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公开(公告)号:CN101566560B
公开(公告)日:2013-10-02
申请号:CN200910136905.0
申请日:2009-04-24
Applicant: 罗姆株式会社
Inventor: 富田守
CPC classification number: G01N21/07 , G01N21/59 , G01N35/00584 , G01N35/025 , G01N2035/00148 , G01N2201/0415 , G01N2201/0446 , G01N2201/1247
Abstract: 本发明的血液分析装置及血液分析装置的测定位置的设定方法即使由于环境温度的变化等使得旋转体等发生变形,也可得到测定中所必需的光量,从而可以进行高精度的测定。在设置保持试样即血液的μTAS芯片之前,作为初始处理,通过加热手段加热至指定温度。然后,一边使旋转体旋转微小量,一边找出通过孔部而被受光部接受的光量值成为规定值以上的旋转位置,并将该旋转位置记忆作为测定位置。之后,将μTAS芯片设置于芯片保持部,进行μTAS芯片内的试样液的称量、与试剂的混合、向测定区的输送等的测定前处理之后,使旋转体旋转至上述测定位置,将来自光源的光经由孔部入射到μTAS芯片的测定区,由受光部接受从测定区射出的光来测定测定液的光吸收量。
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公开(公告)号:CN101082621B
公开(公告)日:2012-12-26
申请号:CN200710108772.7
申请日:2007-05-31
Applicant: 罗姆株式会社
CPC classification number: G01N21/07 , G01N21/314
Abstract: 本发明提供可以使用微芯片以寻求分析装置的基线稳定化、且能够以高精度进行分析的生化学分析装置。本发明的生化学分析装置具备带有保持微芯片的芯片保持部且被旋转驱动的离心转子、光源部、以及受光部。作为微芯片,使用下述微芯片:利用通过离心转子的旋转而产生的离心力,在微芯片本身中进行包括分离处理、称量处理、混合反应处理和将检查液输送到测定池中的处理的前处理动作。将来自于光源部的光照射到微芯片的测定池,通过受光部接受透过了测定池的光,在离心转子的旋转停止的状态下进行对测定池内检查液的光吸收量加以测定以分析检查液的测光动作。
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公开(公告)号:CN101246123B
公开(公告)日:2012-03-14
申请号:CN200810055626.7
申请日:2008-01-04
IPC: G01N21/41
CPC classification number: G01N21/553 , G01N21/41 , G01N21/7703
Abstract: 本发明公开了属于集成光电子技术领域的长程表面等离子波折射率检测芯片。是一种衬底上生长金属薄膜或条形金属,上下表面限定折射率的介质以及介质缓冲层组成。介质缓冲层附着在金属薄膜或条形金属上,金属薄膜或条形金属和介质缓冲层夹在两层介质中间,并在介质上层表面开孔作为测量槽。该芯片通过从该金属薄膜或条形金属端面激励的方法产生长程表面等离子波,通过测定该长程表面等离子波的传输损耗变化或/和光斑尺寸大小变化来检测测量槽内液体折射率变化或生物抗体抗原反应。本发明利用长程表面等离子波来进行折射率的检测,为实现可集成的折射率检测器提供了可能;为大范围高精度集成折射率测量提供了可能,使得测试封装更为简便可行。
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公开(公告)号:CN106570585B
公开(公告)日:2019-10-18
申请号:CN201610967174.4
申请日:2016-10-28
Abstract: 本发明提供一种面向自供能系统的任务调度方法及能量管理装置,涉及任务调度领域。其中,所述方法包括:根据预设的任务信息表中各任务的执行时间计算得到各任务分别在当前时刻的风险系数;对自供能系统在未来的预设时间段内采集得到的能量进行预测,得到自供能系统在未来的预设时间段内的平均功率;根据各任务的风险系数、平均功率、各任务的执行平均功率和各任务的执行时间计算得到各任务分别在当前时刻的自适应电压阈值;将各任务的自适应电压阈值分别与储能电容在当前时刻的电压值进行比较,得到自适应电压阈值小于电压值的任务集合;根据各任务的优先级在任务集合中选择当前时刻执行的任务。通过本发明,可以提高系统总任务的完成率。
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公开(公告)号:CN105159695B
公开(公告)日:2018-07-27
申请号:CN201510395055.1
申请日:2015-07-07
CPC classification number: H04B1/1615 , G06F1/3209 , G06F3/0619 , G06F3/0632 , G06F3/0679 , H04W52/50
Abstract: 本发明涉及种基于非易失控制的射频模块初始化系统及方法,上述方法包括:S1,非易失存储阵列存储初始化射频模块的配置信息,在接收到掉电指令时,备份所述配置信息;S2,在接收到上电指令时,射频模块初始化加速器从所述非易失存储阵列读取所述配置信息,将所述配置信息发送至所述射频模块,以初始化所述射频模块。通过本发明的技术方案,能够提高射频模块的初始化速度,降低了节点能量消耗,并能够支持多类型射频模块的初始化,节省了硬件资源,提高了系统的可拓展性。
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公开(公告)号:CN106407048A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201610885756.8
申请日:2016-10-10
IPC: G06F11/14
CPC classification number: G06F11/1448
Abstract: 本发明公开一种非易失的输入输出通信接口、及基于该接口的数据备份和恢复方法,涉及通信接口设计领域。其中,所述非易失的输入输出通信接口包括:电压监测单元、与电压监测单元连接的控制器以及与控制器连接的非易失触发器;电压监测单元,用于监测输入输出通信接口的供电电压,并根据供电电压与预设的电压阈值的比较结果输出相应的休眠唤醒信号;控制器,用于根据休眠唤醒信号获取输入输出通信接口的通电状态,并根据通电状态产生读写控制信号,及将读写控制信号发送至非易失触发器,以使得非易失触发器进行读写数据,从而实现数据的备份或恢复。通过本发明,能够大大降低自供能系统中输入输出通信接口的数据备份和恢复的时间开销和能量开销。
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公开(公告)号:CN104729579A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201410679341.6
申请日:2014-11-24
Abstract: 本发明涉及一种流体传感器,其包括:一悬臂结构;一微纳米纤维阵列,该微纳米纤维阵列设置于所述悬臂结构的表面,所述微纳米纤维阵列包括多个微纳米纤维,该多个微纳米纤维的延伸方向基本一致且与所述悬臂结构的表面形成一夹角;以及一探测装置,所述探测装置用于探测悬臂结构的弯曲变形的程度。进一步本发明涉及一种采用上述流体传感器测量流体特性的方法。
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公开(公告)号:CN1902128A
公开(公告)日:2007-01-24
申请号:CN200480039981.5
申请日:2004-12-28
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 日本电信电话株式会社 , 日本先锋公司 , 罗姆株式会社
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明旨在提纯单层碳纳米管(SWCNT),并使得可以分选经提纯的单层碳纳米管的直径和长度。碳纳米管通过以下步骤进行提纯:碳纳米管浸入溶有模板化合物的溶液之中,并将特定的碳纳米管提取到该溶液中,所述模板化合物由具有共轭环状结构的受体部位和固定多个所述受体部位的间隔体部位组成;以及回收所提取的碳纳米管。
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公开(公告)号:CN106570585A
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201610967174.4
申请日:2016-10-28
Abstract: 本发明提供一种面向自供能系统的任务调度方法及能量管理装置,涉及任务调度领域。其中,所述方法包括:根据预设的任务信息表中各任务的执行时间计算得到各任务分别在当前时刻的风险系数;对自供能系统在未来的预设时间段内采集得到的能量进行预测,得到自供能系统在未来的预设时间段内的平均功率;根据各任务的风险系数、平均功率、各任务的执行平均功率和各任务的执行时间计算得到各任务分别在当前时刻的自适应电压阈值;将各任务的自适应电压阈值分别与储能电容在当前时刻的电压值进行比较,得到自适应电压阈值小于电压值的任务集合;根据各任务的优先级在任务集合中选择当前时刻执行的任务。通过本发明,可以提高系统总任务的完成率。
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公开(公告)号:CN100336225C
公开(公告)日:2007-09-05
申请号:CN200410005220.X
申请日:2004-02-17
Applicant: 大塚宽治 , 宇佐美保 , 三洋电机株式会社 , 冲电气工业株式会社 , 夏普株式会社 , 索尼株式会社 , 日本电气株式会社 , 株式会社日立制作所 , 松下电器产业株式会社 , 三菱电机株式会社 , 罗姆株式会社
CPC classification number: H01P3/081 , H01L23/5286 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2924/0002 , H01L2924/1903 , H01L2924/3011 , H01P3/026 , H01P3/08 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种具有可应对超过GHz带的高速信号的电源供给结构的电子电路装置。将驱动器晶体管(10)形成在半导体衬底(1)的表面上。在该半导体衬底(1)上,形成对驱动器晶体管(10)进行电源供给的电源地对传输线路(20)、以及向接收器传输信号的信号地对传输线路(30)。而且,电源地对传输线路(20)分别连接到驱动器晶体管的漏极层(3)、P阱(2)中的P+层(7)。此外,信号地对传输线路(30)分别连接到驱动器晶体管(10)的源极层(4)、P阱(2)中的P+层(8)。
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