應用於磁控濺鍍裝置之環狀陰極
    11.
    发明专利
    應用於磁控濺鍍裝置之環狀陰極 审中-公开
    应用于磁控溅镀设备之环状阴极

    公开(公告)号:TW201833359A

    公开(公告)日:2018-09-16

    申请号:TW107106301

    申请日:2011-04-15

    Abstract: 本發明係關於一種磁控濺鍍裝置,該磁控濺鍍裝置包含具有一界定的內半徑之一大環狀陰極。該環狀陰極之位置相對於一行星式驅動器系統之一中心點偏移。一陽極或反應氣源可位於該環狀陰極之該內半徑內。經由抑制電弧效應之該陰極處的較低功率密度獲得較低缺陷率,同時在並未使用一遮罩之情況下藉由該陰極將至行星托盤幾何形狀之逕流最小化。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种磁控溅镀设备,该磁控溅镀设备包含具有一界定的内半径之一大环状阴极。该环状阴极之位置相对于一行星式驱动器系统之一中心点偏移。一阳极或反应气源可位于该环状阴极之该内半径内。经由抑制电弧效应之该阴极处的较低功率密度获得较低缺陷率,同时在并未使用一遮罩之情况下借由该阴极将至行星托盘几何形状之迳流最小化。

    磁控濺鍍裝置
    15.
    发明专利
    磁控濺鍍裝置 审中-公开
    磁控溅镀设备

    公开(公告)号:TW202026446A

    公开(公告)日:2020-07-16

    申请号:TW108143550

    申请日:2011-04-15

    Abstract: 本發明揭示一種磁控濺鍍裝置,其包含一塗佈腔,一或多個陰極,一陽極,其包括與該塗佈腔通信之該一開口,及一氣源,其在該一或多個陰極之一環狀陰極之一中心處。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种磁控溅镀设备,其包含一涂布腔,一或多个阴极,一阳极,其包括与该涂布腔通信之该一开口,及一气源,其在该一或多个阴极之一环状阴极之一中心处。

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