公开(公告)号：KR100546808B1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：KR1020030096526

申请日：2003-12-24

Applicant: 재단법인 포항산업과학연구원 ,  (주)단단

Inventor： 안지훈 ,  김현태

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 반도체 제조 공정 중 웨이퍼 식각 공정에 사용되는 웨이퍼 고정용 정전척의 개선에 관한 것으로, 세라믹 용사코팅으로 정전척에 상부 유전층(6)을 형성하되 이 상부 유전층(6)의 상면을 엠보싱 처리하여 일정한 배열의 돌기(7)들을 형성한 것을 특징으로 하는 세라믹 용사코팅을 이용한 반도체 공정용 정전척에 관한 것이다.
이러한 본 발명의 정전척은 웨이퍼 식각 공정시 웨이퍼의 균일한 온도유지는 물론 웨이퍼의 흡, 탈착도 용이하게 이루어지도록 하여 주고, 이로써 웨이퍼의 불량률을 줄여 공정수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.

公开(公告)号：KR102211933B1

公开(公告)日：2021-02-04

申请号：KR1020180112533

申请日：2018-09-19

Applicant: (주)단단

Inventor： 박정남 ,  이강호 ,  주경민

IPC: C23C24/04 ,  B05B7/14 ,  B05B7/20

Abstract: 본발명은질화물또는산질화물이코팅된가스분사기에관한것으로, 보다상세하게는가스분사기에질화물또는산질화물을코팅함으로써, 가스분사기의표면에서의용융금속에대한젖음성(wettability)을낮추고접촉각도를높여서가스분사기에고화된금속이거의잔존하지않도록하며, 따라서고화된금속을제거하기위하여투입되는인적, 물적요소들을절감할수 있도록하는질화물또는산질화물이코팅된가스분사기를제공한다.

公开(公告)号：KR200488144Y1

公开(公告)日：2018-12-19

申请号：KR2020170004258

申请日：2017-08-11

Applicant: (주)단단

Inventor： 이강호 ,  박정남 ,  조태영 ,  신재섭

IPC: C23C24/04 ,  B05B7/14

Abstract: 본 고안은, 원료를 공급하기 위한 원료공급부(10)와, 상기 원료의 이송을 위한 이송가스를 공급하기 위한 이송가스 공급부(20)와, 상기 원료와 상기 이송가스를 가속시키기 위한 가속가스를 공급하기 위한 가속가스 공급부(30)와, 상기 원료공급부(10)로부터 공급된 원료와 상기 이송가스 공급부(20)로부터 공급된 이송가스가 유입되어 이송되는 이송관(40) 및 상기 가속가스 공급부(30)으로부터 공급된 가속가스가 유입되어 이송되는 가속가스 공급관(50)을 포함하는 공급노즐부(60)와, 상기 공급노즐부(60)로부터 원료, 이송가스 및 가속가스를 공급받아 챔버(80) 내에 설치된 기판으로 원료를 분사하기 위한 분사노즐부(70)와, 상기 분사노즐부(70)로부터 분사된 원료가 기판에 충돌하여 코팅층이 형성되는 공간을 제공하는 챔버(80)와, 상기 분사노즐부(70)로부터 급된 원료가 챔버(80) 내로 가속되어 이송될 수 있게 하고 상기 챔버(80) 내의 이송가스와 가속가스를 펌핑하여 외부로 배출되게 하기 위한 펌프(90)를 포함하는 저온 분사 코팅 장치에 관한 것이다. 본 고안에 의하면, 원료의 역류 없이 분사할 수 있어 원료가 역류되는 현상을 억제할 수 있고, 원료의 흐름성과 코팅 효율을 높일 수가 있다.

公开(公告)号：KR101723675B1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：KR1020150061655

申请日：2015-04-30

Applicant: (주)단단

Inventor： 김영욱 ,  서유광

IPC: H01B1/06 ,  H01B1/08 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58

Abstract: 본발명은 (a) 93 이상 97.5 중량% 이하의베타상탄화규소(β-SiC) 분말, 1.0 이상 4.0 중량% 이하의육방정계질화붕소(h-BN) 분말및 1.0 이상 3.0 중량% 미만의산화이트륨(YO) 분말을혼합하는단계; 및 (b) 상기단계 (a)에서얻어진혼합분말을이용해질소(N) 분위기하에서탄화규소-질화붕소복합소재로이루어진소결체를제조하는단계를포함하는전기전도성탄화규소-질화붕소복합소재의제조방법을제공한다. 본발명에따른탄화규소-질화붕소세라믹복합소재의제조방법에따르면, 탄화규소및 질화붕소분말에소결첨가제로서산화이트륨(YO) 분말을첨가하고질소(N) 분위기에서소결함으로써, Y-B-Si-O-C-N 계액상이형성되어액상소결(liquid phase sintering) 기구로치밀화가촉진되고, 나아가, 용해-재석출(dissolution-reprecipitation) 기구에의해, 질소도핑된탄화규소입자를성장시켜종래에비해현저히향상된전기전도성을가지며, 기계적강도및 내열충격성또한우수한세라믹복합소재를제조할수 있다.

Abstract translation: 本发明的（a）是小于93超过97.5％（重量）的β碳化硅（β-SiC）粉末，不小于1.0小于4.0，六方氮化硼（h-BN）粉末和至少1.0％的（重量）或更少的3.0％（重量）的氧化 混合钇（YO）粉末; 用于生产氮化硼复合材料 - 导电碳化硅，包括：制备由氮化硼的复合材料的烧结体的步骤 - 在氮气下，使用在上述步骤（a）中获得的混合物粉末（N）气氛SiC和（b）中 Lt。 根据本发明通过添加氮化硼根据该复合氧化物的制造方法中的陶瓷的碳化硅，作为烧结添加剂的碳化硅和钇（YO）粉末和烧结的氮化硼粉末在氮（N）的气氛，YB-SI- 基于OCN - 液相被形成和致密化通过液相烧结（液相烧结）机构，并且进一步地，溶解 - 再沉淀（溶解 - 再沉淀）由机构推动，以生长具有氮掺杂显著改善的电比较与传统的碳化硅粒子 可以制造具有导电性并且机械强度和耐热冲击性优异的陶瓷复合材料。

公开(公告)号：KR1020160129458A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：KR1020150061655

申请日：2015-04-30

Applicant: (주)단단

Inventor： 김영욱 ,  서유광

IPC: H01B1/06 ,  H01B1/08 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58

Abstract: 본발명은 (a) 93 이상 97.5 중량% 이하의베타상탄화규소(β-SiC) 분말, 1.0 이상 4.0 중량% 이하의육방정계질화붕소(h-BN) 분말및 1.0 이상 3.0 중량% 미만의산화이트륨(YO) 분말을혼합하는단계; 및 (b) 상기단계 (a)에서얻어진혼합분말을이용해질소(N) 분위기하에서탄화규소-질화붕소복합소재로이루어진소결체를제조하는단계를포함하는전기전도성탄화규소-질화붕소복합소재의제조방법을제공한다. 본발명에따른탄화규소-질화붕소세라믹복합소재의제조방법에따르면, 탄화규소및 질화붕소분말에소결첨가제로서산화이트륨(YO) 분말을첨가하고질소(N) 분위기에서소결함으로써, Y-B-Si-O-C-N 계액상이형성되어액상소결(liquid phase sintering) 기구로치밀화가촉진되고, 나아가, 용해-재석출(dissolution-reprecipitation) 기구에의해, 질소도핑된탄화규소입자를성장시켜종래에비해현저히향상된전기전도성을가지며, 기계적강도및 내열충격성또한우수한세라믹복합소재를제조할수 있다.

公开(公告)号：KR1020050064912A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：KR1020030096526

申请日：2003-12-24

Applicant: 재단법인 포항산업과학연구원 ,  (주)단단

Inventor： 안지훈 ,  김현태

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 반도체 제조 공정 중 웨이퍼 식각 공정에 사용되는 웨이퍼 고정용 정전척의 개선에 관한 것으로, 세라믹 용사코팅으로 정전척에 상부 유전층(6)을 형성하되 이 상부 유전층(6)의 상면을 엠보싱 처리하여 일정한 배열의 돌기(7)들을 형성한 것을 특징으로 하는 세라믹 용사코팅을 이용한 반도체 공정용 정전척에 관한 것이다.
이러한 본 발명의 정전척은 웨이퍼 식각 공정시 웨이퍼의 균일한 온도유지는 물론 웨이퍼의 흡, 탈착도 용이하게 이루어지도록 하여 주고, 이로써 웨이퍼의 불량률을 줄여 공정수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.