层叠芯片部件
    181.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113223859B

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202110140721.2

    申请日:2021-02-02

    Abstract: 本发明涉及一种层叠芯片部件。本公开的一个方面所涉及的层叠芯片部件中,设置于素体的主面的二维码的点具有半圆状的截面形状。即,因为在点的截面形状中实际上不存在角部,所以当形成点时,应力不易残余,另外在形成后,应力不易集中。因此,在上述层叠芯片部件中,不易出现裂纹。

    光探测元件及接收装置
    183.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116907639A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310400764.9

    申请日:2023-04-14

    Abstract: 本发明的目的在于提供考虑了实际使用的新的光探测元件及接收装置。该光探测元件具备磁性元件、电容器以及电阻,所述磁性元件和所述电容器串联连接,所述电阻相对于所述磁性元件和所述电容器并联连接,所述磁性元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层以及被所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层夹持的间隔层,向所述磁性元件照射包含具有光强度变化的光信号的光。

    磁壁移动型磁记录元件及磁记录阵列

    公开(公告)号:CN110268515B

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN201880002746.2

    申请日:2018-01-12

    Inventor: 柴田龙雄

    Abstract: 一种磁壁移动型磁记录元件,其中,具备:第一铁磁性层,其包含铁磁性体;磁记录层,其沿与所述第一铁磁性层的层叠方向交叉的第一方向延伸,并且包含磁壁;非磁性层,其夹持于所述第一铁磁性层和所述磁记录层之间,所述第一铁磁性层在所述第一方向的至少第一端部具有磁通供给区域。

    肖特基势垒二极管
    188.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116888742A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202280016967.1

    申请日:2022-01-28

    Abstract: 本发明的技术问题在于,防止使用氧化镓的肖特基势垒二极管的绝缘击穿。本发明的肖特基势垒二极管(11)具备:设置在半导体基板(20)上的漂移层(30)、阳极电极(40)和阴极电极(50)。设置在漂移层(30)的外周沟槽(61)的宽度(W1)比中心沟槽(62)的宽度(W2)宽。外周沟槽(61)的外周壁(S1)具有随着朝向外侧而接近垂直的弯曲形状,外周沟槽(61)的内周壁(S2)比外周壁(S1)更接近垂直。由此,在施加了逆向电压的情况下,在外周沟槽(61)的外周底部产生的电场被缓和。

    电子部件和通信设备
    189.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116830454A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202280014431.6

    申请日:2022-03-14

    Inventor: 户田慎一郎

    Abstract: 本发明的电子部件(1)包括:第一输入输出端口(11);第二输入输出端口(12);第三输入输出端口(13);第一电路(21),其为设置在第一输入输出端口(11)与第二输入输出端口(12)之间的特性阻抗转换电路的;第二电路(22),其为设置在第一输入输出端口(11)与第三输入输出端口(13)之间的特性阻抗转换电路;以及第三电路(23),其设置在第二输入输出端口(12)与第三输入输出端口(13)之间,具有与第一和第二电路(21、22)分别成为复共轭的关系的电路结构的。

    电子部件
    190.
    发明公开
    电子部件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116825505A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310162865.7

    申请日:2023-02-24

    Inventor: 佐藤拓也

    Abstract: 在本发明的电子部件的线圈中,至少一个第一导体层包含相互位于相反侧的第一及第二端部。多个连接导体中的各个与至少一个第一导体层连结,并且沿层叠方向延伸。多个连接导体包含第一及第二连接导体。第一及第二连接导体彼此与相同的第一端部连结。第一连接导体和第一导体层在第一连结部分相互连结。第二连接导体和第一导体层在第二连结部分相互连结。在第一导体层,第一连结部分和第二连结部分沿相对于第一导体层的延伸方向倾斜的方向排列。

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