光检测装置及信号处理方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118730291A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410358507.8

    申请日:2024-03-27

    Abstract: 本发明提供一种照射脉冲光后的输出的下降时间短的光检测装置及信号处理方法。该光检测装置具备:第1光电转换元件,其在被照射光脉冲时输出第1输出;以及第2光电转换元件,其在被照射所述光脉冲时输出第2输出。光检测装置构成为在满足第1条件和第2条件的状态下合成将相同的所述光脉冲照射于所述第1光电转换元件和所述第2光电转换元件时的由所述第1输出引起的第1信号和由所述第2输出引起的第2信号。所述第1条件为所述第1信号的峰的时间位置和所述第2信号的峰的时间位置不同这样的条件。所述第2条件为达到所述第1信号的峰的变化量的正负和达到所述第2信号的峰的变化量的正负不同这样的条件。

    光器件及光系统
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115220153B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202210309897.0

    申请日:2022-03-28

    Abstract: 本发明提供一种新型光器件。该光器件具备:至少一个磁性元件,其具有第一铁磁性层、第二铁磁性层、和被所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层夹持的间隔层;基板;以及波导,所述波导及所述磁性元件处于所述基板之上或上方,在所述波导中传播的光的至少一部分向所述磁性元件照射。

    光检测元件
    3.
    发明公开
    光检测元件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116266614A

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN202211546866.3

    申请日:2022-12-05

    Abstract: 本发明提供一种光检测能力高的光检测元件。该光检测元件具备在被照射光时产生电压的光感受层、第一电极以及第二电极,所述光感受层位于所述第一电极和所述第二电极之间,所述第二电极是含有选自钌、钼、及钨中的至少一种元素的金属。

    磁阻效应器件及传感器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113497182A

    公开(公告)日:2021-10-12

    申请号:CN202110279720.6

    申请日:2021-03-16

    Abstract: 本发明提供一种磁阻效应器件及传感器,其在直流信号的输出特性上优异。该磁阻效应器件具备磁阻效应元件、第一信号线路、输出端口,所述磁阻效应元件具备第一强磁性层、第二强磁性层、夹在所述第一强磁性层和所述第二强磁性层之间的间隔层,所述第一信号线路经由绝缘体与所述磁阻效应元件分开,由在所述第一信号线路中流动的第一高频电流引起的高频磁场被施加给所述第一强磁性层,在所述磁阻效应元件中流动高频电流,从所述输出端口输出包含由来自所述磁阻效应元件的输出引起的直流信号成分的信号。

    磁阻效应器件
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106559039B

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201610457512.X

    申请日:2016-06-22

    Abstract: 本发明提供一种能够实现高频器件的磁阻效应器件(100),其特征为,具有:具有磁化固定层(2)、间隔层(3)及磁化自由层(4)的磁阻效应元件(1a)、第一端口(9a)、第二端口(9b)、信号线路(7)、电感器(10)、直流电流输入端子(11),第一端口(9a)、磁阻效应元件(1a)及第二端口(9b)经由信号线路(7)依次串联连接,电感器(10)与磁阻效应元件(1a)和第二端口(9b)之间的信号线路(7)、接地线(8)连接,直流电流输入端子(11)连接于夹着磁阻效应元件(1a)与电感器(10)为相反侧的信号线路(7),形成含磁阻效应元件(1a)、信号线路(7)、电感器(10)、接地线(8)及直流电流输入端子(11)的闭合电路。

    贴片天线
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110011039A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201811434315.1

    申请日:2018-11-28

    Inventor: 柴田哲也

    Abstract: 本发明提供一种能够在确保高的天线特性的同时将信号线路微细化的贴片天线。具备设置有贴片导体(20)的第一介电体层(D1)、设置有信号线路(30)的第二介电体层(D2)、将信号线路(30)的一端和贴片导体(20)的供电点连接的供电导体(41)、设置于贴片导体(20)和信号线路(30)之间的第一接地图案(G1)、和设置于从信号线路(30)观察与第一接地图案(G1)相反侧的第二接地图案(G2)。第一介电体层(D1)的介电常数比第二介电体层(D2)的介电常数低。根据本发明,能够利用介电常数低的第一介电体层(D1)提高天线的增益,能够利用介电常数高的第二介电体层(D2)减细为得到规定的特性阻抗所需的信号线路的配线宽度。

    磁阻效应器件
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106559039A

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201610457512.X

    申请日:2016-06-22

    Abstract: 本发明提供一种能够实现高频器件的磁阻效应器件(100),其特征为,具有:具有磁化固定层(2)、间隔层(3)及磁化自由层(4)的磁阻效应元件(1a)、第一端口(9a)、第二端口(9b)、信号线路(7)、电感器(10)、直流电流输入端子(11),第一端口(9a)、磁阻效应元件(1a)及第二端口(9b)经由信号线路(7)依次串联连接,电感器(10)与磁阻效应元件(1a)和第二端口(9b)之间的信号线路(7)、接地线(8)连接,直流电流输入端子(11)连接于夹着磁阻效应元件(1a)与电感器(10)为相反侧的信号线路(7),形成含磁阻效应元件(1a)、信号线路(7)、电感器(10)、接地线(8)及直流电流输入端子(11)的闭合电路。

    电极结构和光检测元件
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114497312B

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202111235166.8

    申请日:2021-10-22

    Abstract: 本发明的光检测元件(1)具备第1电极(10A)和第2电极(20)、以及配置于第1电极与所述第2电极之间的磁性元件(30)。第1电极(10A)具有金属膜(11A)、设置于金属膜(11A)的一部分的开口部(12A)、和配置于开口部(12A)的透明导电性膜(13A)。透明导电性膜(13A)与磁性元件(30)电连接,在从透明导电性膜(13A)的厚度方向俯视时,以与磁性元件(30)重叠的方式配置。

    光器件及光系统
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115145031B

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202210309901.3

    申请日:2022-03-28

    Abstract: 本发明提供一种新型光器件。该光器件具备:至少一个磁性元件,其具有第一铁磁性层、第二铁磁性层、和被所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层夹持的间隔层;激光二极管;以及波导,所述波导具有与所述激光二极管光学连接的至少一个输入波导、和与所述输入波导连接的输出波导,在所述输入波导和所述输出波导中的至少一方中传播的光的至少一部分向所述磁性元件照射。

    光探测元件及接收装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116907639A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310400764.9

    申请日:2023-04-14

    Abstract: 本发明的目的在于提供考虑了实际使用的新的光探测元件及接收装置。该光探测元件具备磁性元件、电容器以及电阻,所述磁性元件和所述电容器串联连接,所述电阻相对于所述磁性元件和所述电容器并联连接,所述磁性元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层以及被所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层夹持的间隔层,向所述磁性元件照射包含具有光强度变化的光信号的光。

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