公开(公告)号：CN118476011A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202280086901.X

申请日：2022-12-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 土屋庆太郎 ,  曲伟峰

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明是一种氮化物半导体基板，其在具有表面和背面的单晶硅基板的表面上形成有氮化物半导体薄膜，该氮化物半导体基板的特征在于，所述单晶硅基板至少在所述表面和所述背面具有碳扩散层，且所述碳扩散层的碳浓度为5E+16原子/cm3以上，所述碳扩散层注入有碳且碳浓度高于所述单晶硅基板的块体部。由此，提供当使用单晶硅基板制造氮化物半导体基板时，能够抑制因外延生长时或器件工序中的塑性变形导致的翘曲不良的氮化物半导体基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN118251519A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202280078328.8

申请日：2022-10-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久保埜一平 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德 ,  三原佳祐 ,  菅原孝世

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体基板，其是在硅单晶基板上形成有氮化物半导体薄膜的氮化物半导体基板，所述硅单晶基板的碳浓度为5×1016个原子/cm3以上且2×1017个原子/cm3以下。由此，可提供一种对塑化变形具有耐性的氮化物半导体基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN118202096A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280073933.6

申请日：2022-10-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 松原寿树 ,  铃木温 ,  大槻刚 ,  阿部达夫

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明为一种异质外延片的制造方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长的异质外延片的制造方法，其中，使用减压CVD装置，并包含：通过氢焙去除所述单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；与将包含碳与硅的源气体供给至所述减压CVD装置内从而将所述3C‑SiC单晶膜成膜的第二工序，其中，所述3C‑SiC单晶膜具有与表面上的液体的接触角呈50°以下的润湿性。由此，提供一种异质外延片的制造方法，其能够获得可使质量良好的GaN等在已成膜于单晶硅基板上的3C‑SiC单晶膜上异质外延生长的晶圆。

公开(公告)号：CN115461194B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202180030765.8

申请日：2021-03-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久富涉生 ,  佐佐木拓也

IPC: B24B37/12 ,  B24B37/20 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种双面研磨装置的研磨垫粘贴方法，将下平台用研磨垫粘贴在下平台上后，以通过下平台的半径方向的中心部的方式将环状临时黏贴用板载置在研磨垫上，在临时黏贴用板上将上平台用研磨垫的粘贴面与上平台相对配置，对双面研磨机施加载荷，用上下平台夹住临时黏贴用板，仅对临时黏贴用板部分进行压接，在上平台用研磨垫及下平台用研磨垫的半径方向中心部分形成环状粘贴部后，卸下临时黏贴用板，将研磨垫粘贴装置的压接部配置于粘贴部并用上下平台夹住，使压接部上下同时从粘贴部在半径方向上移动，从而一边将上平台与上平台用研磨垫之间及下平台与下平台用研磨垫之间的空气排除，一边将上平台用研磨垫及下平台用研磨垫分别压接于上下平台。由此，提供能够同时进行空气排除与压接并且能够进行正确的粘贴的双面研磨装置的研磨垫粘贴方法。

公开(公告)号：CN118019883A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202280065476.6

申请日：2022-09-02

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德

IPC: C30B33/04 ,  H01L21/205 ,  H01L21/263 ,  H01L21/322 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体晶圆的制造方法，其为在硅单晶基板上形成氮化物半导体膜的氮化物半导体晶圆的制造方法，所述制造方法的特征在于，作为所述硅单晶基板，使用掺杂有5×1014个原子/cm3以上且5×1016个原子/cm3以下的浓度的氮的硅单晶基板，所述制造方法包含下述工序：在所述硅单晶基板上形成所述氮化物半导体膜的工序；及通过对所述硅单晶基板照射电子射线，从而使所述硅单晶基板较照射前高电阻率化的工序。由此，可提供一种氮化物半导体晶圆的制造方法，该方法在通过使氮化物半导体膜在硅单晶基板上生长而形成的氮化物半导体晶圆中，能够防止通过进行电子束照射而形成了高电阻率的硅单晶基板的电阻率因外延生长或其他热处理工序而复原并降低。

公开(公告)号：CN115398042B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202180028335.2

申请日：2021-03-23

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 土屋庆太郎 ,  筱宫胜 ,  曲伟峰

IPC: C30B29/06 ,  C23C16/34 ,  C30B13/00 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  C30B33/02 ,  C30B33/10

Abstract: 本发明是气相生长用的单晶硅基板，所述单晶硅基板由电阻率为1000Ωcm以上的FZ结晶构成，所述单晶硅基板的表面具备厚度为10～100μm的高氮浓度层，所述高氮浓度层的氮浓度比其他区域高，且氮浓度为5×1015atoms/cm3以上。由此，提供用于抑制翘曲异常及接合不良的发生的、不易塑性变形的气相生长用的单晶硅基板。

公开(公告)号：CN110578168B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN201910424283.5

申请日：2019-05-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  砂川健 ,  中杉直

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/322

Abstract: 本发明是一种吸除层的形成方法，于单晶硅晶圆的内部形成吸除层，其中对该单晶硅晶圆进行激光的照射，将该激光的聚光点对准于该单晶硅晶圆的内部，由此将该单晶硅晶圆的内部的预定的区域予以多晶硅化，而形成作为该吸除层的多晶硅层。

公开(公告)号：CN117836477A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280056843.6

申请日：2022-08-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明为一种氮化物半导体基板，其在由单晶硅构成的成膜用基板上成膜有氮化物半导体薄膜，所述氮化物半导体基板的特征在于，在所述成膜用基板的外周部形成有氮化硅膜，在所述成膜用基板和所述氮化硅膜上形成有AlN膜，在所述AlN膜上形成有所述氮化物半导体薄膜。由此，提供一种当使AlN层在硅基板上外延生长并使GaN层或AlGaN层在AlN层上外延生长时，在边缘部无反应痕迹及多晶生长部分的氮化物半导体基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN117813674A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202280055853.8

申请日：2022-08-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明为一种暂时接合晶圆，其特征在于，其为外延功能层与支撑基板暂时接合而成的暂时接合晶圆，该外延功能层在一侧的面上具有极性不同的两个以上的电极，所述外延功能层的具有所述电极的面与所述支撑基板通过未固化的热固化型接合材料而暂时接合。由此，提供一种对于暂时接合晶圆而言，能够减少接合处理后的基板去除工序后的接合不良、剥离不良，提高成品率，并且能够容易地去除暂时支撑基板的技术。

公开(公告)号：CN112640072B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN201980057835.1

申请日：2019-08-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大西理

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/304

Abstract: 准备晶片（S1），对所准备的晶片，从晶片的中心开始将圆周360度分割为既定个数的角度，并测量每个角度半径方向的各个位置的厚度形状（S2、S3）。将由测量机所得的每个角度的厚度形状以6次以上的多项式进行近似，进行晶片厚度相对于半径方向的位置的函数化（S4）。将由测量机输出的厚度形状与由上述函数输出的厚度形状进行比较，确认在晶片全体为既定的误差以内（S5）。在此确认后，将每个上述角度的函数的信息作为表示晶片形状的数据添加至晶片提供给使用者（S6）。借此，提供一种能够降低晶片的形状数据的容量，且能够取得高精度的形状数据，且适用于取得晶片全体的形状的方法。