电磁话筒
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1164147C

    公开(公告)日:2004-08-25

    申请号:CN00119917.X

    申请日:2000-06-30

    CPC classification number: H04R19/04

    Abstract: 本发明提供了一种电磁话筒,包括在一个表面上接收声波和在另一个表面上接收电磁波的振动膜;用于输出由所述振动膜所反射的电磁波的发射-接收装置;用于计数从所述发射-接收装置输出的脉冲的计数器;用于接收从所述计数器输出的脉冲的处理逻辑电路,其中所述电磁波的频率低于1012Hz。

    半导体装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN112530884B

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202010977265.2

    申请日:2020-09-16

    Inventor: 胁坂伸治

    Abstract: 本发明实现安装有在背面侧具有电极的半导体元件的半导体装置的小型化、薄型化。半导体装置具备:第一半导体元件,其在主面侧具有第一电极,并在背面侧具有第二电极;基材,其设有与第一电极连接的连接导体;密封树脂,其设置在基材上,将第一半导体元件进行密封;以及第一过孔,其设于密封树脂,并与第一半导体元件的第二电极电连接。

    半导体装置
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111656540B

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN201880087698.1

    申请日:2018-12-21

    Inventor: 黑羽淳史

    Abstract: 半导体装置具有在预定的区域形成有孔的受光元件、设置于受光元件的孔内的发光元件以及覆盖受光元件的周缘部的第一树脂,受光元件的表面与发光元件的表面实质上位于同一平面上。

    半导体装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN113892174A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN201980096981.5

    申请日:2019-09-25

    Abstract: 半导体装置包括:具有第一电极的至少一个第一半导体元件;具有第二电极的第二半导体元件;与上述至少一个第一半导体元件的上述第一电极连接的第一引线端子;与上述第二半导体元件的上述第二电极连接的第二引线端子;密封上述第一引线端子及上述第二引线端子的第一树脂;以及密封上述至少一个第一半导体元件及上述第二半导体元件的第二树脂。

    半导体装置的制造方法
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111684585A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN201980011621.0

    申请日:2019-01-30

    Inventor: 河野一郎

    Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法,包括以下各步骤:准备在主面侧形成有剥离层的支撑基板;在支撑基板上的比剥离层更靠上的位置,局部地形成布线层;以使半导体芯片的垫与布线层电连接的方式将半导体芯片配置在支撑基板上;形成包括布线层及半导体芯片并且与支撑基板上的剥离层或者比该剥离层更靠上的层接触的密封层,且在支撑基板上形成包括半导体芯片、布线层以及密封层在内的中间层叠体;在形成中间层叠体后,切断支撑基板的周边部;以及以剥离层为边界,从切断周边部后的支撑基板机械式地剥离中间层叠体。

    半导体装置
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111656540A

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN201880087698.1

    申请日:2018-12-21

    Inventor: 黑羽淳史

    Abstract: 半导体装置具有在预定的区域形成有孔的受光元件、设置于受光元件的孔内的发光元件以及覆盖受光元件的周缘部的第一树脂,受光元件的表面与发光元件的表面实质上位于同一平面上。

    半导体装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN110718529A

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201910626207.2

    申请日:2019-07-11

    Abstract: 在层叠多个半导体芯片来构成的半导体装置中,在半导体芯片的散热不足的情况下,动作因热量而不稳定。半导体装置(80)具备:布线层(22);主面经由第一连接部(28)而与布线层(22)连接的第一半导体芯片(25);在俯视时配置于第一半导体芯片(25)的外侧并沿与布线层(22)垂直的方向延伸的多个导电接线柱(24);连接于第一半导体芯片(25)的与主面相反一侧的背面和多个导电接线柱中的至少一个(24G)的导热部件(30);与第一半导体芯片的背面以外的面、布线层及导电接线柱的侧面相接的密封树脂(29);以及经由第二连接部(71)而与导电接线柱的与布线层相反的一侧的端部连接的第二半导体芯片(125)。

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