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公开(公告)号：CN103282539A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062582.0
申请日：2011-12-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明的目的在于，提供在透明基材上形成有由低电阻的In·Sn复合氧化物（ITO）构成的透明导电层的透明导电性薄膜及其制造方法。本发明的透明导电性薄膜在透明基材上具有由In·Sn复合氧化物构成的透明导电层，透明基材的形成透明导电层侧的表面的算术平均粗糙度Ra为1.0nm以下，透明导电层中的Sn原子的量相对于将In原子和Sn原子相加得到的重量超过6重量%且为15重量%以下，所述透明导电层的霍尔迁移率为10～35cm2/V·s，载流子密度为6×1020～15×1020/cm3。该透明导电性薄膜可通过如下方法来得到，即，在水分压小的气氛下、在基材温度超过100℃且为200℃以下的条件下对非晶质透明导电层进行溅射制膜，并对非晶质透明导电层进行加热而转化为结晶性透明导电层。
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公开(公告)号：CN103262013A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180060407.8
申请日：2011-12-13
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B13/0036 , C09J7/38 , G06F3/0412 , G06F3/044 , Y10T428/24802 , Y10T428/24868
Abstract: 本发明是用于电容型触摸面板的带粘合剂层的透明导电性薄膜，其目的在于即使在使用薄膜基材为厚度110μm以下的薄型薄膜基材的情况下，进而即使在通过加热处理而将透明导电体层结晶化的情况下，也可以将由于图案化而产生的高度差抑制到较小。本发明为具有薄膜基材、层叠于前述薄膜基材的一面且被图案化的透明导电体层、和层叠于前述薄膜另一面的粘合剂层的、用于电容型触摸面板的带粘合剂层的透明导电性薄膜，前述薄膜基材的厚度为10～110μm，前述薄膜基材与前述粘合剂层的总厚度为30～300μm，且前述粘合剂层在23℃下的储能模量为1.2×105～低于1.0×107Pa。
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公开(公告)号：CN103238127A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180057572.8
申请日：2011-11-29
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G02F1/13338 , G02F1/133308 , G06F3/03 , G06F3/044 , G06F3/045 , Y10T428/24802 , Y10T428/24942 , Y10T428/2495 , Y10T428/24967
Abstract: 本发明提供一种显示面板的构成，其在作为用于静电容量式触摸输入的构成而使用光学各向同性材料的电极支承基体材料的情况下，能够使装置整体的厚度比现有的薄，且能够简化层结构。本发明提供一种具有静电容量式触摸输入功能的显示面板装置，其具备窗口、触摸面板叠层体和显示面板。在该显示面板装置中，触摸面板叠层体具备：光学透明的第一基体材料层、隔着第一底涂层而叠层于该第一基体材料层的一面的第一透明导电层、光学透明的第二基体材料层、和隔着第二底涂层而叠层于该第二基体材料层的一面的第二透明导电层。该第二透明导电层至少隔着第一基体材料层及第一底涂层与第一透明导电层对向配置。另外，第一透明导电层相对于第一基体材料层配置在接近窗口的一侧，在该窗口上通过粘接剂层与偏振膜层接合，在偏振膜层和触摸面板叠层体之间配置有λ/4相位差膜层。而且，显示面板相对于触摸面板叠层体配置在与所述窗口相反的一侧。
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公开(公告)号：CN103000299A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210330181.5
申请日：2012-09-07
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , G06F2203/04103 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供可以缩短用于使具有铟系复合氧化物的非晶质层结晶化的加热时间的透明导电性薄膜的制造方法。本发明的透明导电性薄膜的制造方法具备如下工序：第1工序，在厚度为10～50μm的薄膜基材的第一表面上层叠由铟系复合氧化物形成的非晶质层；第2工序，在利用输出辊输送层叠有上述非晶质层的薄膜基材并在卷绕辊上卷绕的中途，将该薄膜基材在160℃以上的温度下加热，使上述非晶质层结晶化而形成透明导体层；第3工序，在上述薄膜基材的第二表面上形成粘合剂层。
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公开(公告)号：CN102063953B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201010623319.1
申请日：2005-04-22
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/0488 , Y10T428/24942 , Y10T428/24975 , Y10T428/256 , Y10T428/266
Abstract: 本发明涉及透明导电性层叠体及触摸屏。本发明的透明导电性层叠体，在厚度为2～120μm的透明薄膜基材的一侧表面，按照透明的第一电介质薄膜、透明的第二电介质薄膜和透明导电性薄膜的顺序依次层叠，在所述薄膜基材的另一表面，通过透明的粘合剂层贴合透明基体而成，第二电介质薄膜是无机物或有机物和无机物的混合物，形成上述导电性薄膜的材料的结晶中，最大粒径为300nm或更小的结晶含量超过50面积％。所述透明导电性层叠体高度地满足用作触摸屏的弯曲笔输入耐久性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102543301A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110346352.9
申请日：2011-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明提供能缩短结晶化时间的透明导电性膜的制造方法。其为在透明的膜基材的至少一面具有透明导电层的透明导电性膜的制造方法，其具有如下所述的形成铟系复合氧化物的非晶质层的工序(A)和工序(B)，所述工序(A)包含在所述透明的膜基材上依次实施通过溅射堆积以4价金属元素的氧化物的比例为3～35重量％的铟系复合氧化物的工序(A1)和通过溅射堆积氧化铟或所述4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量％以下、且所述4价金属元素的氧化物的比例比工序(A1)中使用的铟系复合氧化物小的铟系复合氧化物工序(A2)，所述工序(B)通过加热所述非晶质层使其结晶化，形成铟系复合氧化物的结晶质的透明导电层。
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公开(公告)号：CN102543268A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110346353.3
申请日：2011-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B29C71/02 , C23C14/086 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/25 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板。所述透明导电性膜具有可以缩短结晶化时间的透明导电性薄膜。一种在透明的膜基材的至少一面具有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜，所述透明导电性薄膜均为氧化铟或含有4价金属元素的氧化物的铟系复合氧化物的结晶质膜，在所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧具有氧化铟或4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量％以下的第一透明导电性薄膜(21)，从所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧开始继第一透明导电性薄膜之后具有4价金属元素的氧化物的比例比所述第一透明导电性薄膜(21)大的第二透明导电性薄膜(22)。
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公开(公告)号：CN101133463B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200680007188.6
申请日：2006-12-27
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086
Abstract: 本发明提供一种结晶性透明导电性薄膜，其主成分是相对于氧化铟和氧化锡的总量以9重量％以下的比例含有氧化锡的氧化铟锡，该结晶性透明导电性薄膜以0.45原子％以下的比例含有氮。本发明的结晶性透明导电性薄膜具有高电阻值且在高温、高湿环境下的可靠性也良好。
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公开(公告)号：CN101196654B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200710196991.5
申请日：2007-12-07
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02F1/1343 , B32B7/02 , H01B5/14
CPC classification number: C23C14/08 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供一种透明导电性叠层体，是在透明的薄膜基材的一方的面上，从上述薄膜基材侧开始依次形成第一透明电介质薄膜、第二透明电介质薄膜及透明导电性薄膜的透明导电性叠层体，其透过率高，并且生产性良好，而且除了具有笔输入耐久性以外，还具有表面压力耐久性。本发明是在厚2～200μm的透明的薄膜基材的一方的面上，从上述薄膜基材侧开始依次形成第一透明电介质薄膜、第二透明电介质薄膜及透明导电性薄膜，在透明的薄膜基材的另一方的面上，经由透明的粘接剂层贴合有透明基体的透明导电性叠层体，第一透明电介质薄膜被利用真空蒸镀法、溅射法或离子镀法形成，并且第一透明电介质薄膜由在氧化铟100重量份中含有氧化锡0～20重量份、氧化铈10～40重量份的复合氧化物构成，在将第一透明电介质薄膜的折射率设为n1，将第二透明电介质薄膜的折射率设为n2，将透明导电性薄膜的折射率设为n3时，满足n2＜n3≤n1的关系，透明基体是至少将2张透明的基体薄膜经由透明的粘接剂层叠层的叠层透明基体。
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公开(公告)号：CN101490768A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780027394.8
申请日：2007-06-07
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B32B7/02 , B32B5/16 , B32B7/12 , B32B2264/102 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2307/536 , G06F3/0414 , Y10T428/24942 , Y10T428/256 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/269
Abstract: 本发明提供一种透明导电性层叠体，是在透明的薄膜基材的一个面经由电介质薄膜设有透明的导电性薄膜、在透明的薄膜基材的另一个面经由透明的粘合剂层贴合有透明基体的透明导电性层叠体，其特征是，上述透明基体是至少将2张透明的基体薄膜经由透明的粘合剂层层叠的层叠透明基体；上述电介质薄膜由第一透明电介质薄膜和第二透明电介质薄膜形成，所述第一透明电介质薄膜由相对折射率为1.6～1.9的SiOx膜(x为1.5以上且小于2)制成，所述第二透明电介质薄膜由SiO2膜制成。所述透明导电性层叠体的表面压力耐久性出色。
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