-
公开(公告)号：CN120019736A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380071744.X
申请日：2023-08-23
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H10H20/01 , H01L21/02 , H01L21/304 , H10H20/813 , B23K26/36
Abstract: 本发明是一种接合型发光元件晶圆的制造方法，其是制造去除了不良部分的接合型发光元件晶圆的方法，该制造方法的特征在于，具有以下工序：利用吸收LLO转印用激光的粘合剂将作为微型LED的发光元件结构物与对于所述LLO转印用激光呈透明的被接合基板进行接合，得到接合晶圆的工序；对所述接合晶圆的不良部分进行光学调查，制作去除用地图数据的工序；及，根据所述去除用地图数据，对所述接合晶圆的不良部分入射去除用激光，使发光元件结构物中的包含在所述不良部分中的部分升华，由此去除所述发光元件结构物中的包含在所述不良部分中的部分，得到接合型发光元件晶圆的工序。由此，提供一种接合型发光元件晶圆的制造方法，其能够选择性地将隔着粘合剂耦接于被接合晶圆上的作为微型LED的发光元件结构物的不良部分去除，制造接合型发光元件晶圆。
-
公开(公告)号：CN119908184A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380066636.3
申请日：2023-07-10
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种微型LED特性评价用晶圆，其特征在于，具有：GaAs基板；所述GaAs基板上的一边为100μm以下的微型LED；与所述微型LED邻接的焊垫台部；所述微型LED和所述焊垫台部上的上部电极焊垫；及所述微型LED附近的所述GaAs基板上的下部电极焊垫，其中，所述微型LED与所述焊垫台部经由绝缘部连结。由此，提供一种微型LED特性评价用晶圆，其能够在保持外延片状态的情形下形成微型LED尺寸的组件来评价通电特性，且能够在环境试验下不会断线的情形下进行瞬时特性评价。
-
公开(公告)号：CN119586354A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380049901.7
申请日：2023-06-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H10H20/819 , H01L21/02 , H10H20/82 , H10H20/01
Abstract: 本发明是一种接合型发光元件晶圆，其是具有包含活性层的外延层的发光元件用外延片与透明基板隔着粘合层进行接合的接合型发光元件晶圆，所述透明基板为可见光透射性且为紫外光透射性，所述粘合层为可见光透射性且为紫外光不透射性，其中，内置于所述外延层中的刺状夹杂物从该外延层突出的高度为所述粘合层的厚度以下。由此，提供一种接合型发光元件晶圆，其是将存在刺状夹杂物的外延片隔着粘合层与透明基板接合而成，所述粘合层为可见光透射性且为紫外光不透射性，所述透明基板为可见光透射性且为紫外光透射性，其中，因刺状夹杂物而产生的不良部分的范围较狭窄。
-
公开(公告)号：CN109643744B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201780045605.4
申请日：2017-06-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有Rz超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。
-
公开(公告)号：CN107735870B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201680037656.8
申请日：2016-08-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/306 , H01L33/30
Abstract: 本发明提供一种发光组件，具有经除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层的表面上的一第一欧姆电极、以及设置于除去部的窗层兼支持基板的表面上的一第二欧姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部分以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面上的第一欧姆电极的形成部以外、窗层兼支持基板的表面上除去部中的第二欧姆电极的形成部以外、以及窗层兼支持基板的侧面及内面经表面粗糙化。因此，能以对发光部与窗层兼支持基板的较多的区域予以表面粗糙化来提升发光组件的外部量子效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110534625A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910880386.2
申请日：2016-08-15
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光组件，具有经除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层的表面上的一第一欧姆电极、以及设置于除去部的窗层兼支持基板的表面上的一第二欧姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部分以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面上的第一欧姆电极的形成部以外、窗层兼支持基板的表面上除去部中的第二欧姆电极的形成部以外、以及窗层兼支持基板的侧面及内面经表面粗糙化。因此，能以对发光部与窗层兼支持基板的较多的区域予以表面粗糙化来提升发光组件的外部量子效率。
-
公开(公告)号：CN109643744A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780045605.4
申请日：2017-06-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有Rz超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。
-
公开(公告)号：CN109411572A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810900221.2
申请日：2018-08-09
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种发光组件的制造方法，为减低将发光组件自具有晶格不匹配系窗层兼支承基板的半导体基板，透过刻划及劈裂予以分离时的劈裂不良率，在基板以晶格匹配系材料磊晶出第一半导体层、活性层及第二半导体层而形成发光层部，以与发光层部为晶格不匹配系材料磊晶出窗层兼支承基板，除去基板，形成第一欧姆电极，形成除去部，在除去部形成第二欧姆电极，由此制造半导体基板，自半导体基板以刻划及劈裂而分离发光组件，通过在与半导体基板发光层部形成面的反面，形成窗层兼支承基板中残留厚度为70μm以下沟槽，通过刻划及劈裂分离发光组件。
-
公开(公告)号：CN107851699A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042450.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种发光组件的安装方法，于起始基板上，以起始基板相晶格匹配系材料，通过磊晶成长依序形成第一半导体层、活性层、第二半导体层及缓冲层；于缓冲层上，以对于起始基板为非晶格匹配系材料，通过磊晶成长形成窗层兼支承基板；去除起始基板；于第一半导体层上形成第一欧姆电极；于部分形成露出第二半导体层、缓冲层或窗层兼支承基板的除去部而设置段差；于除去部形成第二欧姆电极；分离形成有第一及第二欧姆电极的发光组件而制作发光组件芯片，以及于安装基板覆晶安装发光组件芯片，使发光组件芯片的形成第一及第二欧姆电极侧为安装基板侧。
-
公开(公告)号：CN1835255A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610058845.1
申请日：2002-04-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H01L33/00
Abstract: 当采用有机金属汽相生长法生长p型MgxZn1－xO时，在生长期间和/或完成生长以后，在含氧气氛中对MgxZn1－xO进行热处理。此外，在汽相生长半导体层时，采用紫外线照射待生长的基片表面和材料气体。另外，当采用原子层外延(exitaxy)形成具有x轴取向沿层的厚度方向的MgxZn1－xO缓冲层时，首先生长金属单原子层。再有，采用主要由含有Se或Te的ZnO的半导体材料，来形成ZnO半导体有源层。采用这些技术形成发光元件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
60
records
(took 0.038 seconds)
