric ,  SHIRAKAWA, Alexandre Augusto

IPC: H03H9/17 ,  B81B3/00

CPC classification number: H03H9/172 ,  H03H9/0547 ,  H03H2003/0428 ,  H03H2009/02181 ,  H03H2009/241

Abstract: Ce résonateur acoustique en volume à fréquencede résonance réglablecomprenant un élément piézoélectrique pourvude deux électrodes. Ilcomporte un élémentde commutation (12) formant électrode additionnelle venant sélectivement se superposer à l une des électrodes pour faire varier l épaisseur totale de ladite électrode et modifier en conséquence la fréquence de résonance du résonateur.

Abstract translation: 本发明涉及具有可调共振频率的体积声共振器，其包括具有两个电极的压电元件。 其还包括限定附加电极的切换构件（12），该附加电极选择性地叠加在一个电极上，用于改变所述电极的总厚度并相应地修改共振器的谐振频率。

公开(公告)号：WO2008075166A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：PCT/IB2007/003903

申请日：2007-12-06

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  BANCEL, Frédéric ,  BERARD, Nicolas ,  HELY, David

Inventor： BANCEL, Frédéric ,  BERARD, Nicolas ,  HELY, David

IPC: G06F21/00

CPC classification number: G06F21/554 ,  G06F21/77

Abstract: L'invention concerne un procédé d'exécution par un processeur (IC1), d'un programme lu dans une mémoire programme (MEM1), comprenant des étapes de : détection d'un saut d'adresse de lecture de la mémoire programme; de prévision avant une instruction de saut d'adresse de lecture de la mémoire programme, d'une instruction de mémorisation de la présence de l'instruction de saut d'adresse; et d' activation d'un signal d'erreur (ERR) si un saut d'adresse a été détecté et si la présence d'une instruction de saut d'adresse n'a pas été mémorisée. Application de l'invention à la sécurisation de circuits intégrés.

Abstract translation: 本发明涉及一种处理器（IC1）执行在程序存储器（MEM1）中读取的程序的方法，包括以下步骤：检测程序存储器读地址跳转; 在程序存储器读地址跳转指令之前，预测用于存储地址跳转指令的指令; 如果已经检测到地址跳转并且还没有存储地址跳转指令的存在，则激活错误信号（ERR）。 本发明可用于保护集成电路。

公开(公告)号：WO2008012464A3

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：PCT/FR2007/051705

申请日：2007-07-20

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  LA ROSA, Francesco

Inventor： LA ROSA, Francesco

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/26 ,  G11C16/22

Abstract: L'invention concerne un circuit électronique de rétention de charges pour une mesure temporelle, implanté dans un réseau de cellules mémoire de type EEPROM comportant chacune un transistor de sélection en série avec un transistor à grille flottante, le circuit comportant, sur une même rangée de cellules mémoire : un premier sous-ensemble d'au moins une première cellule (C1) dont l'épaisseur du diélectrique de la fenêtre tunnel du transistor à grille flottante est inférieure à celle des autres cellules; un deuxième sous-ensemble d'au moins une deuxième cellule (C2) dont les drain et source du transistor à grille flottante sont interconnectés; un troisième sous- ensemble d'au moins une troisième cellule (7); et un quatrième sous-ensemble d'au moins une quatrième cellule (6) dont la fenêtre tunnel est supprimée, les grilles flottantes respectives des transistors des cellules des quatre sous-ensembles étant interconnectées.

公开(公告)号：WO2007057616A2

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：PCT/FR2006/051189

申请日：2006-11-17

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  RIVET, Bertrand ,  GAUTIER, Frédéric ,  PERON, Benoît

Inventor： RIVET, Bertrand ,  GAUTIER, Frédéric ,  PERON, Benoît

CPC classification number: G09G5/00 ,  G09G2360/16

Abstract: L ' invention concerne un procédé et un circuit de commande d'un étage de récupération d'énergie d'un écran plasma comportant un circuit résonant d'au moins un élément inductif (L) et d'un élément capacitif (Cs), dans lequel l'élément capa¬ citif est préchargé à la moitié d'une tension d'alimentation (Vs) de l'écran.

Abstract translation:

本发明涉及一种方法 和去控制电路;的DE缺口等离子体的能量é的塔格 - [R E罩杯é配给包括A Ré电路;浊音至少一个E L E包换电感（L）和 的电容元件（Cs），其中， citif预装＆oacute; ＆Agrave; 一半eacute 屏幕的电源电压（Vs）。