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公开(公告)号：CN111489076B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202010267929.6
申请日：2020-04-07
Applicant: 顾敏
Inventor： 顾敏
IPC: G06Q10/0635
Abstract: 本发明公开了一体化工艺危害分析方法、系统及存储介质，所述方法包括：获取不同生产状态下发生偏离和引发偏离的原因；根据偏离原因的概率、使能事件和条件修正计算不期望事件发生的潜在概率；根据偏离的原因和后果严重性矩阵生成不期望事件的后果严重性等级；根据潜在风险等级对不期望事件进行预防性措施动作；获取预防性措施动作实施后不期望事件的残留概率；根据潜在风险等级对不期望事件进行保护性措施动作；获取保护性措施动作实施后不期望事件的残留后果严重性等级；根据不期望事件的残留概率、残留后果严重性和风险矩阵生成残留风险等级。本发明有效地避免了传统分析方法的不足和缺点。
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公开(公告)号：CN115390366A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210992808.7
申请日：2022-08-18
Abstract: 本发明涉及石墨烯的超精细光刻技术领域，特别涉及一种超越衍射极限的石墨烯结构及其双光束光刻方法，包括：采用石墨粉通过Hummers方法获得氧化石墨烯悬浮液，接着将所述氧化石墨烯悬浮液旋涂在PET薄膜上，制备得到氧化石墨烯薄膜；采用环形还原光束和球面氧化光束的双光束激光光刻系统对所述氧化石墨烯薄膜进行光刻。本发明采用环形还原光束和球面氧化光束同时对氧化石墨烯薄膜进行光刻，可以制造出超越衍射极限的精细化平行线型图案，实现最小线宽为90nm的LSG图案，通过控制双光束的激光功率和扫速可以制造出不同平均线宽和平均间距的LSG平行图案，该图案可以用于制作超级电容的电极，其比容量最高可以达到308F/g。
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公开(公告)号：CN111367132A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010168188.6
申请日：2020-03-11
IPC: G02F3/02
Abstract: 本发明公开了一种光子忆阻器及其制造方法，属于光子学技术领域。本发明的光子忆阻器，包括：基板；光双稳层，形成于基板上表面，光双稳层包括第一二维晶体材料单元和第二二维晶体材料单元，所述第一二维晶体材料单元具有第一还原态，所述第二二维晶体材料具有第二还原态，所述第一还原态不同于所述第二还原态。光子忆阻器的光双稳层能以光子为信号载体进行数据传输，相对于以电信号为载体的电子忆阻器而言，提高了数据传输的速度，且功耗低，便于集成应用。
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公开(公告)号：CN117454949A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311360357.6
申请日：2023-10-19
IPC: G06N3/067 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 本申请实施例提供了一种全光学卷积神经网络装置，该全光学卷积神经网络装置包括：光学卷积层，所述光学卷积层集成有多个卷积核，所述光学卷积层接收输入光信号，对所述输入光信号进行卷积操作以产生多个中间光信号，并输出多个所述中间光信号；光学全连接层，所述光学全连接层接收多个所述中间光信号，对多个所述中间光信号进行相位调制后输出，以将多个所述中间光信号合并为输出光信号。本申请实施例的全光学卷积神经网络装置可以基于光学卷积层和光学全连接层构建出完整的光学卷积神经网络，利用光学器件和光计算实现了特征提取和输出生成，不需要与额外的电子系统结合，能够有效提升计算效率。
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公开(公告)号：CN115458681A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211139617.2
申请日：2022-09-19
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了光子忆阻器及其制备方法，属于半导体领域。本发明的光子忆阻器由衬底和法布里‑珀罗谐振腔构成，通过第一反射膜、氧化石墨烯非线性介质层和第二反射膜组合形成法布里‑珀罗谐振腔，能够实现光交换中的光空间并行传播和互连，从而更好的进行信息高密度存储，提高处理速度，能耗低，并且相对于现有的忆阻器而言，尺寸更小便于集成、制造，可大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115222034A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210893985.X
申请日：2022-07-27
Abstract: 本发明涉及集成电路的技术领域，具体公开了一种基于VCSEL阵列的三维光子芯片架构及应用、DNNs结构计算方法，所述芯片架构包括：数据输入层，用于产生二维光学数据，并将光学数据输入到数据处理层；所述数据输入层为可寻址VCSEL阵列；数据处理层，用于对所述数据输入层输入的光学数据进行运算；数据输出层，用于对所述数据处理层的运算结果进行采集和输出；所述数据输入层、数据处理层以及数据输出层依次堆叠形成所述三维光子芯片架构，通过该芯片架构的设计可以直接将DNNs的整个工作光路实现片上集成，其体积将由厘米级或米级缩小至毫米级或微米级，且可以在短时间内处理更多的数据，数据处理层的运算过程不耗能，能解决AI运算所面临的算力和能源问题。
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公开(公告)号：CN111816458B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202010656283.0
申请日：2020-07-09
Abstract: 本发明公开了超级电容器及制备方法，属于电容器领域。本发明的超级电容器的第一电极和第二电极的线宽均可在100nm‑18000nm之间，相对于现有的超级电容器而言有效的增大了电极的比表面积，从而提升超级电容器的能量密度。超级电容器的制备方法通过采用第一预设波长的诱导光束还原氧化层，利用预设抑制还原方法抑制还原氧化层的预设区域，从而生成线宽可低于20μm的电极，大大的提高了超级电容器中还原态氧化石墨烯的比表面积。
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公开(公告)号：CN114783467A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210500240.2
申请日：2022-05-09
IPC: G11B20/10
Abstract: 本发明涉及数据存储技术领域，公开了一种复合材料存储四维数据的写入和读取方法，突破了传统单光束二维数据存储写入模式，通过三维纳米激光直写系统在特殊的复合材料的聚焦激光光场微区内形成有受激荧光反应的微小空缺作为录入的数据点，同时充分利用光盘三维空间和不同激光写入能量下的数据点荧光发光呈线性反应关系特性，从而实现在物理层面上四维度存储录入数据，目标存储密度理论上可以提高到TB级/光盘的水平；通过特定的共焦显微成像系统进行四维数据的读取能够防止数据层之间的信息窜扰，保证所存储数据的读取准确性。
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公开(公告)号：CN103368165A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210056908.5
申请日：2012-03-05
Applicant: 顾敏珠
Abstract: 本发明涉及中性点非直接接地电力系统消除单相间歇性弧光、谐振及过电压保护技术领域，更具体地说是一种消弧、消谐及过电压保护装置。本产品主要有6个组成部分：1、过电压综合保护器；2、测量PT；3、投切控制器；4、投切接触器；5、限压器；6、隔离开关。采用本发明，能解决系统间歇型弧光接地、谐振及过电压问题。本消弧、消谐及过电压保护装置功能完善、运行安全，大大提高了线路的安全性。
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公开(公告)号：CN117095721A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311068965.X
申请日：2023-08-23
Abstract: 本发明公开了单光束超分辨光学数据存储装置及方法，属于光学数据存储技术领域。本发明采用单光束进行光学数据存储，利用时间复用连续波光束波前和荧光团时间抑制过程的原理，允许点扫描单光束的超分辨率光学数据存储，通过打开和关闭光学数据存储单元，在短时间和长时间之间进行时间调制，同时在激励和抑制之间进行波前调制来实现成像，可避免光数据存储材料的光损伤和光漂白，同时提高了成像超分辨率。
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